“H01L21/324”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果670个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种用于使硅片中的大级别缺陷显现的方法和系统-CN202211523234.5在审
发明人：徐鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于硅片中的大级别缺陷显现的方法和系统，所述方法包括：使金属离子沾附在所述硅片的表面；对所述硅片进行第一热处理以使所述金属离子固溶在所述硅片中，其中，固溶的所述金属离子在所述大级别缺陷的高活跃性的作用下聚集在所述大级别缺陷处；对所述硅片进行第二热处理以使所述金属离子析出并由此在所述大级别缺陷处提供应力；对所述硅片进行第三热处理以使所述硅片中的大级别缺陷在所述应力的作用下扩展。
一种用于硅片中的级别缺陷显现方法系统

[发明专利]硅晶片的制造方法-CN201780042556.9有效
发明人：松山博行 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：硅晶片的制造方法包括：培育工序，通过切克劳斯基法培育不包含COP及位错簇团的单晶硅；OSF评价工序，对从单晶硅中获取的评价晶片的OSF的产生状况进行评价；及热处理工序，当在评价晶片中存在OSF时，在1310℃以上的条件下，对从与评价晶片相同的单晶硅中获取的硅晶片进行RTO处理，当在评价晶片中不存在OSF时，在低于1310℃的条件下，对硅晶片进行RTO处理。
晶片制造方法

[发明专利]镭射设备的能量密度的校正方法及镭射系统-CN202010236847.5有效
发明人：李坤 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种镭射设备的能量密度的校正方法及镭射系统，镭射设备的能量密度的校正方法包括：利用量测设备量测待校正的镭射设备所生产的产品的晶粒参数和条纹参数；根据量测到的晶粒参数和条纹参数计算出当前时间段内镭射设备生成的激光束的预定能量密度值；根据计算出的预定能量密度值对镭射设备生成的激光束的能量密度进行校正。利用晶粒参数和条纹参数与预定能量密度值的线性关系计算出当前时间段内所需要的预定能量密度值，根据预定能量密度值及时对激光束的能量密度进行校正，从而减少生产过程中对激光束进行能量扫描的时间，提高产能。
镭射设备能量密度校正方法系统

[发明专利]提高洁净区和氧沉淀密度的硅片快速热处理方法-CN202211631900.7在审
发明人：邝梦杰;叶绍凤 -专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高洁净区和氧沉淀密度的硅片快速热处理方法，所属半导体加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在惰性气体和H2的混合气氛中，将硅片加热到1230℃～1270℃，且惰性气体与H2的浓度比例为3～1:1。第二步：将硅片在1270℃条件下保温30秒及以上。第三步：降温时，高温阶段的降温速率保持稳定的数值进行降温650度～700度，接着再持续降温至常温。通过控制洁净区厚度，提高吸杂区域的氧沉淀密度,同时降低表面的COP密度。
提高洁净沉淀密度硅片快速热处理方法

[发明专利]一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备及其工艺-CN202210428801.2有效
发明人：王黎明 -专利权人：江苏晟驰微电子有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备及其工艺，包括安装台、控制箱和移动台，所述安装台的顶部安装有控制箱，所述安装台的顶部安装有安装箱，且安装箱位于控制箱的一侧，所述安装箱的内部安装有退火箱，所述退火箱的底部内壁上对称开设有滑槽，所述退火箱的底部内壁上通过滑槽安装有移动台，所述移动台的顶部安装有第一安装板，所述第一安装板的顶部开设有固定槽，所述固定槽的内壁上安装有转动轴，所述转动轴的顶部安装有支撑板，所述退火箱的内壁上安装有通气盒。本发明中将需要进行退火的三极管一端放在固定槽中，一端靠在支撑板上并通过限位板进行限位，从而使该三极管在进行移动时更加稳定。
一种用于三极管器件制造退火设备及其工艺

[发明专利]一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法-CN202210051840.5有效
发明人：王蓉;沈典宇;皮孝东;李佳君;王芸霞;刘小平;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。
一种提高碳化硅薄膜少子寿命方法

