[发明专利]基于近红外光谱技术的颅脑损伤监测装置

权利要求书

1.一种基于近红外光谱技术的颅脑损伤监测装置，其特征在于，包含：

箱体部分、探头部分、电源适配器以及上位机系统；

所述探头部分通过电导线与所述箱体部分相连，用于进行颅脑损伤监测；

所述电源适配器与所述箱体部分、外部的电源相连；

所述上位机系统与所述箱体部分相连，用于显示颅脑损伤监测的结果。

2.如权利要求1所述基于近红外光谱技术的颅脑损伤监测装置，其特征在于，所述探头部分包含：探头主体、两个光电传感器、双波长LED灯以及固定组件；

所述探头主体通过电导线与所述箱体部分相连，所述探头主体表面覆盖有遮光层；

所述两个光电传感器设置在所述探头主体上，且通过电导线与所述箱体部分相连；

所述双波长LED灯设置在所述探头主体上，且通过电导线与所述箱体部分相连；

所述固定组件设置在所述探头主体上，用于将所述探头主体固定于受测者的额头。

3.如权利要求2所述基于近红外光谱技术的颅脑损伤监测装置，其特征在于，所述固定组件包含：弹力绳，所述弹力绳设置在所述探头主体上，用于将所述探头主体固定于受测者的额头。

4.如权利要求2所述基于近红外光谱技术的颅脑损伤监测装置，其特征在于，所述遮光层为黑色硅胶。

5.如权利要求2所述基于近红外光谱技术的颅脑损伤监测装置，其特征在于，所述两个光电传感器以及所述双波长LED灯处于同一水平线上。

6.如权利要求5所述基于近红外光谱技术的颅脑损伤监测装置，其特征在于，所述两个光电传感器的间距为1cm，靠近所述双波长LED灯的所述光电传感器与所述双波长LED灯的间距为3cm。

7.如权利要求2所述基于近红外光谱技术的颅脑损伤监测装置，其特征在于，所述双波长LED灯的光由730nm波长和850nm波长组成。

8.如权利要求2所述基于近红外光谱技术的颅脑损伤监测装置，其特征在于，所述箱体部分包含：箱体主体、电路承载板、单片机、电压转换模块、滤波和放大模块、开关模块以及恒流源；

所述箱体主体上设有进线口以及适配器连接口；

所述电路承载板设置在所述箱体主体内，所述电路承载板与所述探头部分、所述上位机系统相连；

所述单片机设置在所述电路承载板上；

所述滤波和放大模块设置在所述电路承载板上；

所述电压转换模块设置在所述电路承载板上，且与所述电源适配器、所述单片机、所述滤波和放大模块电性连接，用于将所述电源适配器连入的电压进行转换，并将转换后的电压为所述单片机、所述滤波和放大模块进行供电；

所述开关模块设置在所述承载板上，且与所述单片机、所述双波长LED灯的一端相连，用于控制所述双波长LED灯的亮灭；

所述恒流源设置在所述电路承载板上，且与所述电源适配器、所述双波长LED灯的另一端相连。

9.如权利要求8所述基于近红外光谱技术的颅脑损伤监测装置，其特征在于，所述开关模块包含：贴片电阻以及三极管；

所述三极管的基极通过所述贴片电阻与所述单片机的一个输出端口相连，所述三极管的发射极接地，所述三极管的集电极与所述双波长LED灯的一端相连。

10.如权利要求9所述基于近红外光谱技术的颅脑损伤监测装置，其特征在于，所述三极管为NPN三极管。