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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]照明装置-CN201110281357.8有效
发明人：朴宪勇;金炳晚 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种照明装置。该照明装置包括：光源模块，安装在基板上；透镜单元，设置在光源模块上，并包括容纳光源模块的容纳凹槽；外壳单元，将透镜单元容纳在外壳单元中，以保护透镜单元免受外部影响；支撑单元，固定到基板并包括结合孔，该结合孔使外壳单元结合到支撑单元，从而支撑外壳单元；高度调节单元，允许外壳单元竖直可动地结合到支撑单元，并调节透镜单元的高度，从而改变透镜单元的高度。
照明装置

[发明专利]用于激光划片的装置和方法-CN201110247497.3无效
发明人：张有成 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： B23K26/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于激光划片的装置和方法。该激光划片装置可以包括：第一激光发射器，在朝形成有多个发光器件的基板的第一轴向移动的同时发射用于厚度测量的激光；激光接收器，当从第一激光发射器发射的激光从基板反射时接收所反射的激光；厚度测量单元，基于被激光接收器所接收的激光的强度测量基板的厚度；以及第二激光发射器，通过朝基板的第一轴向和第二轴向发射激光同时基于所测量的厚度调节激光发射位置而在基板上产生划片线。
用于激光划片装置方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110295166.7有效
发明人：卓泳助;李在垣;朴永洙;金峻渊 -专利权人：三星电子株式会社;三星LED株式会社
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基底、位于所述基底上的缓冲层和位于所述缓冲层上的多个氮化物半导体层。所述半导体器件还包括位于所述多个氮化物半导体层之间的至少一个掩蔽层和至少一个夹层。所述至少一个夹层位于所述至少一个掩蔽层上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制造方法-CN201110301444.5无效
发明人：李哉勋 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓(GaN)基半导体器件及其制造方法。GaN基半导体器件可包括：导电散热衬底(即，热传导衬底)；布置在该散热衬底上的GaN基多层；和布置在GaN基多层上的肖特基电极。虽然这样的GaN基半导体器件正在制造，但是可以使用晶片键合工艺和激光剥离工艺。
氮化半导体器件及其制造方法

[发明专利]石墨烯发光装置及其制造方法-CN201110276450.X有效
发明人：黄省元;高建宇;沈成铉;郑薰在;成汉珪;孙哲守;李镇贤;高炯德 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：提供了一种石墨烯发光装置及其制造方法。石墨烯发光装置包括：掺杂有p型掺杂剂的p型石墨烯；掺杂有n型掺杂剂的n型石墨烯；以及布置于p型石墨烯和n型石墨烯之间并发光的活性石墨烯，其中，p型石墨烯、n型石墨烯和活性石墨烯水平放置。
石墨发光装置及其制造方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法-CN201110281198.1有效
发明人：成汉珪;郑薰在;杨丁子;孙哲守 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-09-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置包括：基底；绝缘膜，形成在基底上并且包括暴露部分基底且具有不同直径的多个开口；以及第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒，具有不同的直径，第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒分别形成在所述多个开口中，其中，每个第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒具有顺序地形成在其表面上的有源层和第二导电半导体层。
氮化物纳米发光装置及其制造方法

[发明专利]发光器件-CN201110276376.1有效
发明人：宋镐荣 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件，所述发光器件包括：基底，具有相对的第一主表面和第二主表面；发光元件，安装在基底的第一主表面上；驱动器集成电路(IC)，形成在基底中的对应于发光元件的下侧的区域中，并且调节施加到发光元件的电流的量。由于用于驱动发光二极管(LED)而设置的电路集成在基底中，所以能够获得具有集成结构的紧凑的发光器件。
发光器件

[发明专利]Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法-CN201110281232.5有效
发明人：成汉珪;郑薰在;杨丁子;孙哲守 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-09-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。所述方法包括：准备基底；在基底上形成包括暴露部分基底的一个或多个开口的绝缘膜；通过向被开口暴露的基底提供Ⅲ族源气体和氮(N)源气体在被开口暴露的基底上生长第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒晶种层；通过以脉冲模式提供Ⅲ族源气体和杂质源气体并连续地提供N源气体在第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒晶种层上生长第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒；在每个第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒的表面上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电氮化物半导体层。
氮化物纳米发光装置及其制造方法

