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[发明专利]一种具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料的制备方法-CN201910276717.1有效
发明人： 丁万昱;张一;何艳菲;张鑫 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层技术领域。本发明所述制备方法为：利用磁控溅射方法得到非晶或锐钛矿相二氧化钛薄膜材料，在大气条件下经800‑1100℃退火后，得到具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料。本发明制备方法简单、成本低、产率高、便于大规模工业化生产。
一种具有载流子迁移率可控金红石氧化薄膜材料制备方法

[发明专利]一种高比容量的含Fe钛酸锂基负极复合材料及其制备方法-CN202310321505.7在审
发明人：张吉亮;张晓杨;董闯;丁万昱;徐章杰 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高比容量的含Fe钛酸锂基负极电极材料及其制备方法，属于锂离子电池制备领域。该复合材料的微结构特征是纳米铁基硫化物颗粒弥散分布在钛酸锂颗粒表面或钛酸锂颗粒之间，复合材料的化学组成为，以质量比，铁基硫化物占比为10～75％。本发明首先需硫源对氧化铁或四氧化三铁进行硫化还原，得到粒径不超过100纳米的铁基硫化物粉体，通过干磨或湿法机械混合获得不同的粉体复合材料。本发明操作简单，制备效率高，易于实现规模化制备；通过调控铁基硫化物的种类、以及与钛酸锂的含量配比，可获得具有不同电化学特性的高比容量复合电极材料，制备出不同功能特性的钛酸锂电池，进一步扩展钛酸锂电池的应用场景。
一种容量 fe 钛酸锂基负极复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料及其制备方法-CN202010012476.2有效
发明人： 丁万昱;王棋震 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B05D1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料及其制备方法，属于表面加工、涂层、薄膜材料技术领域。本发明所述制备方法为：利用大气压放电的方法得到具有高绝缘电阻的二氧化硅薄膜材料，大气压放电温度为室温，在二氧化硅薄膜生长过程中，大气压放电装置的喷嘴始终垂直于基片表面，喷嘴并与基片表面保持恒定距离，且喷嘴相对于基片表面做周期性往复运动。本发明所述的高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料与现有的二氧化硅薄膜材料比，具有高绝缘电阻。
一种绝缘电阻二氧化硅薄膜材料及其制备方法

[发明专利]具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在透明薄膜热电偶上的应用-CN201910314709.1有效
发明人： 丁万昱;刘浩;陈卫超 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在透明薄膜热电偶上的应用，属于薄膜热电偶技术领域。利用直流脉冲磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成透明薄膜热电偶的一极，所述直流脉冲磁控溅射的占空比为10‑40％。本发明通过控制直流脉冲磁控溅射所得铟锡氧化物薄膜的择优取向，使铟锡氧化物透明薄膜热电偶具有较高的塞贝克系数。
具有 400 择优氧化物透明薄膜热电偶应用

[发明专利]一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法-CN202010103343.6在审
发明人： 丁万昱;刘智慧;刘远兵 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法，属于表面加工、涂层、薄膜材料技术领域。本发明在基片表面制备多层薄膜热电偶，利用多层薄膜热电偶同时进行温度测试，得到从基片表面沿法向方向不同位置的温度，进而获得温度沿基片表面法向方向的梯度。本发明所述温度梯度的测试方法与现有温度梯度的测试方法相比较，具有高的空间分辨率。
一种测量温度沿基片表面方向梯度方法

[发明专利]一种高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料及其制备方法-CN201710561828.8有效
发明人： 丁万昱;王登尧;刘金东;吕智轩 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C23C14/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料及其制备方法，属于表面加工、涂层、薄膜材料技术领域。所述制备方法为：利用磁控溅射的方法得到具有高绝缘电阻的二氧化硅薄膜材料，在二氧化硅薄膜生长过程中，基片在平行于靶表面方向做周期性直线往复运动，运动速度为0.56‑55.56cm/min，运动周期为5‑500。本发明所述的高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料与现有的二氧化硅薄膜材料比具有高绝缘电阻。
一种绝缘电阻二氧化硅薄膜材料及其制备方法

