[发明专利]高速缓存内容寻址存储器和存储芯片封装结构

权利要求书

1.一种高速缓存内容寻址存储器，其特征在于，包括：三态内容寻址存储器、封装层和至少两个动态随机存储器裸芯；

各所述动态随机存储器裸芯堆叠设置，各所述动态随机存储器裸芯堆叠形成堆叠存储器，且各所述动态随机存储器裸芯依次电性连接；

所述三态内容寻址存储器与所述堆叠存储器中的一所述动态随机存储器裸芯电性连接；

所述三态内容寻址存储器与所述封装层电性连接，所述堆叠存储器中的一所述动态随机存储器裸芯与所述封装层电性连接，所述封装层设置有用于与外部电性连接的连接凸块。

2.根据权利要求1所述的高速缓存内容寻址存储器，其特征在于，还包括逻辑裸芯，所述封装层为第一中介层；

所述三态内容寻址存储器与所述第一中介层电性连接；

所述逻辑裸芯设置于所述堆叠存储器与所述第一中介层之间，所述堆叠存储器中的最靠近所述第一中介层的一所述动态随机存储器裸芯通过所述逻辑裸芯与所述第一中介层电性连接。

3.根据权利要求2所述的高速缓存内容寻址存储器，其特征在于，所述三态内容寻址存储器与所述逻辑裸芯通过设置于所述第一中介层上的总线电性连接。

4.根据权利要求2所述的高速缓存内容寻址存储器，其特征在于，所述三态内容寻址存储器通过第一微凸块与所述第一中介层电性连接，所述逻辑裸芯通过第二微凸块与所述第一中介层电性连接。

5.根据权利要求1所述的高速缓存内容寻址存储器，其特征在于，所述封装层内集成有逻辑裸芯；

所述堆叠存储器中的最靠近所述封装层的一所述动态随机存储器裸芯通过第三微凸块与所述封装层电性连接；

所述三态内容寻址存储器通过第四微凸块与所述封装层电性连接。

6.根据权利要求5所述的高速缓存内容寻址存储器，其特征在于，所述三态内容寻址存储器与所述堆叠存储器中的最靠近所述封装层的一所述动态随机存储器裸芯通过设置于所述封装层上的总线电性连接。

7.根据权利要求1所述的高速缓存内容寻址存储器，其特征在于，所述封装层为逻辑裸芯；

所述三态内容寻址存储器与所述堆叠存储器堆叠设置；

所述三态内容寻址存储器的位置被设置为：

所述三态内容寻址存储器设置于所述堆叠存储器远离所述逻辑裸芯的一侧，所述三态内容寻址存储器与所述堆叠存储器中最远离所述逻辑裸芯的一所述动态随机存储器裸芯电性连接，所述堆叠存储器中最靠近所述逻辑裸芯的一所述动态随机存储器裸芯与所述逻辑裸芯电性连接；

或，所述三态内容寻址存储器设置于所述堆叠存储器与所述逻辑裸芯之间，所述堆叠存储器中最靠近所述逻辑裸芯的一所述动态随机存储器裸芯通过所述三态内容寻址存储器与所述逻辑裸芯连接。

8.根据权利要求7所述的高速缓存内容寻址存储器，其特征在于，所述三态内容寻址存储器设置于所述堆叠存储器远离所述逻辑裸芯的一侧，所述三态内容寻址存储器与所述堆叠存储器中最远离所述逻辑裸芯的一所述动态随机存储器裸芯采用TSV电性连接，逻辑裸芯动态随机存储器裸芯逻辑裸芯所述堆叠存储器中最靠近所述逻辑裸芯的一所述动态随机存储器裸芯与所述逻辑裸芯通过第五微凸块电性连接。

9.一种存储芯片封装结构，包括处理器和第二中介层，其特征在于，还包括权利要求1-8任一项中所述的高速缓存内容寻址存储器，所述高速缓存内容寻址存储器的所述封装层的所述连接凸块与所述第二中介层电性连接，所述处理器与所述第二中介层电性连接。

10.根据权利要求9所述的存储芯片封装结构，其特征在于，还包括封装基板，所述高速缓存内容寻址存储器与处理器设置于所述第二中介层的第一面，所述第二中介层的第二面与所述封装基板电性连接。