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[发明专利]显示装置-CN201710266582.1有效
发明人：铃村功;渡部一史;石井良典;三宅秀和;山口阳平 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置。能够在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，包含具有形成有像素的显示区域的基板，其特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体(109)的第一TFT，在所述氧化物半导体(109)之上形成作为绝缘物的氧化膜(110)，所述氧化膜(110)之上形成栅电极(111)，在所述第一TFT的漏极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第一通孔而连接第一电极(115)，在所述第一TFT的源极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第二通孔而连接第二电极(116)。
显示装置

[发明专利]排水管套及具备排水管套的便器-CN202010472944.4在审
发明人：中川舞子;伊奈嵩正;三宅秀和;米津直人 -专利权人：骊住株式会社
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： E03D11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种排水管套，其能够使纸等难以卡在缩颈部的后部。该排水管套具备：与便器(41)的排水管部连接的第一连接部(11)、与地面等的排水配管(50)连接的第二连接部(12)、将上述第一连接部(11)与上述第二连接部(12)之间相连的排水通路主体部(13)，上述排水通路主体部(13)具有朝向下侧且向前后方向的一侧倾斜的倾斜部(14)，在上述排水通路主体部(13)的上游端部设置有缩颈部(30)，上述缩颈部(30)中位于上述倾斜部倾斜的上述一侧的面(37)具有与上述第一连接部(11)的中心C之间的水平方向的距离(B1)从左右方向的中央向左右方向的端侧变大的部分。
排水管具备

[发明专利]显示装置-CN201710267224.2有效
发明人：山口阳平;铃村功;三宅秀和 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置。本发明的技术课题为可以在同一基板内形成LTPS TFT和TAOS TFT。其为包含具有形成有像素的显示区域的基板的显示装置，其特征在于，所述像素包含使用了TAOS的第一TFT，在所述第一TFT的漏极上形成有第一LTPS(112)，在所述第一TFT的源极上形成有第二LTPS(113)，所述第一LTPS(112)经由在覆盖所述第一TFT的绝缘膜(105)中形成的第一通孔(108)而与第一电极(106)连接，所述第二LTPS(113)经由在覆盖所述第二TFT的绝缘膜中形成的第二通孔(108)而与第二电极(107)连接。
显示装置

[发明专利]冲水大便器-CN201910728128.2在审
发明人：伊奈嵩正;佐藤拓真;米津直人;中川舞子;三宅秀和 -专利权人：骊住株式会社
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： E03D11/06 文献下载
摘要：提供能够使边缘部的连续面的冲洗范围在上下方向上大范围化的技术。具有：具有盆状的污物承接面(24)的便盆部(16)；形成便盆部的上端侧部分的边缘部(26)；通过向便盆部内排出冲洗水而形成回转流的排水部(42)；边缘部的内周面具有：设于便盆部的侧面部(22R)的第一面区域(90)；设于便盆部的前面部(22F)以及后面部(22B)中的至少一方的面部的第二面区域(92、94)；第一面区域(90)以及第二面区域分别设有从便盆部的上端内缘部到污物承接面的外周端部未形成突出面地连续的连续面(40)，第二面区域相对于铅垂面的倾斜角度比第一面区域相对于铅垂面的倾斜角度平缓。
冲水大便

[发明专利]薄膜晶体管及使用薄膜晶体管的显示装置-CN201410798404.X有效
发明人：铃村功;植村典弘;三宅秀和;山口阳平 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制初期Vth损失及Vth偏移的底栅·沟道蚀刻型薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有：配置在衬底(101)上的栅极电极布线(102)、栅极绝缘膜(103)、成为沟道层的氧化物半导体层(104)、源极电极布线(105a)与第一硬掩模层(106a)的层叠膜、漏极电极布线(105b)与第二硬掩模层的层叠膜、和保护绝缘膜(107)。
薄膜晶体管使用显示装置

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201510991864.9有效
发明人：植村典弘;野田刚史;三宅秀和;铃村功 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。
氧化物半导体层栅极绝缘膜晶体管覆盖区域沟道区域漏极区域显示装置源极区域漏电极源电极栅电极差部沟道保护层方式设置绝缘耐压区域分离电极钝化层入射光一体地从栅凸部制造覆盖