[发明专利]具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在透明薄膜热电偶上的应用-CN201910314734.X在审
发明人： 丁万昱;刘浩;陈卫超 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在透明薄膜热电偶上的应用，属于薄膜热电偶技术领域。利用磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成透明薄膜热电偶的一极，磁控溅射的功率密度为4.8‑8.0W/cm²。本发明通过控制磁控溅射所得铟锡氧化物薄膜的择优取向，使铟锡氧化物透明薄膜热电偶具有较高的塞贝克系数。
铟锡氧化物透明薄膜热电偶磁控溅射晶面铟锡氧化物薄膜薄膜热电偶塞贝克系数体心立方择优取向铁锰矿多晶应用

[发明专利](004)晶面择优的二氧化钛在钙钛矿太阳能电池中的应用和钙钛矿太阳能电池制备方法-CN201910305545.6在审
发明人： 丁万昱;张鑫;何艳菲 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种(004)晶面择优的二氧化钛在钙钛矿太阳能电池中的应用和钙钛矿太阳能电池的制备方法，属于钙钛矿太阳能电池领域。本发明通过控制磁控溅射过程中钛靶表面磁控溅射的功率密度，得到具有不同晶体结构和择优取向的二氧化钛电子传输层，实现了二氧化钛电子传输层晶体结构和择优取向的可调控。
钙钛矿太阳能电池二氧化钛电子传输层磁控溅射二氧化钛晶体结构择优取向晶面太阳能电池领域太阳能电池制备钛靶表面可调控制备应用

[发明专利]一种具有(004)晶面择优的二氧化钛薄膜材料的制备方法-CN201610280115.X有效
发明人： 丁万昱;刘金东 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有(004)晶面择优的二氧化钛薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层领域。所述制备方法包括如下步骤：①利用磁控溅射的方法得到非晶二氧化钛薄膜材料，所述磁控溅射的功率密度为0.8‑3.3W/cm²；②将非晶二氧化钛薄膜材料400‑600℃退火得到具有(004)晶面择优的锐钛矿相多晶结构的二氧化钛薄膜材料。本发明有益效果为：通过控制磁控溅射过程中钛靶表面磁控溅射的功率密度，得到具有不同晶体结构和择优取向的二氧化钛薄膜材料，实现二氧化钛薄膜材料晶体结构和择优取向的可调控。
一种具有 004 择优氧化薄膜材料制备方法

[发明专利]一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用-CN201811435791.5在审
发明人： 丁万昱;孙浩庭;陈卫超;刘远兵 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用，属于薄膜应变计技术领域。利用磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成薄膜应变计。本发明通过控制磁控溅射所得铟锡氧化物薄膜的择优取向，实现铟锡氧化物薄膜应变计在200℃以下的温度稳定性。
应变计薄膜铟锡氧化物晶面铟锡氧化物薄膜磁控溅射温度稳定性体心立方择优取向铁锰矿多晶应用

[发明专利]一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物薄膜材料的制备方法-CN201610854436.6有效
发明人： 丁万昱;吕智轩;刘金东;王登尧 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层领域。所述制备方法为：利用磁控溅射的方法得到具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物薄膜材料，所述磁控溅射的功率密度为4.8‑8.0W/cm²。本发明通过控制磁控溅射过程中铟锡氧化物靶表面磁控溅射的功率密度，得到具有不同择优取向的铟锡氧化物薄膜材料，实现铟锡氧化物薄膜材料择优取向的可调控。
铟锡氧化物薄膜磁控溅射晶面制备择优取向铟锡氧化物靶表面加工体心立方涂层领域可调控铁锰矿多晶

