[发明专利]一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法在审
申请号: | 202110588138.8 | 申请日: | 2021-05-27 |
公开(公告)号: | CN113382545A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 于中尧;杨芳;方志丹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 abf 膜片 铜箔 压合到 内层 方法 | ||
1.一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,其特征在于,包括:
对第一ABF增层膜片与内层基板进行第一真空压合处理,得到第一增层线路板;
对铜箔和所述第一增层线路板进行第二真空压合处理,得到第二增层线路板;
对所述第二增层线路板进行第一整平处理得到第三增层线路板。
2.根据权利要求1所述的一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,其特征在于,包括:
对所述第三增层线路板进行第一预固化处理,其中,所述第一预固化处理包括第一阶段于第四温度下烘烤第四时间,第二阶段于第五温度下烘烤第五时间。
3.根据权利要求1所述的一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,其特征在于,所述第一整平处理的第三温度高于所述第一真空压合处理的第一温度及所述第二真空压合处理的第二温度。
4.一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,其特征在于,包括:
对第一ABF增层膜片与内层基板进行第一真空压合处理,得到第一增层线路板;
对第二ABF增层膜片与铜箔进行第一真空压合处理,得到第一铜箔增层板;
对所述第一增层线路板进行第二整平处理得到第四增层线路板;
对所述第四增层线路板与所述第一铜箔增层板进行第一真空压合处理,将所述第一铜箔增层板的ABF树脂一侧与所述第四增层线路板真空压合得到第五增层线路板。
5.根据权利要求4所述的一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,其特征在于,包括:
对所述第五增层线路板进行第二预固化处理,其中,所述第二预固化处理包括第一阶段于第八温度下烘烤第八时间,第二阶段于第九温度下烘烤第九时间。
6.一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,其特征在于,包括:
对第一ABF增层膜片与内层基板进行第一真空压合处理,得到第一增层线路板;
将第一增层线路板、半固化片、铜箔依次叠装进行第二真空压合处理,得到第六增层线路板。
7.根据权利要求6所述的一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,其特征在于,包括:
对所述第六增层线路板进行第二预固化处理,其中,所述第二预固化处理包括第一阶段于第八温度下烘烤第八时间,第二阶段于第九温度下烘烤第九时间。
8.根据权利要求6或7所述的一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,其特征在于,包括:
对所述第六增层线路板进行固化,其中,所述固化包括于第十一温度下烘烤第十一时间。
9.根据权利要求4-8任一项所述的一种将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法,其特征在于,包括:
对所述第一增层线路板进行真空烘烤,其中,所述真空烘烤包括将所述第一增层线路板置于第六温度下恒温抽至第六真空度,保持第六真空时间。
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