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[发明专利]半导体装置用接合线的卷线结构-CN201610915265.3有效
发明人： 三上道孝;前田菜那子;陈炜;伊藤杏奈 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： B65H55/04 文献下载
摘要：本发明的半导体装置用接合线的卷线结构，其中：由序列卷绕的前头卷绕部分、交叉多层卷绕的实卷绕部分、及序列卷绕的尾端卷绕部分所构成的线轴上缠绕有接合线，在该实卷绕部分的两端形状所形成的至少一边斜边，有具有比由线轴端部延伸的下斜边的仰角更为急陡的仰角的中斜边或上斜边的突起部，在该突起部接连波型的锯齿状层，并且该上斜边的顶点的高度比该锯齿状层的平均高度更高。本发明的目的在于提供比现有技术紧固力更强，且在输送时的振动等也不会崩坏的新颖的接合线的卷线结构。此外，本发明之目的在于提供不会浪费线，且可顺利地进行线轴更换作业的接合线的卷线结构。
半导体装置接合结构

[发明专利]超声波接合用纯铜合金线的剖面构造-CN201410468025.4有效
发明人： 三上道孝;天野裕之;滨本拓也;三苫修一;执行裕之;中岛伸一郎;刘斌 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及超声波接合用纯铜合金线的剖面构造，其中提供一种线材，即使是纯铜合金连接线，在因大气中的氧而使线材表面的铜氧化物层为未饱和铜氧化物时，也可通过形成厚度为不使该氧化物层还原程度的有机碳层，使得超声波接合的制程容许度变得广泛。线材的成分包括，钛、锆、锌及锡中的至少1种贱金属，含量为40质量ppm以上且小于100质量ppm，剩余部分为纯度99.990～99.996质量％的铜；线材表面为通过金刚石拉延模缩径的拉延加工面，其整个面上形成总有机碳量为50～3000μg/m2的有机碳层，线材剖面最外层形成由未饱和铜氧化物构成的厚度为2～20纳米的铜氧化物层，该层内侧存在的贱金属呈未被内部氧化的状态。
超声波接合铜合金剖面构造

[发明专利]超声波键合用镀覆铜丝结构-CN201410265987.X有效
发明人： 三上道孝;刘斌;天野裕之;滨本拓也;今泉欣之;永江祐佳;山下勉 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供即使变更镀覆铜丝的镀覆材料或者芯材种类和线径也可以不单独设定键合条件就稳定地进行超声波键合、且超声波键合时的工艺窗口范围广的超声波键合用镀覆铜丝结构。本发明的结构的特征在于，其表面形态为该芯材表面成型有沿该键合丝长度方向的多条卷云状槽，该芯材上镀覆了由抗氧化性比芯材好的贵金属或合金(以下称“贵金属等”)构成的镀覆材料。
超声波合用镀覆铜丝结构

[发明专利]耐腐蚀性铝合金接合线-CN201410206059.6有效
发明人：天野裕之;中岛伸一郎;市川司;三上道孝 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2014-05-15 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种耐腐蚀性铝合金接合线，其目的在于抑制半导体元件连接用高纯度铝线在高温/高湿环境下的晶间腐蚀。本发明是在纯度为99.99质量％以上的高纯度铝中含有10～200重量ppm的铑(Rh)和/或钯(Pd)的铝合金接合线，这些添加元素被强制固溶而在铝基体中形成与铝的金属间化合物的分散相，上述铝基体的结晶粒径为10～100μm。铑(Rh)和钯(Pd)通过催化作用使铝表面产生的原子状氢形成H2，阻止其向铝基体中的扩散渗透，从而能够抑制原子状氢键合形成H2而发生的晶间腐蚀。
腐蚀性铝合金接合

[发明专利]半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造-CN201410419908.6在审
发明人：天野裕之;三上道孝;冈崎纯一;滨本拓也;中岛伸一郎;山下勉;三苫修一;小野甲介;刘斌;执行裕之 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
半导体装置接合稀薄镍合金构造