[发明专利]显示装置-CN201510411819.1有效
发明人：铃村功;石田有亲;植村典弘;三宅秀和;三宅博都;山口阳平 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：根据实施方式，显示装置具备在绝缘基板(15)之上设置的薄膜晶体管(TR)。薄膜晶体管具有栅电极(GE)、在栅电极上设置的绝缘层(12)、在绝缘层上设置的至少一部分与栅电极重叠的半导体层(SC)、以及与半导体层的至少一部分接触而设置的源电极(SE)及漏电极(DE)。源电极、漏电极分别具有位于半导体层侧的下层、以Al为主成分的中间层、以及上层的层叠构造。源电极、漏电极的侧壁具有上层侧的第1锥部(22a)、下层侧的第2锥部(22b)、以及与第2锥部接触的侧壁保护膜(24)，第1锥部的锥角小于第2锥部的锥角。
锥部半导体层漏电极源电极栅电极绝缘层薄膜晶体管显示装置侧壁锥角下层上层层叠构造绝缘基板保护膜中间层

[实用新型]显示装置-CN201720939693.X有效
发明人： 三宅秀和;渡部一史;石井良典 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及显示装置。本实用新型的课题为实现内置有触摸面板的有机EL显示装置。解决课题的手段为：有机EL显示装置，其为下述有机EL显示装置：扫描线在第一方向延伸，图像信号线在第二方向延伸，在被所述扫描线和所述图像信号线包围的区域，具有形成有像素的TFT基板(100)，所述像素具有阳极(110)、有机EL层(112)和阴极(113)，其特征在于，第一检测电极(Tx)隔着绝缘膜(114)、(115)位于所述像素的上侧，并且在所述第一方向延伸，对置基板(200)以覆盖所述第一检测电极的方式介由粘接材料(201)而配置，在所述对置基板的外侧，第二检测电极(Rx)在第二方向延伸。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN201510408263.0在审
发明人： 三宅秀和;石田有亲;植村典弘;三宅博都;铃村功;山口阳平 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。
显示装置

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201310307336.8有效
发明人：植村典弘;野田刚史;三宅秀和;铃村功 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201310237104.X有效
发明人： 三宅秀和;植村典弘;野田刚史;铃村功;金子寿辉 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，具有：在透明基板上形成的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着氧化物半导体的沟道区域并分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖漏电极以及源电极的层间电容膜、在层间电容膜上形成的公共电极、以及与公共电极相对地形成的像素电极，该显示装置的特征在于，在氧化物半导体与漏电极以及源电极之间，形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层，漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，漏电极以及源电极与氧化物半导体直接接触。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200910126586.5有效
发明人：野田刚史;海东拓生;三宅秀和;贺茂尚广 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2009-03-16 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置及其制造方法。该显示装置具有薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板是在绝缘基板的表面配置了具有非晶半导体的有源层的多个第一薄膜晶体管元件和具有多晶半导体有源层的多个第二薄膜晶体管元件，其中，上述第一薄膜晶体管元件和上述第二薄膜晶体管元件分别是在上述绝缘基板的表面上依次层叠了栅电极、栅极绝缘膜和上述有源层而成的反交错结构，而且，上述有源层之上具有经由接触层而与上述有源层连接的源电极和漏电极，上述第二薄膜晶体管元件的上述有源层的层叠了上述接触层的位置处的膜厚小于60nm。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200910005799.2有效
发明人： 三宅秀和;大植荣司;海东拓生;宫泽敏夫 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，其在基板上具有p型薄膜晶体管，p型薄膜晶体管在栅电极的上表面隔着绝缘膜形成有半导体层，在半导体层的上表面形成有具有间隔部而彼此相对配置的漏电极和源电极，在漏电极与半导体层的界面、和源电极与半导体层的界面形成有p型杂质的扩散层。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN200810149909.8有效
发明人： 三宅秀和;海东拓生;栗谷川武;宫泽敏夫 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置及显示装置的制造方法，该显示装置具有用极简单的结构、仅进一步增加一些工序数就实现了降低截止电流的多晶硅薄膜晶体管。该显示装置具有绝缘基板、和形成在上述绝缘基板上的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层具有多晶硅层、形成在上述多晶硅层上层的第一非晶硅层、形成在上述第一非晶硅层上层的第二非晶硅层。
显示装置制造方法

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN200810215183.3有效
发明人：大植荣司;海东拓生;三宅秀和;宫泽敏夫;高品雄一郎 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，该显示装置在基板上形成有薄膜晶体管，作为上述薄膜晶体管，具有覆盖栅电极而形成于上述基板上的氮化硅膜上选择性地形成的氧化硅膜，还具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的伪单晶层或者多晶层的半导体层，在该半导体层的上表面隔着接触层而形成漏电极和源电极，上述伪单晶层或者多晶层是通过非晶硅层的结晶化而形成的，并且包含由其周侧壁面与其下层的上述氧化硅膜的周侧壁面间不具有台阶而连续的结构构成的部分。
显示装置制造方法

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