[发明专利]一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器

权利要求书

1.一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器，其特征在于，包括堆叠的顶层金属基片和底层金属基片，顶层金属基片和底层金属基片之间堆叠有多个中间金属基片，相邻金属基片之间堆叠有介质基片；

介质基片上贯穿有金属化通孔阵列，介质基片上贯穿的金属化通孔阵列、上层的金属基片和下层的金属基片共同构成谐振腔；

相邻两谐振腔之间的金属基片上开有连接相邻两谐振腔的耦合孔组，耦合孔组包括一个缝隙孔和一个矩形孔，缝隙孔位于主模和高次模的磁场最强处，矩形孔位于高次模的电场最强处。

2.根据权利要求1所述的一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器，其特征在于，矩形孔提供预设高次模的电耦合，调节矩形孔的宽度，控制预设高次模的电偶合量；缝隙孔提供预设高次模的磁耦合，调节缝隙孔的长度，控制预设高次模的磁偶合量；矩形孔和缝隙孔均提供主模的磁耦合。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器，其特征在于，同一金属基片上的缝隙孔和矩形孔位于谐振腔的同一侧，并且与该侧的侧壁平行，矩形孔和缝隙孔从内向外依次设置，矩形孔宽度方向的中心线和缝隙孔宽度方向的中心线在同一条直线上。

4.根据权利要求3所述的一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器，其特征在于，相邻两金属基片中，一金属基片的耦合孔组与谐振腔的两个对边平行，另一金属基片的耦合孔组与谐振腔的另外两个对边平行。

5.根据权利要求1所述的一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器，其特征在于，顶层金属基片上设置有输入端口，底层金属基片上设置有输出端口。

6.根据权利要求5所述的一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器，其特征在于，输入端口和输出端口相互垂直。