[发明专利]一种高纯度亚稳相Bi2有效

专利信息
申请号: 202110551331.4 申请日: 2021-05-20
公开(公告)号: CN113213496B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 伍媛婷;王笑颖;韩琳;胡靖悦 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C01B33/20 分类号: C01B33/20
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 段俊涛
地址: 710021 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 纯度 亚稳相 bi base sub
【说明书】:

发明公开了一种高纯度亚稳定相Bisubgt;2/subgt;Osubgt;2/subgt;SiOsubgt;3/subgt;的制备方法。以乙醇和去离子水为介质,将原料及分散剂等充分混合后,配制获得前驱体溶液,水浴得到湿凝胶,并在一定温度下煅烧4h~6h后得到亚稳相Bisubgt;2/subgt;Osubgt;2/subgt;SiOsubgt;3/subgt;粉体,该方法工艺简单、设备易操作、成本低,且所得亚稳相Bisubgt;2/subgt;Osubgt;2/subgt;SiOsubgt;3/subgt;粉体纯度高,纯度可达98%以上。

技术领域

本发明属于光催化技术领域,特别涉及一种高纯度亚稳相Bi2O2SiO3的制备方法。

背景技术

硅酸铋熔体中可以生长出的三种单晶中,Bi2SiO5是亚稳定相晶体,属正交晶系,点阵常数Z=4,由孤立的[SiO3]2-链构成的,而这些[SiO3]2-链是由[Bi2O2]2+层来分隔开的,其中[Bi2O2]2+层是由[BiO4]正方棱锥形成的二维网,[SiO3]2-链则是由[SiO4]四面体形成的一维链;Bi12SiO20是稳定相晶体,属立方晶系,点阵常数其结构是由七配位的Bi-O多面体与其它相同的Bi-O多面体以及SiO4四面体共角联接而成;此外还发现了在该体系中还存在一种新的亚稳定相晶体,被称为Bi2O2SiO3,此晶相易与亚稳相Bi2SiO5混淆,难以获得纯相。纯相Bi2O2SiO3的获得以及其光电性能如禁带宽度,价带位置等参数的确定和完善,有利于清晰硅酸铋体系中各晶体间的关系从而形成不同的异质结,为硅酸铋体系不同异质结的作用机理提供理论支撑。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种高纯度亚稳相Bi2O2SiO3的制备方法,在硅酸铋熔体体系中制备得到了高纯度亚稳定相Bi2O2SiO3,并可用于其他光催化剂带隙的调控。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:

一种高纯度亚稳相Bi2O2SiO3的制备方法,包括如下步骤:

步骤1,称取2.5g~3.5g络合剂、2g~4g分散剂、2g~4g硝酸铋(铋源)、5g~7g正硅酸乙酯(硅源)作为原料,一次性加入盛有10mL的无水乙醇与3mL~9mL去离子的混合溶液中,搅拌溶解获得前驱体溶液;

步骤2,将前驱体液体在80~85℃下水浴,直至呈现固态的湿凝胶;

步骤3,将所得湿凝胶以5℃/min的升温速率升温至600~650℃,然后煅烧4~6h,得到高纯度亚稳相Bi2O2SiO3粉体。

所述络合剂为柠檬酸,分散剂为聚乙二醇。

所述无水乙醇与去离子水的体积比为5:(2~4)。

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