[发明专利]用于连接半导体装置的铜-铑合金线-CN201310271669.X有效
发明人：天野裕之;三上道孝;冈崎纯一;滨本拓也;中岛伸一郎;山下勉;三苫修一;小野甲介;刘斌;执行裕之 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供用于连接半导体装置的铜-铑合金线。[目的]改良铜合金球焊线，使得限制在超声波接合时的铝飞溅和倾斜，并改善在二次接合时的接合性的品质。[解决问题的手段]在包含纯度为99.995质量％以上的初始铜(Cu)和量为0.1-1.5质量％的铑(Rh)的金属基体中，溶解非金属元素的量为1.0-10质量ppm的硫(S)和量为10-150质量ppm的氧(O)，随后也可以溶解量为1-10质量ppm的磷(P)。在金属中的铑起到限制硫在球表面偏析的作用，因此控制其动态强度，并且与溶解的氧协同作用，铑限制了S的活性并因此改善了在倾斜和二次接合性方面的线品质。
用于连接半导体装置合金

[发明专利]铝合金接合线-CN201310181370.5有效
发明人：天野裕之;三上道孝;中岛伸一郎;市川司 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了铝合金接合线。一种在超声接合过程中是软的楔形接合线能够防止芯片开裂，且其在布线后显示高温强度。本文提供了一种铝合金接合线，其具有包含0.15至0.5质量％的钪(Sc)和余量的纯度为99.99质量％以上的铝(Al)的组成，具有在强制溶解的铝合金基体中的冷拉丝组织，且具有21至30的维氏硬度。所述铝合金接合线可以通过向其中添加0.01至0.2质量％的锆(Zr)而得到增强。因为所述铝合金接合线在接合过程中是软的，所以可以被连接而不发生芯片破裂，且通过在接合之后进行的时效热处理而改善其高温强度。
铝合金接合

[发明专利]用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线-CN201310223610.3有效
发明人：天野裕之;三上道孝;冈崎纯一;滨本拓也;中岛伸一郎;山下勉;三苫修一;小野甲介;刘斌;执行裕之 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。
用于半导体装置中的连接合金

[发明专利]用于连接至半导体装置的铝合金线-CN201310195539.2有效
发明人：天野裕之;三上道孝;中岛伸一郎;市川司 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于连接至半导体装置的铝合金线。目标是提高Al合金接合线的耐热冲击性并且还防止芯片破裂。该线含有0.2-2.0质量％的铁(Fe)和纯度为99.99质量％以上的余量的铝，其中铁以0.01-0.05％溶解在铝基体中，并且如在所述铝合金线的横截面上观察的，所述拉伸后的基体组织具有数微米量级的均匀的微细再结晶图案，并且Fe-Al金属间化合物粒子在边界和所述微细再结晶组织的内部均匀地结晶。对高度变形的Al进行固溶热处理以便将Fe溶解至大约其固溶度极限，并且上述组织通过调质热处理获得。在超声波线接合的过程中，所述线变形并且经历动态再结晶，并且因此将其在不经历加工硬化的情况下压力接合。
用于连接半导体装置铝合金

[发明专利]用于连接半导体装置的高纯度铜细线-CN201280002217.5有效
发明人： 三上道孝;合濑昌章;中岛伸一郎;三村利孝;弥永幸弘;市川司;高田晃 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：通过制备使其截面组织成为双重组织的高纯度铜细线，铜细线的机械强度增加，并因此提供亚毫米直径的高纯度铜细线，其最适用于在短时间内反复进行多次开/关操作的高温功率半导体。本发明涉及具有氧化物膜并且由纯度为99.999至99.99994质量％的铜制成的高纯度铜细线；该铜细线具有这样的截面组织，其中，10颗最大的晶粒共同地具有占截面组织总面积的5-25％的晶粒面积，且此晶粒面积的80％以上在相对于表面层的内侧，所述表面层被定义为具有细线直径的1/20以下的厚度；该高纯铜细线通过连续拉拔制成，并用于连接半导体装置。
用于连接半导体装置纯度细线

