[发明专利]一种气体混合装置

说明书

本发明公开了一种气体混合装置，包括混气罐和螺旋混合器芯，混气罐一端设置有左端盖，左端盖一侧开设有出气管，出气管内侧设置有管接头，混气罐另一端设置有右端盖，混气罐外壁设置有进气管a，进气管a一侧设置有进气管b，进气管b一侧设置有进气管c，进气管c一侧设置有进气管d，混气罐内部设置有螺旋混合器芯；本发明通过采用多组进气管同时向空腔中输入气体，进气管a沿混气罐以及螺旋混合器芯旋转流动，并带动进气管b、进气管c和进气管d处的气体旋转流动混合，使得不同组分的气体得到充分混合，采用全焊透焊接结构，以保证该装置整体的密封性，避免出现长期生产导致外部空气向内渗漏的隐患。

技术领域

本发明涉及沉积金刚石技术领域，尤其是涉及一种气体混合装置。

背景技术

微波等离子体化学气相沉积技术，(Microwave Plasma Chemical VaporDeposition)简称MPCVD，是指在接近真空稀薄气体状态下，利用微波能量激发被沉积物表面周围等离子体态的工作环境，从而激活被沉积物表面分子的外围电子和等离子状态下的离子，形成共价轨道机化合键，以达到沉积的目的，这是目前世界上生长金刚石材料最先进技术之一，在进行等离子体化学气相沉积的生产过程中，气体的稀薄程度、化学成分、混合比例是影响被沉积物高质量生长的非常关键的因素，也是生成等离子体状态氛围的基本要求；

现在的气体混合装置有的是微型储罐形式，也有的是简单的气体管路的联通，在气体组分含量差别非常大情况下，存在严重的混合不均匀的情况，不均匀的混合气，或者不能实时地输出均匀的混合气，会对生产工艺产生不同程度的影响，不能满足使用要求，为此，我们提出一种气体混合装置。

发明内容

本发明的目的是提供一种气体混合装置，用来解决因输气成分不均匀造成籽晶生长过程中、产生杂晶、晶格结构错乱，籽晶生长不均衡，且生长缓慢等缺陷的技术问题。

本发明的上述发明目的是通过以下技术方案得以实现的：一种气体混合装置，包括混气罐和螺旋混合器芯，所述混气罐一端设置有左端盖，所述左端盖一侧开设有出气管，所述出气管内侧设置有管接头，所述混气罐内部一侧开设有内部出气管口，所述混气罐另一端设置有右端盖，所述混气罐外壁设置有进气管；

所述进气管包括有进气管a、进气管b、进气管c和进气管d，所述混气罐外壁设置有进气管a，所述进气管a一侧设置有进气管b，所述进气管b一侧设置有进气管c，所述进气管c一侧设置有进气管d，所述混气罐内部设置有螺旋混合器芯。

本发明进一步设置为：所述进气管设置有若干组，按流量从大到小的次序排列，最小流量进气口靠近混气罐的内部出气管口。

本发明进一步设置为：所述混气罐内壁共开设有若干组进气口，所述进气口分别与所述进气管a、所述进气管b、所述进气管c和所述进气管d一一对应，且所述进气口均切向进入混气罐内部。

通过采用上述技术方案，沿混气罐内壁以及螺旋混合器芯旋转流动，并带动进气管b、进气管c和进气管d气体旋转流动，使得不同组分的气体在较短行程内充分混合，达到混合均匀标准的要求。

本发明进一步设置为：所述进气管均可以简化设计成不切向进入混气罐内部。

通过采用上述技术方案，便于对气体组分进行充分混合，提高该装置使用的灵活性。

本发明进一步设置为：所述进气管a至所述进气管d气体组分流量依次逐级递减，最小流量进气口在混气罐的内部出气管口一端。

通过采用上述技术方案，实现多路高稀薄气体进气均匀混合，避免因输入气体成分不均匀造成籽晶生长产生杂晶、晶格结构发生错乱。