[发明专利]一种氧化亚硅流动性的改性方法有效

专利信息
申请号: 202210361616.6 申请日: 2022-04-07
公开(公告)号: CN114864887B 公开(公告)日: 2023-09-22
发明(设计)人: 易旭;廖寄乔;戴朝晖;李鑫;曾鹏;卢治斌 申请(专利权)人: 湖南金硅科技有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62;H01M4/04;H01M10/0525
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 张伟
地址: 413000 湖南省益阳市益阳*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 流动性 改性 方法
【权利要求书】:

1.一种氧化亚硅流动性的改性方法,其特征在于:将疏水性氨基酸和氧化亚硅粉均匀混合后,置于保护气氛下,进行煅烧处理使疏水性氨基酸碳化,得到改性氧化亚硅粉;在改性氧化亚硅粉表面通过高温气相沉积生成碳包覆层,得到碳包覆氧化亚硅负极材料。

2.根据权利要求1所述的一种氧化亚硅流动性的改性方法,其特征在于:所述疏水性氨基酸为丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、苯丙氨酸、色氨酸、甲硫氨酸、脯氨酸中至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的一种氧化亚硅流动性的改性方法,其特征在于:所述疏水性氨基酸和氧化亚硅粉的质量之比为1:(1~10)。

4.根据权利要求3所述的一种氧化亚硅流动性的改性方法,其特征在于:所述氧化亚硅粉为D50中值为4.0~7.0μm。

5.根据权利要求1所述的一种氧化亚硅流动性的改性方法,其特征在于:所述混合采用搅拌方式,搅拌速度为300~1000rpm,搅拌时间为1~5h。

6.根据权利要求1所述的一种氧化亚硅流动性的改性方法,其特征在于:所述煅烧处理的条件为:升温速率为2.0~15.0℃/min,煅烧温度为600~800℃,煅烧时间为4h~6h。

7.根据权利要求1所述的一种氧化亚硅流动性的改性方法,其特征在于:所述高温气相沉积通过连续回转炉实现,连续回转炉主机转频为5~50Hz,下进料转频为5~50Hz。

8.根据权利要求1所述的一种氧化亚硅流动性的改性方法,其特征在于:所述高温气相沉积的条件为:以甲烷、乙炔、丙烯中至少一种作为裂解气,裂解气流量控制在2.0~5.0L/min,气相沉积温度为800~1050℃,时间为1h~4h。

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