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[发明专利]易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法-CN201610693174.X有效
发明人：杨万民;杨芃焘;王孝江 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块和液相源先驱块、压制第一固液隔离层和第二固液隔离层、压制Yb₂O₃支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤。本发明提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钇钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钇钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钇钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。
液相源残留单畴钇钡铜氧超导及其制备方法

[发明专利]大直径钇钡铜氧超导单畴块材的制备方法-CN200910200509.X无效
发明人：徐克西;吴兴达;左鹏翔 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明涉及一种大直径钇钡铜氧超导单畴块材的制备方法，属超导陶瓷材料制备技术领域。本发明提供了一种改进型顶部籽晶熔融织构生长大尺寸高温超导单畴块材的方法。本发明采用了一个大尺寸的钐钡铜氧(Sm-Ba-Cu-O)籽晶和一个按照特定化学组分配制而成的钇钡铜氧(Y-Ba-Cu-O)预成型坯体，将前者放置于后者的顶部上面，在高温条件下进行熔融织构法生长。本发明方法能够克服小尺寸籽晶熔融织构法生长过程中容易出现自发成核的难题，有效地实现顶部籽晶熔融织构法生长大尺寸高温超导钇钡铜氧单畴块材。
直径钇钡铜氧超导单畴块材制备方法

[发明专利]提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法-CN201310304004.4有效
发明人：杨万民;杨志娟;李佳伟;车晓燕 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：一种提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔渗生长工艺（Top Seeded Metal Oxide Infiltration and Growth，简称TS-MOIG）制备单畴钇钡铜氧块材本发明所制备的单畴钇钡铜氧超导块材磁悬浮力大，同时适用于Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材的制备。
提高单畴钇钡铜氧超导制备效率方法

[发明专利]用Y₂BaCuO₅为基体材料制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法-CN201410217403.1有效
发明人：李国政;邓建华;董磊 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种用Y₂BaCuO₅为基体材料制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，由配制Y₂BaCuO₅前驱粉、配制液相源粉、压制前驱块、装配前驱块、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。采用了Y₂BaCuO₅前驱粉压制支撑块，在钇钡铜氧块材的慢冷生长过程中，即能稳定地支撑其上的两个坯块，阻止液相的流失，又能避免因支撑块吸收部分液相而改变液相源块的初始配比本发明可用于制备钇钡铜氧超导块材，也可用于制备Gd、Sm、Nd等其他系列的高温超导块材。
sub bacuo 基体材料制备单畴钇钡铜氧超导方法

[发明专利]单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法-CN201210048104.0有效
发明人：杨万民;王妙;李国政 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法，由配制Y2BaCuO5先驱粉、配制液相源粉、压制Y2BaCuO5先驱块和液相块、压制支撑块、制备坯体、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。采用了Y2O3制备支撑块，在钇钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明可用于制备钇钡铜氧超导块材，也可用于制备Gd、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
单畴钇钡铜氧超导制备方法

[发明专利]大直径准单畴钇钡铜氧超导块材制备方法-CN200710041187.X无效
发明人：徐克西;邱静和 -专利权人：上海大学
申请日： 2007-05-24 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种大直径准单畴钇钡铜氧(YBCO)块材制备方法。它包括前驱烧结胚体制备、高温烧结中的液相流失控制、定向凝固生长烧结。利用本发明公开的制备方法，能够较容易地生长出织构化程度高的大直径准单畴钇钡铜氧(YBCO)超导块材，块材呈圆柱形，直径达53mm、高达20mm、面积达22cm²，最大磁悬浮排斥力可以达到
直径准单畴钇钡铜氧超导制备方法

[发明专利]一种单籽晶小批量制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法-CN202111402222.2在审
发明人：杨万民;武婷婷;申婷婷 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种单籽晶小批量制备单畴钆钡铜氧GdBCO超导块材的方法，包括如下步骤：步骤一、配制固相源粉；步骤二、配制液相源粉；步骤三、压制固相先驱块；步骤四、压制液相源先驱块；步骤五、压制氧化钇Y2O3传输层；步骤六、压制支撑块；步骤七、压制固相圆柱形支柱过渡层；步骤八、制备钕钡铜氧籽晶；步骤九、装配先驱块；步骤十、渗氧处理；该单籽晶制备小批量的钆钡铜氧GdBCO超导块材，不仅大大提高了单个钕钡铜氧NdBCO籽晶的利用率，也提高了钆钡铜氧GdBCO超导块材的制备效率。
一种籽晶批量制备单畴钆钡铜氧超导方法

[发明专利]一种单畴钐钡铜氧超导块材的制备方法-CN200810150939.0无效
发明人：徐晓燕;卢亚锋;冯建情;张翠萍;于泽铭;熊晓梅 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种单畴钐钡铜氧超导块材的制备方法，其特征在于采用添加了MgO粉末的钕钡铜氧作为籽晶，采用Sm₂BaCuO₅相、BaCuO₂相和CuO相按一定摩尔比配制同时添加适量CeO₂粉末，混合均匀后单轴向压制成钐钡铜氧预熔块，经粉末熔化工艺生长成为具有单畴组织的钐钡铜氧Sm－Ba－Cu－O块材，后经氧退火处理成单畴钐钡铜氧超导块材采用此方法制备钐钡铜氧超导块材的工艺重复性好，对设备的最高温度要求相对较低，且比较容易获得具有单畴组织形貌的块材样品。
一种单畴钐钡铜氧超导制备方法