[实用新型]工装及碲镉汞热处理设备-CN202222917255.7有效
发明人：赵倩;王鑫;李想;游阿峰;许军 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：提供一种工装及碲镉汞热处理设备。工装用于碲镉汞闭管热处理，包括第一保温隔热半体、第二保温隔热半体以及紧固件；第一保温隔热半体具有第一侧面、第一外周面以及第一凹槽，第二保温隔热半体具有第二侧面、第二外周面以及第二凹槽，第一侧面和第二侧面彼此面对，第一外周面和第二外周面形成完整的圆外周面；第一凹槽和第二凹槽彼此配合并形成收容部，收容部用于供碲镉汞热处理设备的测温收容管和样品架支撑管穿设；紧固件用于将第一保温隔热半体和第二保温隔热半体紧固在一起；其中，紧固在一起的第一保温隔热半体和第二保温隔热半体用于置入在碲镉汞热处理设备的石英管的露出在碲镉汞热处理设备的密封阀和退火腔体的端部之间的部分处。
工装碲镉汞热处理设备

[发明专利]热处理装置的控制方法和热处理装置的控制装置-CN202210846835.3在审
发明人：木下盛善 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供能够使装载区域中的氧浓度的管理的精度提高的热处理装置的控制方法和热处理装置的控制装置。热处理装置的控制方法为由热处理装置的控制装置进行的控制方法，所述热处理装置包括：加热炉，其能够对被处理体实施热处理；和装载区域，其能够在将保持所述被处理体的晶舟送入所述加热炉之前或者将所述晶舟从所述加热炉送出之后收纳所述晶舟，所述热处理装置的控制方法的特征在于：当接收到将所述被处理体从所述加热炉送出的指示时，检测所述装载区域内的氧浓度，在所述氧浓度为规定的阈值以上时输出警报。
热处理装置控制方法

[发明专利]一种退火设备及退火方法-CN202110861179.X在审
发明人：张辉;杨晖;金贤胜 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种退火设备及退火方法，所述退火设备包括用于承载超导量子芯片的承载台，所述超导量子芯片包括至少一个具有约瑟夫森结的量子比特，还包括喷气组件，用于将具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流发射至所述约瑟夫森结以实现对所述约瑟夫森结的退火处理，本发明提供的退火设备设置有可喷射出具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流的喷气组件，所述气流通过喷气组件喷射在约瑟夫森结上，对约瑟夫森结进行加热，从而改变量子比特的频率，本发明提供的退火设备采用具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流作为热源，对约瑟夫森结进行退火操作，从而实现对量子比特的频率参数进行调节的目的。
一种退火设备方法

[发明专利]一种晶圆控片的快速热处理方法-CN201910511285.8有效
发明人：温育杰;叶李欣;吴小贤;蒋磊 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆控片的快速热处理方法，涉及半导体器件制造技术领域。本方法至少包括以下步骤：提供第一晶圆控片；对所述第一晶圆控片进行第一次快速热处理；对经过第一次快速热处理后的所述第一晶圆控片进行第二次快速热处理，以取得第一电阻值趋势曲线；依据所述第一电阻值趋势曲线，取得所述预设电阻值趋势曲线；依据所述第一电阻值趋势曲线及预设电阻值趋势曲线，取得所述第一晶圆控片的标准快速热处理温度条件。本发明通过对晶圆控片进行两阶段的快速热处理，解决了现有技术所导致的晶圆控片表面边缘区域的电阻值再现性差、晶圆控片表面电阻值偏离目标值的问题。
一种晶圆控片快速热处理方法

[实用新型]一种能够提高热量利用率的退火炉-CN202222608301.5有效
发明人：林顺高;黄金国;吴兰珍;旷利明 -专利权人：厦门富力或姆光电技术有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够提高热量利用率的退火炉，包括炉柜主体和高温烟道排气管，所述炉柜主体的上方右侧后端设置有辅助组件，所述出气口的内部安装有闭气阀一，所述高温烟道排气管设置于出气口的上方，所述高温换热器主体的左侧设置有进气组件。该能够提高热量利用率的退火炉，通过辅助组件、高温烟道排气管、高温换热器主体和进气组件，有利于提高该装置的热量利用率，从而也节约了该装置的燃料使用量，并且固定件、限位组件和把具，有利于操作人员较为便捷式的安拆保温板，此操作较为便捷，从而提高操作人员更换保温板的工作效率，同时矩形槽块、储存箱体和限位块，有利于对必需品或者物品进行储存，便于操作人员需使用时能够直接拿取。
一种能够提高热量利用率退火炉

