[发明专利]降低复合速率的PERC电池的制作方法和PERC电池

权利要求书

1.一种降低复合速率的PERC电池的制作方法，其特征在于，包括：

对硅基底进行制绒处理，以在制绒后的所述硅基底形成抛光层和被所述抛光层间隔的绒面层；

对制绒后的所述硅基底进行扩散处理，以形成扩散层；

对扩散后的所述硅基底进行刻蚀处理；

对刻蚀后的所述硅基底进行退火处理，以形成氧化硅层；

在退火后的硅基底沉积背面膜层和正面膜层；

在沉积了背面膜层和正面膜层的硅基底上制作电路，所述电路包括电极，所述电极设于所述抛光层。

2.根据权利要求1所述的降低复合速率的PERC电池的制作方法，其特征在于，对硅基底进行制绒处理以在制绒后的所述硅基底形成抛光层和被所述抛光层间隔的绒面层，包括：

利用制绒碱液处理硅基底，以在所述硅基底的表面形成待图形化绒面；

根据预设图形对所述待图形化绒面进行抛光处理，以形成所述绒面层和所述抛光层。

3.根据权利要求2所述的降低复合速率的PERC电池的制作方法，其特征在于，根据预设图形对所述待图形化绒面进行抛光处理以形成所述绒面层和所述抛光层，包括：

在所述待图形化绒面上覆盖耐碱抗蚀刻油墨掩膜，以覆盖所述绒面层对应的区域并露出所述抛光层对应的区域；

利用抛光碱液抛光自所述耐碱抗蚀刻油墨掩膜露出的所述待图形化绒面；

去除抛光后的所述硅基底上的所述耐碱抗蚀刻油墨掩膜。

4.根据权利要求3所述的降低复合速率的PERC电池的制作方法，其特征在于，所述待图形化绒面形成于所述硅基底的正面和背面，所述抛光层包括正面抛光层和所述背面抛光层，所述绒面层位于所述硅基底的正面，所述绒面层被所述正面抛光层间隔；在所述待图形化绒面上覆盖耐碱抗蚀刻油墨掩膜以覆盖所述绒面层对应的区域并露出所述抛光层对应的区域，包括：

在所述硅基底的正面覆盖耐碱抗蚀刻油墨掩膜，以覆盖所述绒面层对应的区域并露出所述正面抛光层对应的区域和所述背面抛光层对应的区域。

5.根据权利要求3所述的降低复合速率的PERC电池的制作方法，其特征在于，在所述待图形化绒面上覆盖耐碱抗蚀刻油墨掩膜以覆盖所述绒面层对应的区域并露出所述抛光层对应的区域，包括：

利用网版印刷在所述待图形化绒面上覆盖耐碱抗蚀刻油墨掩膜。

6.根据权利要求3所述的降低复合速率的PERC电池的制作方法，其特征在于，在所述利用抛光碱液抛光自所述耐碱抗蚀刻油墨掩膜露出的所述待图形化绒面的步骤中，所述抛光碱液包括KOH溶液和/或NaOH溶液，所述抛光碱液的体积浓度的范围为5％-10％。

7.根据权利要求3所述的降低复合速率的PERC电池的制作方法，其特征在于，在所述利用抛光碱液抛光自所述耐碱抗蚀刻油墨掩膜露出的所述待图形化绒面的步骤中，抛光温度的范围为75℃-85℃。

8.根据权利要求3所述的降低复合速率的PERC电池的制作方法，其特征在于，在所述利用抛光碱液抛光自所述耐碱抗蚀刻油墨掩膜露出的所述待图形化绒面的步骤中，抛光时长的范围为100s-600s。

9.一种PERC电池，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的方法制作得到。

10.一种PERC电池，其特征在于，包括依次层叠的：正面膜层、氧化硅层、扩散层、硅基底和背面膜层；所述PERC电池还包括电路、抛光层和被所述抛光层间隔的绒面层，所述绒面层和所述抛光层均设于所述硅基底，所述电路包括电极，所述电极设于所述抛光层。