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- [发明专利]镁钽酸锆钛酸铅陶瓷的掺杂改性方法-CN200810046691.3有效
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郝华;刘韩星
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武汉理工大学
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2008-01-16
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2008-07-09
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C04B35/634
- 本发明涉及一种陶瓷材料的掺杂改性方法。镁钽酸锆钛酸铅陶瓷的掺杂改性方法，其特征在于它包括如下步骤：1)选取MgO和Ta2O5原料，合成MgTa2O6；2)按表达式为(1－x－y)Pb(Mg1/3Ta2/3)O3－yPbZrO3－xPbTiO3中Pb、Mg、Zr、Ti的摩尔比，其中，0.3≤x≤0.5，0.1≤y≤0.3，选取Pb3O4、MgTa2O6、ZrO2和TiO2原料，在850℃～1050℃预烧2小时；球磨、烘干制得陶瓷粉末；3)陶瓷粉末掺杂MnO2，MnO2的掺入量为陶瓷粉末质量的0.2～1.0％，球磨，烘干得到掺杂陶瓷粉末；4)掺杂陶瓷粉末中加入粘结剂，粘结剂的加入量为掺杂陶瓷粉末质量的3％，压片，于600℃保温2小时，然后升温至1200～1300℃，保温1～3小时烧结，得到陶瓷片。该掺杂改性方法能提高陶瓷材料的机械品质因子，降低损耗。
- 镁钽酸锆钛酸铅陶瓷掺杂改性方法
- [发明专利]Li4SiO4陶瓷球的制备工艺-CN200710111255.5有效
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尹邦跃;牛恺
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中国原子能科学研究院
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2007-06-20
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2007-10-31
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C04B35/634
- 本发明公开了一种Li4SiO4陶瓷球的制备工艺，它包括下列步骤：(1)将Li2CO3、SiO2原料按Li/Si摩尔比为3∶1～5∶1混合，在800～1000℃，恒温进行固相合成反应，球磨、过筛；(2)在步骤(1)制备的Li4SiO4粉末中加入微晶纤维素、聚乙烯醇和乙醇，在挤出速度为30～100rpm、打断速度为500～2000rpm、滚圆速度为200～1000rpm的条件下进行挤出－滚圆法成型造球；(3)干燥后，在850～1100℃、保温时间2～6小时进行无压烧结。该工艺简单，生产周期短、制备成本低，能很好的满足聚变堆产氚包层对直径0.5～2mm锂陶瓷球的设计要求。
- lisubsio陶瓷球制备工艺
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