[发明专利]聚合酶链式反应芯片

权利要求书

1.一种聚合酶链式反应芯片，其特征在于，包括：

储液区，用于储存聚合酶链式反应液相材料；以及

控温区，包括设置在芯片的第一表面的变性温区、退火温区以及延伸温区、设置在芯片的与所述第一表面相对的第二表面的降温区、以及分布设置在所述第一表面和所述第二表面通道结构；其中，所述降温区的温度小于等于所述退火温区的温度；

其中，所述通道结构的两端分别与所述储液区连接，构造为引导所述聚合酶链式反应液相材料依次经过所述变性温区、所述降温区、所述退火温区以及所述延伸温区。

2.根据权利要求1所述的聚合酶链式反应芯片，其特征在于，所述通道结构包括：

布置在所述变性温区的变性通道结构，用于引导所述聚合酶链式反应液相材料在所述变性温区发生变性反应；

布置在所述降温区的降温通道结构，用于引导所述聚合酶链式反应液相材料在所述降温区进行降温；

布置在所述退火温区的退火通道结构，用于引导所述聚合酶链式反应液相材料在所述退火温区发生退火反应；

布置在所述延伸温区的延伸通道结构，用于引导所述聚合酶链式反应液相材料在所述延伸温区发生延伸反应；

与所述变性通道结构的液相流向的末端连接的第一通孔，用于将所述聚合酶链式反应液相材料由所述变性通道结构引导至所述降温通道结构；以及

与所述降温通道结构的液相流向的末端连接的第二通孔，用于将所述聚合酶链式反应液相材料由所述降温通道结构引导至所述退火通道结构。

3.根据权利要求2所述的聚合酶链式反应芯片，其特征在于，所述通道结构包括多个所述变性通道结构、多个所述降温通道结构、多个所述退火通道结构、多个所述延伸通道结构、多个第一通孔以及多个第二通孔；

其中，与所述储液区的液相流出端连接的所述变性通道结构包括：

与所述延伸通道结构连接的U形变性通道，用于反转所述聚合酶链式反应液相材料的流向；

其中，所述通道结构最远离所述储液区的一端为所述退火通道结构，该位于最远离所述储液区的一端的所述退火通道结构包括：

与所述第二通孔连接的U形退火通道，用于反转所述聚合酶链式反应液相材料的流向。

4.根据权利要求3所述的聚合酶链式反应芯片，其特征在于，所述通道结构包括：

在所述第一表面依次并列设置的第一变性通道结构、第一延伸通道结构、第一退火通道结构、第二延伸通道结构、第二变性通道结构、第三延伸通道结构以及第二退火通道结构；以及

在所述第二表面依次并列设置的第一降温通道结构、第二降温通道结构以及第三降温通道结构；

其中，所述通道结构进一步构造为，引导所述聚合酶链式反应液相材料依次经过所述第一变性通道结构、第一降温通道结构、第一退火通道结构、第二延伸通道结构、第二变性通道结构、第三降温通道结构、第二退火通道结构、第三延伸通道结构、第二变性通道结构、第二降温通道结构、第一退火通道结构以及第一延伸通道结构。

5.根据权利要求3所述的聚合酶链式反应芯片，其特征在于，与所述储液区的液相流出端连接的所述变性通道结构进一步包括：

与所述储液区的液相流出端连接的预变性通道，构造为蛇形蜿蜒形状。

6.根据权利要求3所述的聚合酶链式反应芯片，其特征在于，进一步包括：

设置在所述第一表面一侧的，分别与多个所述变性通道结构对应的多个变性加热源、分别与多个所述退火通道结构对应的多个退火加热源以及分别与多个所述延伸通道结构对应的多个延伸加热源；以及

设置在所述第二表面一侧的，与多个所述降温通道结构整体对应的恒温加热源。

7.根据权利要求6所述的聚合酶链式反应芯片，其特征在于，所述多个变性加热源、多个退火加热源以及多个延伸加热源中相邻的两个加热源之间设置有间隔区域。

8.根据权利要求1所述的聚合酶链式反应芯片，其特征在于，所述聚合酶链式反应液相材料包括聚合酶链式反应溶液；

其中，所述储液区包括设置在液相流出端的第一储液池和设置在液相回收端的第二储液池。