[发明专利]高磁悬浮力准单畴钇钡铜氧块材的制备方法-CN200710039938.4无效
发明人：徐克西;邱静和 -专利权人：上海大学
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种高磁悬浮力准单畴钇钡铜氧(YBCO)块材的制备方法。它采用顶置籽晶的Y123/Y211混合烧结胚体，经定向凝固烧结而熔融织构生成准单畴钇钡铜氧块材，Y123/Y211混合烧结胚体中，Y123∶Y211＝1∶0.28～0.32摩尔量，定向凝固烧结时，Y123
磁悬浮力准单畴钇钡铜氧块材制备方法

[发明专利]易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法-CN201610693560.9有效
发明人：杨万民;杨芃焘 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块、压制含有圆孔的液相源先驱块、压制Y2O3圆柱形支柱、压制Yb2O3支撑块、制备钕钡铜氧籽晶、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤本发明了提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钆钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钆钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钆钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。
液相源残留单畴钆钡铜氧超导及其制备方法

[发明专利]纳米铁酸镍掺杂的钇钡铜氧超导块材的制备方法-CN201510533794.2有效
发明人：李国政 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米铁酸镍掺杂的钇钡铜氧超导块材的制备方法，由配制固相粉、配制液相源粉、压制前驱块、装配前驱块、熔渗生长钇钡铜氧单畴块材、渗氧处理步骤组成。通过在固相块中掺杂铁酸镍纳米粒子，经过高温熔渗及慢冷生长后，在钇钡铜氧超导块材内引发由Ni和Fe对YBa2Cu3O7‑δ相Cu位的元素替代，从而在超导基体中出现组分起伏和弱超导区，提高了样品的δTc型钉扎
纳米铁酸镍掺杂钇钡铜氧超导制备方法

[发明专利]制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法-CN201210506996.4有效
发明人：杨万民;王孝江;王明梓 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其采用顶部籽晶熔渗生长法通过改变固相块所用固相源粉的成份，使得整个熔渗生长过程仅需YBa2Cu3O7-δ和BaCuO2两种先驱粉，先驱粉的制备时间大大缩短，简化了实验环节、缩短了实验周期、降低了实验成本、提高了效率，而且本发明所制备的单畴钇钡铜氧超导块材磁悬浮力大，采用了液相块的尺寸与固相块的尺寸相比稍大或相等的装配方法，有利于防止液相的流失、样品的坍塌以及有利于固相与液相的充分接触
制备单畴钇钡铜氧超导方法

[发明专利]用镱基液相源熔渗生长纳米复合钇钡铜氧超导块材的方法-CN201510091849.9有效
发明人：李国政 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用镱基液相源熔渗生长纳米复合钇钡铜氧超导块材的方法，由配制固相粉、配制液相源粉、压制前驱块、装配前驱块、熔渗生长纳米复合钇钡铜氧单畴块材、渗氧处理步骤组成。通过使用Y2O3纳米粉与BaCuO2前驱粉、CeO2初始粉的混合物充当固相粉，经过高温熔渗及慢冷生长后，在钇钡铜氧超导块材内成功引入纳米级的Y2BaCuO5粒子，获得了更高的超导性能。采用了Yb2BaCuO5前驱粉与BaO、CuO初始粉的混合物充当镱基液相源粉压制液相源块，即能稳定地支撑其上的固相块，又能最大程度地为钇钡铜氧块材的生长供应液相。
用镱基液相源熔渗生长纳米复合钇钡铜氧超导方法

[发明专利]钇钡铜氧单畴超导块的多籽晶制备方法-CN200510059329.6有效
发明人：肖玲;任洪涛;焦玉磊;郑明辉 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：一种钇钡铜氧单畴超导块的多籽晶制备方法，该方法包括下述步骤：(1)采用Y_1.8Ba_2.4Cu_3.4O_y的粉末制备预成型块；(2)通过熔融织构和顶部籽晶的方法生长c轴取向的单畴结构SmBaCuO块，并定向切割即得到SmBaCuO籽晶，使籽晶的a、b轴沿正方形薄片的两条边，c轴沿薄片的厚度方向；(3)将若干个SmBaCuO籽晶以轴组成的面且等间距放置在预成型块的顶表面上，置入加热炉中，快速升温至1040℃～1045℃，保温1～2h后快速降温至1012℃～1017℃，然后以每小时0.1～1℃的速率降温至975～985℃，随后炉冷至室温，即制成钇钡铜氧单畴超导块本发明的方法，可以在较短的时间内生长出具有较大尺寸的YBaCuO单畴超导块。
钇钡铜氧单畴超导籽晶制备方法

[发明专利]一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法-CN201710161868.3有效
发明人：杨万民;杨芃焘;李佳伟;陈森林 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及到一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱环、压制固相支撑层、压制液相源先驱块、压制Yb₂O₃支撑块、制备钕钡铜氧籽晶、装配先驱块、熔渗生长单畴稀土钡铜氧超导环、渗氧处理步骤。本发明的底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴稀土钡铜氧超导环的生长；不仅大大简化了环状超导体的制备过程，避免了由块状超导体加工至环状超导体过程中样品被破坏的可能性
一种底部籽晶生长法制备单畴稀土钡铜氧超导方法及其制备

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