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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]透过型光电阴极和电子管-CN201880050505.5有效
发明人：永田贵章;石上喜浩;浜名康全 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：透过型光电阴极具备：光透过性基板，其具有入射光的第一表面以及出射从第一表面侧入射的光的第二表面；光电变换层，其被设置于光透过性基板的第二表面侧，并且将从第二表面被出射的光转换为光电子；光透过性导电层，其由设置于光透过性基板和光电变换层之间的单层的石墨烯构成；以及具有光透过性的热应力缓和层，其被设置于光电变换层和光透过性导电层之间。热应力缓和层的热膨胀系数比光电变换层的热膨胀系数小，并且比石墨烯的热膨胀系数大。
透过光电阴极电子管

[发明专利]电子倍增体-CN201880035055.2有效
发明人：增子太地;浜名康全;西村一;渡边宏之 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01J43/24 文献下载
摘要：本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板和由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层由单一的金属层构成，该单一的金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置而成的单一的金属层。
电子倍增

[发明专利]电子倍增体-CN201880035018.1有效
发明人：增子太地;西村一;浜名康全;渡边宏之 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01J43/24 文献下载
摘要：本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，由在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地形成的Pt层来构成被基板和二次电子放出层夹着的电阻层，由此该电阻层实现以下范围内的温度特性：相对于温度20℃的电阻值，‑60℃的电阻值为10倍以下且+60℃的电阻值为0.25倍以上。
电子倍增

[发明专利]电子倍增体-CN201880035027.0有效
发明人：增子太地;西村一;浜名康全;渡边宏之 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01J43/24 文献下载
摘要：本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中，被基板与由绝缘材料构成的二次电子放出层夹着的电阻层包含金属层，该金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着该第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置的金属层，并且该金属层的厚度被设定为5～40埃。
电子倍增

[发明专利]荧光体面板的制造方法、荧光体面板、图像增强器和扫描型电子显微镜-CN201980092544.6在审
发明人： 浜名康全;渡边宏之;嶋野贤志;西泽宽仁 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：荧光体面板的制造方法包括：在出射窗上形成具有多个荧光体颗粒的荧光体层的工序；在荧光体层上形成有机膜的工序；在有机膜上形成金属反射膜的工序；通过烧成除去有机膜的工序；以及通过原子层沉积法形成一体地覆盖金属反射膜的表面和荧光体颗粒的表面的氧化物膜的工序。
荧光体面制造方法图像增强扫描电子显微镜

[发明专利]微通道板和电子倍增体-CN201880014730.3有效
发明人：永田贵章;浜名康全;西村一;增子太地 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01J43/24 文献下载
摘要：一种微通道板，其具备：具有正面、背面和侧面的基体；从基体的正面贯通至背面的多个通道；至少在通道的内壁面上设置的第一膜；在第一膜上的至少一部分设置的第二膜；和在基体的正面上和背面上分别设置的电极层。第一膜由MgO形成，第二膜由SiO2形成，第二膜的厚度比第一膜的厚度薄。
通道电子倍增

[发明专利]微通道板及电子倍增体-CN201680050641.5有效
发明人：永田贵章;浜名康全;西村一;中村公嗣 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01J43/24 文献下载
摘要：一种微通道板(10)，其具备：基体(11)，其具有输入面(11a)及输出面(11b)；多个通道(12)，其从基体的输入面贯通至输出面；电子发射膜(14)，其设置于通道的内壁面(12a)；保护膜(15)，其设置于电子发射膜上；输入电极(16)及输出电极(17)，其分别设置于基体的输入面上及输出面上。电子发射膜由Al
通道电子倍增

[发明专利]光电阴极-CN201610216950.7有效
发明人：松井利和;浜名康全;中村公嗣;石上喜浩;小栗大二郎 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
光电阴极

[发明专利]透过型光电阴极-CN201480058539.0有效
发明人：永田贵章;浜名康全;中村公嗣 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：透过型光电阴极(2)包括光透过性基板(4)，其具有光入射的外侧面(4a)和出射从外侧面(4a)侧入射的光的内侧面(4b)；设置在光透过性基板(4)的内侧面(4b)侧、将从内侧面(4b)出射的光转换为光电子的光电转换层(5)；和设置在光透过性基板(4)和光电转换层(5)之间的由石墨烯构成的光透过性导电层(6)。
透过光电阴极

[发明专利]光电阴极-CN201410085728.9有效
发明人：松井利和;浜名康全;中村公嗣;石上喜浩;小栗大二郎 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
光电阴极

[发明专利]电子管-CN201380046330.8有效
发明人：永田贵章;浜名康全;中村公嗣 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01J43/00 文献下载
摘要：在本发明所涉及的电子管(1)中，相对于绝缘性基板(12)的基体(14)的保持面(12a)形成具有电绝缘层以及导电层的层叠结构的电阻膜(15)。该电阻膜(15)通过使用原子层沉积法从而成为具有所希望的电阻值的牢固而且致密的膜，并且能够抑制由绝缘性材料构成的基板(14)的带电。由此，就能够稳定地确保耐电压特性。
电子管

[发明专利]电子管-CN201380046343.5有效
发明人： 浜名康全;永田贵章;中村公嗣 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01J5/10 文献下载
摘要：在本发明所涉及的电子管(1)中，具有电绝缘层以及导电层的层叠结构或者电绝缘材料以及导电材料的混合结构的电子膜(31)是以通过使用原子层沉积法从而覆盖第2外壳层12的内壁面以及外壁面的整体形式被形成的。通过使用原子层沉积法从而无须含有如粘合剂那样的材料就能够将具有所希望的电阻值的牢固而且致密的电阻膜(31)形成于绝缘面上。然后，通过使电阻膜(31)具有一点点导电性从而就能够抑制发生由于绝缘面的带电等引起的耐压不良，并且能够实现耐电压特性的稳定化。
电子管

[发明专利]光电阴极-CN200880129779.X有效
发明人：松井利和;浜名康全;中村公嗣;石上喜浩;小栗大二郎 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
光电阴极

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