[发明专利]光非对称传输结构及光学器件

说明书

本公开提供一种光非对称传输结构及光学器件，其可解决现有的光非对称传输结构的光非对称传输效率较低，且结构复杂的问题。本公开的光非对称传输结构包括：第一基板及位于第一基板上的多个光栅单元；光栅单元包括：金属层；金属层的厚度小于或等于500纳米。

技术领域

本公开属于光学器件技术领域，具体涉及一种光非对称传输结构及光学器件。

背景技术

光的非对称传输(asymmetric light transmission，ALT)是指光从器件的两侧分别入射时测量的透过率不同。目前，实现光的非对称传输的方案主要基于光学非互易方法，如磁光效应，非线性光学，间接带间光子跃迁和光声效应等。光学非互易性是一种理想的解决方案，因为它使器件能够在一个方向上传输任何光学模式，并在另一个方向利用偏振片过滤方向平行的光学模式。

然而，由于光学非互易性方案中对光本身的偏振性有要求，或者需要对光进行周期性调制，或者要求很高的光强度，因而并不适用于自然光的非对称传输。其次，目前大多数采用光学非互易性方案形成的结构一般比较复杂,由于制造材料和结构上的限制，通常与半导体器件以及显示面板的制备工艺不兼容，而且其结构微小，对加工进度要求较高，进一步限制了其与半导体器件以及显示面板的制备工艺的兼容性。再者，目前采用光学非互易性方案形成的结构难以具有相当宽的宽带，在可见光波段工作的器件较少。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种光非对称传输结构及光学器件。

第一方面，本公开实施例提供一种光非对称传输结构，包括：第一基板及位于所述第一基板上的多个光栅单元；

所述光栅单元包括：金属层；所述金属层的厚度小于或等于500纳米。

可选地，所述光栅单元还包括：电介质层；

所述电介质层位于所述第一基板与所述金属层之间。

可选地，所述金属层在所述第一基板上的正投影与所述电介质层在所述第一基板上的正投影至少部分重叠。

可选地，所述金属层在所述第一基板上的正投影落在所述电介质层在所述第一基板上的正投影内。

可选地，所述金属层的中心点与所述电介质层的中心点位于同一直线上。

可选地，所述金属层具有背离所述第一基板的第一底面及与所述第一底面相对设置的第二底面，所述电介质层具有背离所述第一基板的第三底面及与所述第三底面相对设置的第四底面；

所述第一底面的面积小于或等于所述第二底面的面积，所述第二底面的面积小于或等于所述第三底面的面积，所述第三底面的面积小于或等于所述第四底面的面积。

可选地，所述金属层还具有与所述第一底面和所述第二底面均连接的第一侧面，所述电介质层还具有与所述第三底面和所述第四底面均连接的第二侧面；

所述第一侧面沿着垂直于所述第一基板的方向形成有相对设置的第一侧边和第二侧边；所述第二侧面沿着垂直于所述第一基板的方向形成有相对设置的第三侧边和第四侧边；

所述第一侧边与所述第三侧边的连接处为弧形连接或直线连接；

所述第二侧边和所述第四侧边的连接处为弧形连接或直线连接。

可选地，所述金属层的材料包括：铝、银或金中的一种或多种；所述电介质层的材料包括：氮化硅。

可选地，所述多个光栅单元呈三角晶格排布、四方晶格排布或六角晶格排布。

可选地，所述光非对称传输结构还包括：与所述第一基板对盒设置的第二基板、及位于所述第一基板和所述第二基板之间的各向异性材料；