[实用新型]基于扫描转镜的晶圆激光退火设备-CN202221574442.3有效
发明人：骆公序;汪于涛;王丽;王浩;钱鹏 -专利权人：上海市激光技术研究所
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本实用新型具体涉及一种基于扫描转镜的晶圆激光退火设备，包括激光器、扩束镜、偏振元件、反射镜、光束整形器、扫描转镜、远心场镜、运动平台、晶圆载台、相机系统和计算机，运动平台包括具有不同运动方向的第一运动平台、第二运动平台和第三运动平台，第一运动平台底部活动安装有底座，第二运动平台位于第一运动平台顶部，第三运动平台位于第二运动平台上，晶圆载台安装在第三运动平台上。底座上设置有承载结构机械结构平面，激光器发出的光束经扩束镜扩束后通过偏振元件然后经过反射镜射入所述光束整形器整形，光束通过扫描转镜进行方向偏移后通过远心场镜入射到晶圆表面。激光器、扫描转镜、运动平台、晶圆载台和相机系统与计算机电连接。
基于扫描激光退火设备

[发明专利]一种减少GaN单晶衬底裂纹以及表面损伤层的制备方法-CN202211361422.2在审
发明人：俞娇仙;李秋波;张雷;马景云;王守志;王国栋;刘光霞 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明属于半导体晶体处理技术领域，尤其涉及一种减少GaN单晶衬底裂纹以及表面损伤层的制备方法，包括以下步骤：晶锭退火→晶锭切割→晶片研磨抛光→晶片退火→晶片精抛。本发明在晶锭切割前以及晶片精抛前引入高温退火工艺，提供一种减少GaN单晶衬底裂纹以及表面损伤层的制备方法，通过退火工艺消除晶片表面的加工损伤，提高晶片质量，由此方法获得晶片可以直接用于半导体工艺。退火除了对晶片表面状态进行改善，还对晶体中大量的结构缺陷进行调控均匀化，以获得理想状态的晶片，方便后续应用于器件制作中。该方法不仅可以应用于GaN晶体，还可以应用于其他大多数化合物半导体的晶体处理上，且操作方便，设备简单，具有很大的适用性和可行性。
一种减少 gan 衬底裂纹以及表面损伤制备方法

[发明专利]一种快速退火的方法-CN202211115107.1在审
发明人：罗昊;姚科新;黄春峰;曹锦伟;李仕权 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速退火的方法，其退火方法包括以下步骤：S1、首先可将立式退火炉的顶部和侧面以及门体向下位置依次进行同时开设多个风道，并且进行通风管道的安装和对接排布，并对管道进行实时测试实现贯通通风，通过对风道重新布局进行实时调控温度；S2、然后在相应的风道内侧安装相应的通风排风装置，将通风排风装置通过导线外界电源和控制开关，并且将通风排风装置与外部相应的风力调节控制器进行实时电性连接；S3、最好可根据实际排风通风的需要进行实时控制调节通风排风装置运行功率。本发明实现了硅片快速降温的效果，有助于更高效的生产，退火更充分，同时使硅片电阻率更加稳定。
一种快速退火方法

[发明专利]降低氮化镓器件台面隔离漏电流的方法-CN202011642789.2有效
发明人：康玄武;赵志波;郑英奎;魏珂;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本公开提供了一种降低氮化镓器件台面隔离漏电流的方法，包括：制备氮化镓器件，自下而上顺次包括衬底、外延结构层和电极层；采用ICP刻蚀氮化镓器件的外延结构层，形成台面结构；在快速退火炉中进行退火处理，修复刻蚀损伤；退火处理时，选用气体为O2、N2、Ar中的一种或几种，温度范围为300℃～550℃，退火所用时间范围为60s～180s。本公开工艺简单，降低漏电流效果明显，能够显著提升器件的电学性能。
降低氮化器件台面隔离漏电方法