[发明专利]一种测量薄膜电导率的方法、装置、计算机设备及介质

权利要求书

1.一种测量薄膜电导率的方法，其特征在于，包括：

计算不含薄膜样品的基底的理论太赫兹信号E_{ref 1}以及包含薄膜样品的基底的理论太赫兹信号E_{sam 1}；

根据公式：计算出理论传输函数的理论幅度值A_theo(ω)与理论相位值θ_theo(ω)；

使太赫兹信号垂直入射至不含薄膜样品的基底中，测量不含薄膜样品的基底的透射电场信号E_{ref 2}；使太赫兹信号垂直入射至含有薄膜样品的基底中，测量含有薄膜样品的基底的透射电场信号E_{Sam 2}；

根据公式：计算出实验传输函数的实验幅度值A_exp(ω)与实验相位值θ_exp(ω)；

根据理论传输函数和实验传输函数的幅度值和相位值，得到误差函数：

Δ(ω)＝(A_theo(ω)-A_exp(ω))²+(θ_theo(ω)-θ_exp(ω))²

对误差函数进行迭代，得到误差函数最小时薄膜样品的折射率n与消光系数k；

利用薄膜样品的折射率n与消光系数k计算出薄膜样品的复数电导率：

σ₁＝2nkε₀ω

σ₂＝(ε_b-n²+k²)ε₀ω。

2.如权利要求1所述的测量薄膜电导率的方法，其特征在于，

根据公式：计算不含薄膜样品的基底的理论太赫兹信号E_{ref 1}，其中，为空气复折射率，为基底的复数折射率，ω为太赫兹波角频率，d_thin为样品的厚度，d_sub为基底厚度，c为光速，为从复折射率为的空气到复柝射率为的基底的透射系数，为从复折射率为的基底到复折射率为的空气的透射系数，E_in为入射的太赫兹信号；

和/或，根据公式：计算包含薄膜样品的基底的理论太赫兹信号E_{sam 1}，其中，为从空气透过薄膜样品到基底的振幅透射系数。

3.如权利要求2所述的测量薄膜电导率的方法，其特征在于，由以下公式计算：

其中，为薄膜样品的复数折射率，为从复折射率为的空气到复折射率为的薄膜样品的反射系数，为从复折射率为的薄膜样品到复折射率为的基底的反射系数。

4.如权利要求3所述的测量薄膜电导率的方法，其特征在于，根据公式：

计算出理论传输函数的理论幅度值A_theo(ω)与理论相位值θ_theo(ω)。

5.如权利要求1-4任意一项所述的测量薄膜电导率的方法，其特征在于，测量不含薄膜样品的基底的透射电场信号E_{ref 1}以及测量含有薄膜样品的基底的透射电场信号E_{Sam 1}的过程包括：

提供一个基底，所述基底包括第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面，所述基底的第一表面设置有薄膜样品，所述薄膜样品覆盖所述基底的第一表面的部分区域；

使太赫兹信号从所述基底的第一表面透射至所述基底的第二表面；

在含有薄膜样品的基底对应的区域检测含有薄膜样品的基底的透射电场信号E_{Sam 1}，在不含薄膜样品的基底对应的区域检测不含薄膜样品的基底的透射电场E_{ref 1}。