[发明专利]晶体硅太阳能电池钝化接触电阻的精确测量方法在审
| 申请号： | 202211221599.2 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115420954A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;李林华;吴金玉 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | G01R27/08 | 分类号： | G01R27/08;G01R31/389 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 钝化 接触 电阻 精确 测量方法 | ||
【权利要求书】：
1.晶体硅太阳能电池钝化接触电阻的精确测量方法，所述的测量样品包括单晶硅层，单晶硅层上生长有功能介质薄膜，功能介质薄膜上蒸镀有条状金属银电极，条状电极的宽度计为W，其特征在于：采用激光刻蚀的方法在样品表面开出两个微槽，两个微槽之间以及微槽与银电极中心距离相等，微槽宽度与样品宽度相等，微槽深度大于功能介质薄膜厚度；随后在微槽中填入导电银浆，最后测量微槽与银电极、微槽与微槽之间的电流-电压特性，从而获得微槽与银电极之间的电阻R1、微槽与微槽之间的电阻R2；用下式(4)计算钝化接触结构的接触电阻率ρc：
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