[发明专利]高强度高伸长率的金合金接合线-CN201180048995.3无效
发明人： 三上道孝 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的目的是对于由Au合金线构成的接合线得到伸长率和断裂强度的最佳组合。将0.5-30质量％的Cu、Ag、Pd和Pt中的至少一种元素加入至高纯Au，在拉丝中伸长率变化的平缓区域出现在450-650℃的热处理温度的范围内。虽然线的断裂强度在该温度范围内下降，但线的强度仍保持在与高纯Au合金线的标准的4％的伸长率的热处理温度相对应的强度以上的强度。因此，通过该平缓范围内的热处理，得到了与温度变化无关地具有一定以上强度的合金线。而且，通过选择适当的温度范围，对于上述伸长率得到了具有不同强度的金属线。
强度伸长合金接合

[发明专利]超声波焊接用铝带-CN201080045558.1有效
发明人： 三上道孝;菊地照夫;中岛伸一郎;平田勇一;中村政晴;木村启裕 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种焊接带，即使进行几万次接合，每次都能够遍及接合面的整个面均质地进行接合，可实现更加稳定的接合强度，并且没有形成线弧时的断裂。作为解决手段，是一种超声波焊接用带，其由纯度99质量％以上的铝基合金构成，为多级拉丝后辊轧而成的超薄带结构，截面内的晶体粒径的平均值为5～200μm，进行表面粗糙度为Rz≤2μm的镜面精加工，且在蒸气压比水高的水溶性的烃系溶剂、醇系溶剂、酮系溶剂或醚系溶剂中进行了浸渍处理或气氛处理。
超声波焊接用铝带

[发明专利]超声波焊接用铝带材-CN201080008770.0有效
发明人： 三上道孝;菊地照夫;中岛伸一郎;平田勇一;中村政晴;木村启裕 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的课题是提供超声波焊接用铝带材，即使进行几万次接合其也能够保持高的焊接接合强度和规定的接合强度。作为解决手段，为一种超声波焊接用铝带材，其包含金属铝或铝基合金，该铝的纯度为99.99质量％以上，并且在铝带材的镜面光泽面上蒸发干燥粘着有分子量为500以下的非离子性表面活性剂，该非离子性表面活性剂的有机碳总量为100-1000微克/平方米。
超声波焊接用铝带材

[发明专利]用于超声焊接的铝带-CN200980100021.8有效
发明人： 三上道孝;菊地照夫;平田勇一;中岛伸一郎;佐藤松美;木村启祐 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2009-05-01 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：为了提供一种能实现稳定焊接强度的铝带，该铝带在数万次焊接循环过程中，每次都具有均匀的总体焊接表面。一种用于超声焊接的铝带，包括：含铝超过99％的铝合金，该铝合金包含添加元素和余量铝，其中该铝带在多阶段拉拔之后辊轧成超薄带结构，带截面上的平均晶粒尺寸为5-200μm，其中厚度与宽度的比率为1/2-1/20。优选晶粒纵横比(宽度方向/厚度方向)为0.5-10，并且带表面进行镜面抛光，其中表面粗糙度Rz小于2μm和/或等于2μm。
用于超声焊接

[发明专利]半导体组件用金焊接线-CN200580040707.4有效
发明人：手岛聪;三上道孝 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2005-11-22 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供即使焊接线的线径变细至23μm以下，以有优越真圆度的压焊焊球所形成，且具有能耐焊接线熔流的裂断应力的半导体组件用金(Au)焊接线。一种半导体组件用金焊接线，是以由Au基体及机能性元素而成的Au合金而成，其特征在于，该Au基体含有Be 3～15质量ppm、Ca 3～40质量ppm、La 3～20质量ppm，该Au合金的压焊焊球的真圆度为0.95～1.05。
半导体组件焊接

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