[发明专利]一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法在审

专利信息
申请号: 202110588138.8 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN113382545A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 于中尧;杨芳;方志丹 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周天宇
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 abf 膜片 铜箔 压合到 内层 方法
【说明书】:

发明提供将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,包括第一ABF增层膜片与内层基板第一真空压合处理得到第一增层线路板;铜箔和第一增层线路板第二真空压合处理得到第二增层线路板;第二增层线路板第一整平处理得到第三增层线路板。或者第一ABF增层膜片与内层基板第一真空压合处理得到第一增层线路板;第二ABF增层膜片与铜箔第一真空压合处理得到第一铜箔增层板;第一增层线路板第二整平处理得到第四增层线路板;第四增层线路板与第一铜箔增层板第一真空压合处理得到第五增层线路板。或者第一ABF增层膜片与内层基板第一真空压合处理得到第一增层线路板;第一增层线路板、半固化片、铜箔依次叠装进行第二真空压合处理得到第六增层线路板。

技术领域

本发明涉及电路板封装技术领域,尤其涉及一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法。

背景技术

半加成技术是现在高密度封装基板的主要加工制造技术,针对高密度封装基板技术,特别是FCBGA封装基板技术,半加成技术得到了前所未有的进展,高密度布线从线宽线距25um/25um已经降低到量产8um/8um。

ABF(Ajinomoto Build-up Fihn:味之素堆积膜)材料是日本味之素公司生产的用于高密度封装基板线路层间绝缘材料。ABF材料中不含有玻纤,除在高密度布线方面有重要应用外,在其他情况下也有应用。如厚基板通孔具有较高深宽比的情况下,金属化孔需要进行塞孔,ABF是一种塞孔材料。又如大功率器件封装基板或印刷线路板的多层线路结构,线路层间介质需要具有足够的树脂含量才能对厚铜线路实现良好的填充,ABF因膜片中不含玻纤,是一种用于厚铜线路的绝缘树脂材料。

常规的铜箔和ABF增层膜片与内层基板压合流程为:铜箔、ABF增层膜片与内层基板叠装;铜箔和ABF增层膜片压合到内层基板;预固化,第一阶段100℃、30分钟,第二阶段180℃、30分钟。

压合过程中由于ABF材料本身含有溶剂,当将ABF增层膜片和铜箔叠压合在内层基板上的时候,溶剂气化导致铜箔起泡,线路无法加工。

发明内容

针对上述问题,本发明提出一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,用以解决现有技术中因ABF增层膜片中溶剂气化导致铜箔起泡,线路无法加工的问题。

本发明的一些实施例提供一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,包括:

对第一ABF增层膜片与内层基板进行第一真空压合处理,得到第一增层线路板;

对铜箔和第一增层线路板进行第二真空压合处理,得到第二增层线路板;

对第二增层线路板进行第一整平处理得到第三增层线路板。

进一步地,根据上述一些实施例提供的一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,包括对第三增层线路板进行第一预固化处理,其中,第一预固化处理包括第一阶段于第四温度下烘烤第四时间,第二阶段于第五温度下烘烤第五时间。

进一步地,根据上述一些实施例提供的一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,第一整平处理的第三温度高于第一真空压合处理的第一温度及第二真空压合处理的第二温度。

本发明的另一些实施例提供一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,包括:

对第一ABF增层膜片与内层基板进行第一真空压合处理,得到第一增层线路板;

对第二ABF增层膜片与铜箔进行第一真空压合处理,得到第一铜箔增层板;

对第一增层线路板进行第二整平处理得到第四增层线路板;

对第四增层线路板与第一铜箔增层板进行第一真空压合处理,将第一铜箔增层板的ABF树脂一侧与第四增层线路板真空压合得到第五增层线路板。

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