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[发明专利]一种高软化点聚硼硅氮烷的制备方法-CN201310301811.0有效
发明人：邵长伟;王浩;王军;宋永才;王应德;简科;苟燕子 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种高软化点聚硼硅氮烷的制备方法，包括以下步骤：（1）将具有搅拌、测温、加料、通气、出料和蒸馏装置的反应釜置换氮气；（2）按摩尔比1:0.5-3:6-12的比例称取氯代硅烷、二烷基硼吖嗪、七甲基二硅氮烷；（3）将氯代硅烷、二烷基硼吖嗪加入反应釜中，并将反应釜冷却至零下5-55℃；再将七甲基二硅氮烷以0.01-0.2升/分钟的速度加入反应器中，保持搅拌；（4）加料完毕后，将反应器加热至250-350℃常压蒸馏6-48小时；（5）常压蒸馏完毕后，将反应器温度降低10-60℃减压蒸馏0.3-3小时。本发明所合成的聚硼硅氮烷软化点大于180℃，陶瓷产率大于60%，可制备高性能的陶瓷纤维和陶瓷基体。
一种软化点聚硼硅氮烷制备方法

[发明专利]一种聚锆硼硅氮烷先驱体的制备方法-CN201310302011.0无效
发明人：邵长伟;王浩;王军;谢征芳;宋永才;苟燕子 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种聚锆硼硅氮烷先驱体的制备方法，包括以下步骤：（1）按摩尔比1:0.1-10:0.1-10:3-30的比例称取有机锆化合物、硼卤烷、卤硅烷、小分子二硅氮烷；（2）将硼卤烷、卤硅烷分别溶解在有机溶剂中；（3）将有机锆化合物加入反应器中，抽真空、充干燥氮气，并将反应器预冷；（4）将溶有硼卤烷的有机溶剂、溶有卤硅烷的有机溶剂加入到反应器中，再将小分子二硅氮烷以滴加的方式加入到反应器中；（5）滴加完毕后，将反应器加热至150-500℃，保温2-30小时；（6）将反应器温度降至120-350℃减压蒸馏，冷却至室温。本发明制得的聚锆硼硅氮烷先驱体特别适合于制备超高温陶瓷材料。
一种聚锆硼硅氮烷先驱制备方法

[发明专利]一种耐高温杂化硅氮烷树脂及其制备方法-CN201310256204.7无效
发明人：周权;陈明锋;王美贤;倪礼忠;王庚超 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐高温杂化硅氮烷树脂及其制备方法。该树脂以二乙炔基苯、二氯硅烷、氨基苯乙炔为主要原料，在惰性气体保护下，采用格氏试剂的方法制备得到耐高温杂化硅氮烷树脂氨基苯乙炔封端聚(二乙炔基苯-硅烷)。通过调节二乙炔基苯与二氯硅烷、二氯硅烷与氨基苯乙炔的摩尔比，可以很好的控制聚合物的分子量、交联密度、结构中硅或氮的含量，从而达到聚合物性能可控的目的。该树脂易溶于常见的有机溶剂，常温下粘度适中，具有良好的储存稳定性，适用于制备高性能复合材料基体、陶瓷先驱体、耐烧蚀材料、耐高温涂层和光电材料，应用前景广阔。
一种耐高温杂化硅氮烷树脂及其制备方法

[发明专利]泡沸的无卤素的基于硅-磷-氮的聚合物阻燃剂-CN201080071104.1有效
发明人： J.L.朱;G.J.陈;J.乔;K.C.H.苏;P.魏;C.王 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明提供泡沸的无卤素的聚合的硅-磷-氮(SPN)阻燃剂，制备它们的方法，以及其中引入它们的体系、组合物和制品。与常规基于磷和氮的阻燃组合物相比，本发明的泡沸的无卤素SPN聚合物组合物在较低的含量提供良好的阻燃性能。
卤素基于聚合物阻燃

[发明专利]一种陶瓷先驱体无碳聚硼硅氮烷及其合成方法-CN201110004937.2有效
发明人：李斌;张长瑞;曹峰;王思青;李俊生;宋阳曦 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷先驱体无碳聚硼硅氮烷及其合成方法。无碳聚硼硅氮烷是同时含有Si-N键和B-N键的聚合物，裂解后得到纯净的硅氮硼陶瓷。本发明所得的无碳聚硼硅氮烷粘度低，流动性好，适用于先驱体浸渍—裂解工艺；陶瓷产率高达83%，裂解产物为纯净的硅氮硼陶瓷，适用于制备高温透波材料；本发明中的无碳聚硼硅氮烷的合成方法，操作简单，反应缓和稳定，可控性强。
一种陶瓷先驱体无碳聚硼硅氮烷及其合成方法

