[发明专利]晶圆检测方法与电子设备

说明书

本公开提供一种晶圆检测方法与电子设备。晶圆检测方法包括：获取目标晶圆的背面缺陷检测结果数据和正面缺陷检测结果数据；根据所述正面缺陷检测数据确定所述目标晶圆的正面符合预设条件的缺陷的正面缺陷分布图；根据所述背面缺陷检测数据确定所述目标晶圆的背面符合所述预设条件的缺陷的背面缺陷分布图；根据所述正面缺陷分布图和所述背面缺陷分布图生成晶圆缺陷分布图。本公开实施例可以自动生成信息全面的晶圆缺陷分布图。

技术领域

本公开涉及集成电路制造技术领域，具体而言，涉及一种晶圆检测方法与电子设备。

背景技术

在集成电路制造领域，通常需要对晶圆进行缺陷检验。由于晶圆的电路部分位于晶圆上表面(也称为晶圆正面)，现有的检验通常对晶圆正面进行详细的检验，以确保晶圆正常。

但是，在一些场景下，已经通过多轮出厂检验的晶圆或经由该晶圆切割而成的芯片通常还会存在功能或封装等难以溯源到制造工艺的问题，时常令生产商一筹莫展，不知问题出在何处。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种晶圆检测方法与电子设备，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的晶圆经过详细检验后仍会存在故障的问题。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种晶圆检测方法，包括：获取目标晶圆的背面缺陷检测结果数据和正面缺陷检测结果数据；根据所述正面缺陷检测数据确定所述目标晶圆的正面符合预设条件的缺陷的正面缺陷分布图；根据所述背面缺陷检测数据确定所述目标晶圆的背面符合所述预设条件的缺陷的背面缺陷分布图；根据所述正面缺陷分布图和所述背面缺陷分布图生成晶圆缺陷分布图。

在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述正面缺陷分布图和所述背面缺陷分布图生成晶圆缺陷分布图包括：基于预设定位点将所述背面缺陷分布图进行左右180度翻转；将翻转后的所述背面缺陷分布图与所述正面缺陷分布图叠加，以生成所述晶圆缺陷分布图。

在本公开的一种示例性实施例中，所述缺陷为晶圆表面存在的颗粒状异物。

在本公开的一种示例性实施例中，所述背面缺陷检测结果数据和正面缺陷检测结果数据分别为背面缺陷检测光谱和正面缺陷检测光谱。

在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述正面缺陷检测数据确定所述目标晶圆的正面符合预设条件的缺陷的正面缺陷分布图包括根据所述正面缺陷检测光谱确定晶圆的正面异物相对于预设定位点的坐标以及所述正面异物的形状和大小；所述根据所述背面缺陷检测数据确定所述目标晶圆的背面符合所述预设条件的缺陷的背面缺陷分布图包括根据所述背面缺陷检测光谱确定晶圆的背面异物相对于所述预设定位点的坐标以及所述背面异物的形状和大小。

在本公开的一种示例性实施例中，所述预设条件至少包括所述颗粒状异物的俯视面积超过第一预设值、颗粒高度超过第二预设值、颗粒的不同部分位于至少两个晶圆颗粒上。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述晶圆缺陷分布图中，所述目标晶圆的正面的缺陷与所述目标晶圆的背面的缺陷的表示颜色不同。

在本公开的一种示例性实施例中，所述缺陷为异常的晶圆颗粒。

在本公开的一种示例性实施例中，所述所述背面缺陷检测结果数据和正面缺陷检测结果数据分别为背面晶圆颗粒检测结果和正面晶圆颗粒检测结果。

在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述正面缺陷检测数据确定所述目标晶圆的正面符合预设条件的缺陷的正面缺陷分布图包括根据正面晶圆颗粒检测结果确定正面检测失败的晶圆颗粒相对于预设定位点的坐标；所述根据所述背面缺陷检测数据确定所述目标晶圆的背面符合所述预设条件的缺陷的背面缺陷分布图包括根据所述背面晶圆颗粒检测结果确定背面检测失败的晶圆颗粒相对于所述预设定位点的坐标。