[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制造方法-CN201110271026.6无效
发明人：李哉勋;金基世 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-09-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了氮化镓(GaN)基半导体器件及其制造方法。GaN基半导体器件可以包括布置在散热衬底上的异质结构场效应晶体管(HFET)或肖特基二极管。HFET器件可以包括：GaN基多层，具有凹陷区域；栅极，布置在凹陷区域中；以及源极和漏极，布置在GaN基多层的在栅极(或凹陷区域)的两个相对侧的部分上。栅极、源极和漏极可以附接到散热衬底。凹陷区域可以具有双凹陷结构。当这样的GaN基半导体器件在被制造时，可以使用晶片接合工艺和激光剥离工艺。
氮化半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制造方法-CN201110259899.5无效
发明人：李哉勋;金基世 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓(GaN)基半导体器件及其制造方法。GaN基半导体器件可以包括：散热衬底(也就是导热衬底)；GaN基多层，布置在散热衬底上并具有N面极性；以及布置在GaN基多层上的异质结构场效应晶体管(HFET)或肖特基电极。HFET器件可以包括具有双凹陷结构的栅极。在制造这样的GaN基半导体器件时，可以使用晶片接合工艺和激光顶离工艺。
氮化半导体器件及其制造方法

[发明专利]发光二极管封装件及其制造方法-CN201110263657.3无效
发明人：李永镇;金亨根;文敬美;禹光福 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：引线框架，包括热焊盘和设置为与热焊盘离开一定距离的至少两个电极焊盘；至少一个LED，安装在热焊盘上并且通过导线与所述至少两个电极焊盘电连接；封装模具，包括用来容纳热焊盘和所述至少两个电极焊盘的第一腔，封装模具通过封装模具的第一表面局部暴露热焊盘和所述至少两个电极焊盘，并且通过与第二表面共面的表面暴露热焊盘和所述至少两个电极焊盘，所述至少一个LED安装在第一表面上，第二表面与第一表面相对；模制单元，设置在第一腔中。
发光二极管封装及其制造方法

[发明专利]光学透镜和发光设备-CN201110230104.8有效
发明人：有吉哲夫 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： F21V5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种光学透镜及使用该光学透镜的发光设备。该光学透镜包括：入射部分，被设置为光入射区域，并包括形成在入射部分的表面的至少一部分区域上的微透镜阵列；反射部分，与入射部分隔开预定的距离，并至少反射已穿过入射部分的光中的一定量的光；侧表面部分，连接入射部分和反射部分，并透射被反射部分反射的所述一定量的光。在使用光学透镜的情况下，当从光源入射的光被发射到外部时，从光源发射光的角度被扩大，由此改善光源的方位角。
光学透镜发光设备

[发明专利]基座及具有该基座的用于化学气相沉积的设备-CN201110230111.8无效
发明人：李元伸 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：提供了一种基座和一种用于化学气相沉积(CVD)的设备。该基座包括：主体，被构造成包括具有不平坦表面的安装单元；和基底支撑单元，被构造成位于所述安装单元上。所述基底支撑单元的底表面具有与所述安装单元的形状对应的形状，并且所述安装单元包括排气孔以向所述基底支撑单元排放气体。因此，当基底支撑单元被返回时，可以不需要对基底支撑单元进行精确定位。此外，可以稳定地执行气相沉积。
基座具有用于化学沉积设备

[发明专利]LED灯及其驱动电路-CN201110174628.X无效
发明人：池龙根;宋炳宽;罗润焕;金镇宗;林先佑;金硕奎;金显炅 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明披露了LED灯及其驱动电路。一种LED灯驱动电路包括：热敏电阻，具有一个端子，通过该端子来施加外部电压；AC-DC转换单元，连接至热敏电阻的另一个端子，并且将施加至热敏电阻的另一个端子上的AC电压转换为DC电压；以及DC-DC转换单元，将来自AC-DC转换单元的DC电压转换为驱动LED灯所需的DC电压。
led 及其驱动电路

[发明专利]光源模块、背光单元、显示设备以及照明设备-CN201110150273.0有效
发明人：朴一雨;郭昌勋;李孝珍 -专利权人： 三星LED株式会社
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本发明涉及使用量子点的光源模块、采用该光源模块的背光单元、显示设备和照明设备。所述光源模块包括发光器件组件和在发光方向上设置在所述发光器件组件上的量子点密封组件，其中所述发光器件组件包括多个发光器件芯片，并且所述光源模块对由发光器件芯片发出的光的波长进行转换，从而产生波长转换的光。
光源模块背光单元显示设备以及照明设备

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