[发明专利]一种Si-C-N陶瓷先驱体的制备方法-CN201210147324.9有效
发明人：姚菊明;王元前;刘琳;陈建军 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si-C-N陶瓷先驱体的制备方法。将含硅的氯硅烷溶解在与水不互溶的有机溶剂中，经含-NH-的化合物的碱水溶液氨解，油相与水相分离，在有机溶剂的沸点温度旋转蒸发油相，得到液态聚硅氮烷；将液态聚硅氮烷置于三口烧瓶中，在N2、Ar或真空气氛保护下,于50~250℃持续固化反应12~72h，所得固态产物即为Si-C-N陶瓷先驱体。本发明采用界面聚合，避免了副产物对聚硅氮烷提纯与产率的影响，简化反应工序、缩短了反应时间；反应过程易于控制，合成产率高达90%，产物纯度高，热解产物具有优异的耐高温性能和抗氧化性能。
一种 si 陶瓷先驱制备方法

[发明专利]制备架藏稳定的可固化聚硅氮烷的方法及由此制得的聚硅氮烷-CN201080059137.4无效
发明人：杨宇;乔治·G·I·莫尔 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明公开一种制备可固化低聚和/或聚合的聚硅氮烷的方法，所述方法包括：（a）通过使至少一种二卤硅烷与至少一种碱反应，形成至少一种二卤硅烷-碱加合物；（b）任选地，合并至少一种二卤硅烷-碱加合物与至少一种有机二卤硅烷；和（c）进行至少一种二卤硅烷-碱加合物的氨解或至少一种二卤硅烷-碱加合物与至少一种有机二卤硅烷的所得组合的氨解；前提条件是，（1）使用低于或等于二卤硅烷中硅-卤键的化学计量量的两倍的有限量的碱来形成二卤硅烷-碱加合物或（2）使用超过该有限量的碱来形成二卤硅烷-碱加合物并在氨解之前将所得反应和未反应的碱的总量减至不多于该有限量。
制备稳定固化聚硅氮烷方法由此

[发明专利]含有机硅的三聚氰胺氰尿酸盐阻燃剂及制备方法-CN201210107942.0有效
发明人：楼斯悦;吴荔荔 -专利权人：浙江华亿工程设计有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明属于阻燃剂的制备领域，公开了一种含有机硅的三聚氰胺氰尿酸盐（MCA）阻燃剂及制备方法，该阻燃剂由苯基三氯硅烷和三聚氰胺氰尿酸盐（MCA）缩聚而成。本发明的阻燃剂在同一分子中含有能起协同阻燃作用的硅、氮两种元素，具有更好的协同阻燃效应。由于该阻燃剂在MCA上联上了含硅苯基，疏水性能很好，增强了阻燃剂与高分子基体的相容性，不易产生阻燃剂的迁移现象，使高分子材料具有了持久的阻燃性能，还可改善阻燃高分子材料的机械力学性能和加工性能。
有机硅三聚氰尿酸阻燃制备方法

[发明专利]一种含氮的有机硅阻燃剂及其制备方法-CN201110022612.7无效
发明人：楼斯悦;袁益中 -专利权人：浙江华亿工程设计有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种含氮的有机硅阻燃剂及其制备方法，该阻燃剂由苯基三氯硅烷和三聚氰胺缩聚制成。本发明阻燃剂集硅、氮两种元素与同一分子中，阻燃协同效应比用氮系阻燃剂与硅系复配阻燃剂的协同阻燃效应更好；由于该阻燃剂中联上了含硅苯基，因此疏水性能很好，增加了阻燃剂与聚合物基体的相容性，使高分子材料获得持久的阻燃性能，还可使阻燃聚合物的机械性能和加工性能得到明显改善。
一种有机硅阻燃及其制备方法

[发明专利]聚硅烷-聚硅氮烷共聚物及其制备和使用方法-CN201080048280.3无效
发明人：韦·陈;E·S·梅尔;B·T·源;S·王;马克·A·瓦努斯;周晓兵 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：聚硅烷-聚硅氮烷共聚物包含式(Ⅰ)的聚硅烷单元和式(Ⅱ)的聚硅氮烷单元，其中每个R¹和每个R²各自独立地选自H、Si和N原子，R³选自H、Si或C原子，a≥1，b≥1，且值(a+b)≥2。该聚硅烷-聚硅氮烷共聚物可与溶剂一起被配制在组合物中。该聚硅烷-聚硅氮烷共聚物可用于填充沟槽的PMD和STI应用，其中所述沟槽具有100nm或更小的宽度和至少(6)的高宽比。可通过用伯胺胺化每个分子具有(2)个或更多个硅原子的全氯聚硅烷制备该聚硅烷-聚硅氮烷共聚物。
硅烷聚硅氮烷共聚物及其制备使用方法

