[发明专利]一种微小电子元器件的巨量转移设备有效
申请号: | 202110732032.0 | 申请日: | 2021-06-29 |
公开(公告)号: | CN113451179B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 张昕阳;贺云波;刘青山;罗诚;言益军;关晓鸣 | 申请(专利权)人: | 广东阿达智能装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L25/16 |
代理公司: | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人: | 罗凯欣;曹振 |
地址: | 528225 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微小 电子元器件 巨量 转移 设备 | ||
本发明公开了一种微小电子元器件的巨量转移设备,包括安装架、第一安装座、第二安装座、源盘机构、目标盘机构、定位机构和刺头机构,所述第一安装座和所述第二安装座分别相对地安装于所述安装架,所述源盘机构安装于所述第一安装座,所述定位机构和所述刺头机构均安装于所述第二安装座,所述定位机构和所述刺头机构均位于所述源盘机构的上方,所述目标盘机构位于所述源盘机构的下方。所述微小电子元器件的巨量转移设备,有效提高了微小电子元器件的转移效率和转移精确度,能够实现微小电子元器件的快速转移,有利于实现微小电子元器件巨量转移的产业化,解决了现有MicroLED芯片或者MiniLED芯片转移设备的转移效率低和转移精度差的问题。
技术领域
本发明涉及半导体生产设备技术领域,尤其涉及一种微小电子元器件的巨量转移设备。
背景技术
MiniLED(小间距发光二极管)是指芯片尺寸在100μm至200μm的LED产品,MicroLED(微米发光二极管)是指芯片尺寸在100μm以下的LED,他们是下一代显示技术的重要发展方向,与OLED相比,MicroLED和MiniLED具有更高的动态范围、更好的对比度和更宽的范围,并且比OLED具有更长的寿命,使得MicroLED/MiniLED产业逐渐成为整个显示行业的热点。然而,MicroLED/MiniLED实现量产的最大难点在于:由于芯片小,而屏幕区域大,目前使用传统的静电吸附、激光转移、柔性转移、流体转移等生产工艺均难以实现对MicroLED/MiniLED的量产,存在转移效率低和转移精度差的问题。
发明内容
针对背景技术提出的问题,本发明的目的在于提出一种微小电子元器件的巨量转移设备,有效提高了微小电子元器件的转移效率和转移精确度,能够实现微小电子元器件的快速转移,有利于实现微小电子元器件巨量转移的产业化,解决了现有MicroLED芯片或者MiniLED芯片转移设备的转移效率低和转移精度差的问题。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种微小电子元器件的巨量转移设备,包括安装架、第一安装座、第二安装座、源盘机构、目标盘机构、定位机构和刺头机构,所述第一安装座和所述第二安装座分别相对地安装于所述安装架,所述源盘机构安装于所述第一安装座,所述定位机构和所述刺头机构均安装于所述第二安装座,所述定位机构和所述刺头机构均位于所述源盘机构的上方,所述目标盘机构位于所述源盘机构的下方;
所述源盘机构用于放置载有微小电子元器件的转移膜;所述定位机构用于定位所述转移膜上的微小电子元器件的位置以及所述刺头机构的位置;所述刺头机构用于将所述转移膜上的微小电子元器件针刺转移至所述目标盘机构;所述目标盘机构用于承载转移后的微小电子元器件;
所述微小电子元器件为MicroLED芯片或者MiniLED芯片。
更进一步说明,所述源盘机构包括第一滑动座和滑动平台,所述第一滑动座前后滑动地设置于所述第一安装座的下方,所述滑动平台左右滑动地设置于所述第一滑动座的下方,所述目标盘机构位于所述滑动平台的下方,所述滑动平台的远离所述第一安装座的一端设有夹持件,所述夹持件用于夹持晶圆环,所述晶圆环设有所述转移膜。
更进一步说明,所述定位机构包括两个定位组件,两个所述定位组件设置于所述第二安装座的左端,所述定位组件包括定位块、第一滑块、第二滑块和第一定位相机,所述定位块设置于所述第二安装座的左端,所述第一滑块上下滑动地设置于所述定位块的左侧,所述第二滑块前后滑动地设置于所述第一滑块的左侧,所述第一定位相机安装于所述第二滑块,所述第一定位相机用于定位所述转移膜上的微小电子元器件的位置。
更进一步说明,所述刺头机构包括固定座、音圈电机、刺头臂和刺针,所述音圈电机安装于所述固定座内,所述刺头臂与所述音圈电机的动子端连接,所述刺针安装于所述刺头臂的远离所述音圈电机的一端,所述刺针的针头朝向所述转移膜设置,且所述刺针位于所述转移膜的上方;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造