[发明专利]在电池片上形成电镀层的方法及其应用在审
申请号: | 202310102179.0 | 申请日: | 2023-02-08 |
公开(公告)号: | CN116065207A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 郭忠军 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | C25D5/10 | 分类号: | C25D5/10;C25D5/16;C25D7/12;H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 欧阳高凤 |
地址: | 610299 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 形成 镀层 方法 及其 应用 | ||
1.一种在电池片上形成电镀层的方法,其特征在于,包括:
采用第一阳极对电池片进行第一电镀处理,以便在所述电池片上形成电镀层待补偿层,所述电镀层待补偿层包括第一厚度区域和第二厚度区域,所述第一厚度区域环绕所述第二厚度区域设置,所述第一厚度区域的平均厚度大于所述第二厚度区域的平均厚度;
采用第二阳极对所述电池片进行第二电镀处理,以便在所述电镀层待补偿层的表面形成电镀层补偿层,且在所述第二厚度区域表面形成的所述电镀层补偿层的平均厚度大于在所述第一厚度区域表面形成的所述电镀层补偿层的平均厚度,所述电镀层包括所述电镀层待补偿层和所述电镀层补偿层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一厚度区域的厚度最小值大于所述第二厚度区域的厚度最大值;
和/或,在所述第二厚度区域表面形成的所述电镀层补偿层的厚度最小值大于在所述第一厚度区域表面形成的所述电镀层补偿层的厚度最大值。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,确定所述第一厚度区域和所述第二厚度区域的方法包括:
获取所述电镀层待补偿层的厚度分布等高线图;
在所述厚度分布等高线图中标记出需要改善厚度的区域的边界点;
根据各边界点确定需要改善厚度的区域为所述第二厚度区域,其余区域为所述第一厚度区域。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,确定所述第二阳极的方法包括:
根据所述第二厚度区域形成所述第二阳极,使所述第二阳极在所述电池片上的正投影覆盖所述第二厚度区域,且沿所述电池片移动方向,所述第二阳极的尺寸与所述第二厚度区域的尺寸相同。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其特征在于,所述第二电镀处理在所述第二厚度区域表面的电镀速率大于所述第二电镀处理在所述第一厚度区域表面的电镀速率;
和/或,所述第一电镀处理形成所述第一厚度区域的电镀速率大于所述第一电镀处理形成所述第二厚度区域的电镀速率;
和/或,所述第一电镀处理和所述第二电镀处理交替进行。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其特征在于,所述第一阳极为矩形,所述第一阳极的正投影覆盖在所述电池片上,且沿所述电池片移动方向,所述第一阳极的尺寸不大于所述电池片的尺寸。
7.一种制备电池片的方法,其特征在于,所述电池片的电镀层是采用权利要求1~6中任一项所述的方法制备得到的。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供半导体基底;
在所述半导体基底的一侧形成第一钝化层,在所述半导体基底远离所述第一钝化层的一侧形成第二钝化层;
在所述第一钝化层远离所述半导体基底的一侧形成N型掺杂层,在所述第二钝化层远离所述半导体基底的一侧形成P型掺杂层;
在所述N型掺杂层远离所述第一钝化层的一侧形成第一导电层,在所述P型掺杂层远离所述第二钝化层的一侧形成第二导电层;
在所述第一导电层远离所述N型掺杂层的一侧形成第一金属化层,在所述第二导电层远离所述P型掺杂层的一侧形成第二金属化层;
采用权利要求1~6中任一项所述的方法在所述第一金属化层的远离所述第一导电层的一侧形成所述电镀层;
和/或,采用权利要求1~6中任一项所述的方法在所述第二金属化层的远离所述第二导电层的一侧形成所述电镀层。
9.一种电池片,其特征在于,由权利要求7或8中所述的方法制备得到的。
10.一种电池组件,其特征在于,包括权利要求9所述的电池片。
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