[发明专利]绝缘膜形成用涂布液、使用该涂布液的绝缘膜及该涂布液中使用的化合物的制造方法-CN201080044829.1无效
发明人：原宪司;小林纯;横田洋大;森田博;斋藤诚一 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2010-10-01 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明提供在水蒸气中的焙烧工序中的收缩小、不易发生二氧化硅覆膜的龟裂或与半导体基板的剥离的绝缘膜形成用涂布液、使用该涂布液的绝缘膜及该涂布液中使用的化合物的制造方法。该绝缘膜形成用涂布液具有无机聚硅氮烷和有机溶剂，在所述无机聚硅氮烷的1H-NMR谱中，来自SiH1基和SiH2基的4.5～5.3ppm的峰面积与来自SiH3基的4.3～4.5ppm的峰面积之比为4.2～50。绝缘膜使用上述绝缘膜形成用涂布液而得到。无机聚硅氮烷是通过使二卤代硅烷化合物、三卤代硅烷化合物或它们的混合物与碱反应形成加合物后，使加合物的溶液或分散液与氨在-50～-1℃下反应而得到的。
绝缘形成用涂布液使用涂布液涂布液中化合物制造方法

[发明专利]用于制备可固化的有机氟改性聚硅氮烷的组合物和方法以及由此制备的聚硅氮烷-CN201080029784.0有效
发明人：杨宇;乔治·G·I·莫尔;托马斯·P·克伦 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种用于制备可固化的有机氟改性聚硅氮烷的组合物包含：(a)至少一种可固化的低聚或聚合的聚硅氮烷，其包含至少一个化学活性部位；和(b)至少一种含氟化合物，其包含(1)至少一个有机氟或杂有机氟部分，和(2)至少一个能够与可固化的低聚或聚合的聚硅氮烷通过该聚硅氮烷的至少一个化学活性部位起反应的官能团。该可固化的有机氟改性聚硅氮烷可通过将该组合物的各组分进行组合并让或促使各组分反应来制备。
用于制备固化有机改性聚硅氮烷组合方法以及由此

[发明专利]一种液态聚硼硅氮烷的制备方法-CN201010618477.8无效
发明人：余兆菊;周聪;李然;詹俊英;杨乐;涂惠彬;廖志楠;何国梅;夏海平;陈立富;张立同 -专利权人：厦门大学
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种液态聚硼硅氮烷的制备方法。属于无机非金属材料领域，包括以下步骤：在惰性气氛保护下，将液态聚硅氮烷和9-硼杂双环[3，3，1]壬烷加入溶剂中得混合溶液，将所得混合溶液在搅拌条件下进行硼氢化反应，反应结束后除去溶剂即得液态聚硼硅氮烷。解决了现有的聚合物路线中硼氢加成反应易导致过度交联、聚硼硅氮烷为固态和流动性较差的问题。所制备的液态聚硼硅氮烷具有良好的流动性，陶瓷产率高，可直接用于高聚物浸渍裂解法制备SiBCN陶瓷基复合材料。
一种液态聚硼硅氮烷制备方法

[发明专利]一种用于制作精细陶瓷构件的先驱体聚合物及其合成方法-CN201010300644.4无效
发明人：李义和;李效东;金东杓;方庆玲 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2010-01-25 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制作精细陶瓷构件的先驱体聚合物及其合成方法。利用光学活性化合物中异氰酸根(-NCO)和硅氮烷先驱体上仲胺基团之间没有任何副产物生成的洁净化学反应，把光交联基团链接到聚硅氮烷分子骨架上，使所合成的先驱体光学活性有很大提高。采用先驱体转化法，将双光子吸收三维立体刻蚀技术应用于三维陶瓷微细结构的程序化设计制作，如微流控芯片复杂陶瓷构件的加工等。本发明所合成的先驱体光学活性有很大提高，使光交联固化速度有了急剧提高，其固化时间从通常的100min以上锐减到1s以内，这种先驱体自身和模具不会发生粘连、溶胀，给后继的脱模工作带来很大便利，使所制作的微流控构件结构的精度大大提高。
一种用于制作精细陶瓷构件先驱聚合物及其合成方法

[发明专利]经全氟聚醚改性的聚硅氮烷以及使用其的表面处理剂-CN200910160717.1无效
发明人：山口浩一;木下博文 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-07-17 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种经全氟聚醚改性的聚硅氮烷，其仅由式(1)F(C_xF_2xO)_mC_yF_2y-Q-Si(NH)_1.5(式中，Q为2价有机基团，m为1以上整数，x和y分别为1～3的整数)表示的单元组成，本发明的经全氟聚醚改性的聚硅氮烷在常温下即可固化，可以在基体材料表面无底涂层的情况下形成坚固被膜，该被膜可被用于可长期保持防水防油性、脱模性等良好性能的表面处理剂。
经全氟聚醚改性聚硅氮烷以及使用表面处理