“丁茂益”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]自动计算增加的粒子的方法-CN03138699.7有效
发明人：刘坤佑;陈威铭;丁茂益;陈俊结;河濂泽 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-06-03 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种在半导体生产过程中利用粒子分布的位置数据，来自动计算增加的粒子的方法。首先，自动连结工艺前粒子数据和工艺后粒子数据，并根据位置分布的差异决定出一共有的粒子。然后，自动连结工艺后粒子数据的粒子数目与共有的粒子的粒子数目，并将前者减去后者而得到增加的粒子的数目。本发明所自动计算的增加的粒子可以真实反映出在工艺期间增加的粒子，并提供与工艺品质有关的有效信息，以提供一正确的诊断值做为工程师或操作员一个可信赖的判断基础。
自动计算增加粒子方法

[发明专利]连结垫结构及其制造方法-CN03156817.3有效
发明人：林明裕;何濂泽;丁茂益 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-09-08 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种连结垫结构及其制造方法，是由一沉积于上层导体层上具有数个独立介电质岛的内层介电层、沉积于独立介电质岛上的阻障层、配置于阻障层上与独立介电质岛间的导体材质以及定义成数个连结垫的金属层所组成。其中，独立介电质岛可以是一格栅状结构，且导体材质配置于格栅状结构的沟渠中，以及金属层配置于格栅状结构上。
连结结构及其制造方法

[发明专利]光致抗蚀剂材料的管路气泡监测装置-CN02142777.1无效
发明人：曾嘉豪;蔡毓通;蔡重德;林政毅;丁茂益 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-09-19 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： G01N29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种管路气泡监测装置，适用于监测一光致抗蚀剂内部的气泡，包括至少一光致抗蚀剂槽、缓冲槽、泵以及气泡监测器。光致抗蚀剂槽用以提供光致抗蚀剂材料，缓冲槽用以储存光致抗蚀剂材料，泵用以推动缓冲槽所储存的光致抗蚀剂材料至一管路末端，气泡监测器设置于缓冲槽以及泵之间，用以监测光致抗蚀剂材料中的气泡，并于监测到气泡时，输出警示信号。
光致抗蚀剂材料管路气泡监测装置

[发明专利]确定晶片对准标记外围辅助图形的方法及所用光刻胶掩模-CN02131997.9无效
发明人：何溓泽;林鼎章;丁茂益 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种在晶片对准标记外围确定辅助图形的方法。首先，提供具有对准区的晶片，对准区中设置有一对准标记。然后，藉由一光刻胶掩模来进行曝光，以在对准区上的对准标记外围确定一第一辅助图形。此光刻胶掩模具有一第一辅助图形区，第一辅助图形区具有一第一图形来遮蔽该对准标记，及一第二图形来确定第一辅助图形。而且，此光刻胶掩模还包括一第二辅助图形区，具有一第三图形，用以在第一辅助图形的外围确定一第二辅助图形。
确定晶片对准标记外围辅助图形方法所用光刻胶掩模

[发明专利]排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法-CN02142190.0有效
发明人：陈功益;陈威铭;古淑玲;丁茂益;何濂泽 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，此方法首先提供一晶圆，其中晶圆上已形成有数个晶粒，且在晶圆上发现有一重复性缺陷存在。接着，确认此重复性缺陷是否为一影响合格率的缺陷。倘若此重复性缺陷并非影响合格率的缺陷，则定义此重复性缺陷所存在之一区域为一排除区域。之后，扫描晶圆上此排除区域以外的部分，以找出一真正的缺陷。
排除影响合格率重复性缺陷监控真正方法

1
共 5 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top