[发明专利]太赫兹能量芯片

权利要求书

1.七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：包括内层和外层；

内层包括依次从内到外固定安装的衬底层、反铁磁性钉扎层、经钉扎层、氧化物势垒层、第一金属层和防水膜，衬底层的外侧四边沿均对应延伸出反铁磁性钉扎层设置，防水膜的四侧边沿对应密封安装在衬底层的外侧表面，反铁磁性钉扎层、经钉扎层、氧化物势垒层、第一金属层密封连接在衬底层和防水膜之间，衬底层的外侧表面固定安装有母魔术贴，母魔术贴设置在防水膜的外侧；

外层包括依次从内到外固定安装的铁磁层、第二金属层和覆盖层，覆盖层的外侧四边沿均对应延伸出第二金属层设置，覆盖层的内侧表面固定安装有子魔术贴，子魔术贴设置在第二金属层的外侧，母魔术贴和子魔术贴之间形成可拆卸连接；反铁磁性钉扎层和铁磁层上均设置有平面方向的磁场，第一金属层、铁磁层、第二金属层之间构成太赫兹波发射的异质结构。

2.根据权利要求1所述的七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：铁磁层的内侧表面与防水膜的外侧表面相互接触。

3.根据权利要求1所述的七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：铁磁层的内侧表面设置有防刮镀膜。

4.根据权利要求3所述的七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：防刮镀膜和防水膜之间相互接触。

5.根据权利要求1所述的七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：异质结构的太赫兹波发射波长在4～20μm之间。

6.根据权利要求1所述的七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：衬底层的材料采用高阻硅片、石英片、氧化镁、蓝宝石之中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：反铁磁性钉扎层的材料采用MnIr、MnAu、CoMnSi、CoFeAl之中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：氧化物势垒层的材料采用MgO。

9.根据权利要求1所述的七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：第一金属层的材料采用Au、Pd、Cr、Ta、W、Pt、Ru之中的任意一种，第二金属层的材料采用Au、Pd、Cr、Ta、W、Pt、Ru之中的任意一种。

10.根据权利要求1所述的七脉轮太赫兹能量芯片，其特征在于：铁磁层材料采用NdFeB、NiFe、CoPt、Co2MnSn、CoFeB之中的任意一种。