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- [实用新型]一种调节器的电路结构-CN202020168467.8有效
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苏毅民
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广东汇之华电气有限公司
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2020-02-13
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2020-08-11
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H03K17/735
- 本实用新型公开了一种调节器的电路结构，包括：控制器，选择开关，可控硅组，所述可控硅组由至少两个可控硅并联而成，在可控硅组中，可控硅的控制端分别对应与选择开关的输出端连接，所述选择开关的输入端与控制器的第一输出端连接，所述控制器的第二输出端与选择开关的控制端连接，所述控制器通过其的第二输出端控制选择开关做出选择，所述控制器通过其的第一输出端输出可控硅组的控制信号。通过控制器切换选择第一可控硅和第二可控硅，可以使得第一可控硅和第二可控硅轮流使用，从而避免第一可控硅和第二可控硅劳损，使得整个可控硅组均可以高效使用，延长整个调节器的寿命。本实用新型主要用于电力器件领域。
- 一种调节器电路结构
- [实用新型]一种高压大电流双向半导体开关-CN201922425818.9有效
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彭学文;隆众军;占志华
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深圳华科信达技术有限公司
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2019-12-30
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2020-06-16
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H03K17/735
- 本实用新型提供一种双向半导体开关，包括：n×m个双向晶闸管，n个双向晶闸管并联成双向晶闸管并联电路依次串连在电源HV1和电源HV2之间；可调直流电源U1、可调直流电源U2、限流电阻R1、驱动变压器T、开关管Q；限流电阻R1、驱动变压器T的源边线圈和开关管Q的D、S极分别依次串联在可调直流电源U1和可调直流电源U2的两端；驱动变压器T的m个副边线圈的两端分别接m个双向晶闸管并联电路中双向晶闸管的T1极和G极，副边线圈中同相端接双向晶闸管的T1极，开关管Q形成双向半导体开关的控制端。本实用新型通过多级晶闸管串联来实现高压，通过多个晶闸管并联实现大电流；通过尽可能增大触发电流、增大工作电压来保证晶闸管微秒级的开关速度。
- 一种高压电流双向半导体开关
- [发明专利]一种高压大电流双向半导体开关-CN201911389519.2在审
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彭学文;隆众军;占志华
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深圳华科信达技术有限公司
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2019-12-30
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2020-03-31
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H03K17/735
- 本发明提供一种双向半导体开关，包括：n×m个双向晶闸管，n个双向晶闸管并联成双向晶闸管并联电路依次串连在电源HV1和电源HV2之间；可调直流电源U1、可调直流电源U2、限流电阻R1、驱动变压器T、开关管Q；限流电阻R1、驱动变压器T的源边线圈和开关管Q的D、S极分别依次串联在可调直流电源U1和可调直流电源U2的两端；驱动变压器T的m个副边线圈的两端分别接m个双向晶闸管并联电路中双向晶闸管的T1极和G极，副边线圈中同相端接双向晶闸管的T1极，开关管Q形成双向半导体开关的控制端。本发明通过多级晶闸管串联来实现高压，通过多个晶闸管并联实现大电流；通过尽可能增大触发电流、增大工作电压来保证晶闸管微秒级的开关速度。
- 一种高压电流双向半导体开关
- [发明专利]复用器、查找表及FPGA-CN201380013147.8在审
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理查德·费朗
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索泰克公司
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2013-02-11
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2014-11-19
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H03K17/735
- 本发明涉及一种复用器(1000)，所述复用器(1000)至少包括：第一输入端(1051)和第二输入端(1052,1053,1054)；以及一个输出端(1041)，其经由第一通栅(1031)连接到所述第一输入端，并且经由第二通栅(1032,1033,1034)连接到所述第二输入端，其中所述第一通栅至少包括第一双栅晶体管，并且所述第二通栅至少包括第二双栅晶体管，并且所述第一双栅晶体管和所述第二双栅晶体管中的每一个具有基于第一控制信号(A)被控制的第一栅(1031A,1032A,1033A,1034A)和基于第二控制信号(B)被控制的第二栅(1031B,1032B,1033B,1034B)。本发明还涉及基于所述复用器的查找表和FPGA。
- 复用器查找fpga
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