[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202110764582.0 | 申请日: | 2021-07-07 |
公开(公告)号: | CN113257883B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 徐晶晶;李盼;张大成 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 陶丽;曲鹏 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
一种显示基板及其制备方法、显示装置,显示基板包括:衬底;设置在衬底上的驱动电路层;设置在驱动电路层远离衬底一侧的发光结构层,发光结构层包括像素界定层和有机发光层,像素界定层界定出多个子像素区域,且具有至少部分地暴露驱动电路层的第一开口,有机发光层位于子像素区域,并与像素界定层的第一开口交叠;以及设置在发光结构层远离衬底一侧的彩膜结构层,彩膜结构层包括彩膜和黑矩阵,黑矩阵具有至少部分暴露第一开口的第二开口,彩膜设置在第二开口内,黑矩阵包括第一子侧边,且第一子侧边具有折线结构。本公开降低了反射率,提升了出光纯度,降低了光栅效应,提升了显示效果,减少了成本。
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED) 和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes,QLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
发明内容
本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置,能够提高显示面板的显示效果。
本公开实施例提供了一种显示基板,包括:衬底;设置在所述衬底上的驱动电路层;设置在所述驱动电路层远离所述衬底一侧的发光结构层,所述发光结构层包括像素界定层和有机发光层,所述像素界定层界定出多个子像素区域,且具有至少部分地暴露所述驱动电路层的第一开口,所述有机发光层位于子像素区域,并与所述像素界定层的第一开口交叠;以及设置在所述发光结构层远离所述衬底一侧的彩膜结构层,所述彩膜结构层包括彩膜和黑矩阵,所述黑矩阵具有至少部分暴露所述第一开口的第二开口,所述彩膜设置在所述第二开口内,黑矩阵包括第一子侧边,且所述第一子侧边具有折线结构。
在示例性实施方式中,所述第一子侧边具有多个折角,在离所述子像素区域的中心线越远的区域,所述第一子侧边的折角的数量越多。
在示例性实施方式中,所述子像素区域沿第一方向依次包括中心线、第一参考线、第二参考线、第三参考线和第四参考线,所述第四参考线与所述第一子侧边远离所述中心线一侧的最远边界重合,其中:所述第一参考线与所述子像素区域的中心线的距离为k,所述第一参考线与所述第二参考线之间的距离为n1,所述第二参考线与所述第三参考线之间的距离为n2,所述第三参考线与所述第四参考线之间的距离为n3;k+n1+n2+n3=L/2,L为所述子像素区域沿第一方向的长度;所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间的折角个数x、在所述第一参考线与所述第二参考线之间的折角个数y、在所述第二参考线与所述第三参考线之间的折角个数z,满足以下条件:x≤y≤z。
在示例性实施方式中,n1=n2=n3。
在示例性实施方式中,所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间的折角个数x≥3;所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间的折角个数y≥3;所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间的折角个数z≥3。
在示例性实施方式中,所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间有至少两个折角大致相等;所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间有至少两个折角大致相等;所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间有至少两个折角大致相等。
在示例性实施方式中,所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间具有至少一个第一折角,所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间具有至少一个第二折角,所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间具有至少一个第三折角,所述第一折角、第二折角和第三折角的角度大致相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的