[实用新型]一种嵌入多层PCB板的薄膜热电偶温度传感器-CN201820341260.9有效
发明人：崔云先;牟瑜;刘秋雨;杨琮;李东明;丁万昱 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种嵌入多层PCB板的薄膜热电偶温度传感器，所述薄膜热电偶传感器包括：沉积于所述经过清洗、抛光的单层覆铜板上的薄膜热电偶以及与所述镀有薄膜热电偶的单层覆铜板进行压合以构成薄膜热电偶传感器保护板的单层覆铜板，其中薄膜热电偶包括沉积于单层覆铜板上的绝缘薄膜、沉积于绝缘薄膜上的沿热电偶轴线对称分布的矩形薄膜热电极一、沿热电偶轴线对称分布的一端与两个薄膜热电极一均相互搭接的T型薄膜热电极二以及保护薄膜构成。本实用新型实现了对PCB板各层温度的实时准确测量；其具有响应迅速、定位准确方便、测量精度高等优点。
薄膜热电偶单层覆铜板沉积本实用新型温度传感器多层PCB板绝缘薄膜轴线对称热电极热电偶嵌入传感器保护板薄膜热电保护薄膜定位准确矩形薄膜准确测量传感器抛光搭接压合清洗测量响应

[发明专利]一种氮掺杂二氧化钛薄膜材料的制备方法-CN201610180065.8有效
发明人： 丁万昱;刘金东 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮掺杂二氧化钛薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层领域，所述制备方法为利用氮离子束将氮元素掺杂注入二氧化钛薄膜表面，得到氮掺杂二氧化钛薄膜材料；所述二氧化钛薄膜的晶体结构为非晶、多晶或非晶与多晶的混合，本发明有益效果为：通过调节二氧化钛薄膜材料的结晶程度、掺杂注入时间等参数，制备出具有不同氮元素掺杂量和掺杂状态的氮掺杂二氧化钛薄膜材料，实现氮元素掺杂量和掺杂状态的可调控。
一种掺杂氧化薄膜材料制备方法

[实用新型]一种薄膜热电偶标定专用隔离夹持装置-CN201820387008.1有效
发明人：崔云先;杨琮;牟瑜;刘秋雨;李东明;丁万昱 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G01K15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜热电偶标定专用隔离夹持装置，包括：炉管封盖，其固定于温度计量炉炉管上端；支架，其一端固定于所述炉管封盖表面，另一端与导筒固定连接；导筒，其中心固定对齐于所述炉管封盖表面的中心位置；滑动杆，其自所述炉管封盖伸出且上端被置于所述导筒内，并能够通过改变该滑动杆插入到温度计量炉炉管内的长度来调整待测薄膜热电偶在所述温度计量炉炉管内的位置；以及夹持结构，其被固定于所述滑动杆下端且能够调整夹持待测薄膜热电偶的力度。以及夹持结构，其被固定于所述滑动杆下端且能够调整滑动夹片位置以夹持不同尺寸待测薄膜热电偶。本实用新型具有可实现薄膜热电偶冷端和热端分离，减少外界环境对温度计量炉内温度场稳定的不利影响，避免补偿导线脱落的特点。
薄膜热电偶温度计量滑动杆炉管炉炉管导筒本实用新型封盖表面夹持结构夹持装置上端标定封盖下端隔离炉内温度场补偿导线滑动夹片外界环境中心固定对齐调整夹夹持冷端热端支架伸出

[发明专利]介孔磷酸铌催化剂的制备方法及其在山梨醇制异山梨醇中的应用-CN201510918916.X在审
发明人：于波;丁万昱;刘世民;柴卫平;文斌 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： B01J27/195 文献下载
摘要：本发明公开了一种介孔磷酸铌催化剂的制备方法及其在山梨醇制异山梨醇中的应用。采用软模板表面活性剂辅助水热法合成的介孔磷酸铌催化剂，并利用该催化剂可在较低的温度下进行山梨醇脱水反应，山梨醇的转化率可达100％，异山梨醇的选择性在50％以上。该催化剂具有稳定性好、易合成、可再生、酸量可控等优点。
磷酸催化剂制备方法及其山梨醇制异中的应用

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