[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 202110389793.0 | 申请日: | 2021-04-12 |
公开(公告)号: | CN113130805B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 郝艳军;屈财玉;杜小波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H10K50/11 | 分类号: | H10K50/11;H10K50/15;H10K59/10;H10K71/00;H10K101/40 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张海强 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本公开提供一种显示面板及其制造方法、显示装置。显示面板包括:阳极层,包括位于第一和第二子像素中的第一和第二阳极;空穴传输层,包括位于第一和第二子像素中的第一和第二空穴传输层;缓冲层,包括位于第一和第二子像素中的第一和第二缓冲层中的至少一个;发光层,包括位于第一和第二子像素中的第一和第二发光层,第一发光层和第一空穴传输层间的HOMO能级差为大于0的第一差值,第二发光层和第二空穴传输层间的HOMO能级差的绝对值大于0且小于第一差值;阴极。在第一空穴传输层到第一发光层的方向上,第一缓冲层的多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大。第二发光层与第二缓冲层间的HOMO能级差或第二缓冲层与第二空穴传输层间的HOMO能级差大于或等于0.3eV。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
近年来,基于OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)的显示技术逐渐受到更多的关注。
由于OLED具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点,基于OLED的显示技术有可能代替液晶显示技术成为下一代显示技术。
发明内容
根据本公开实施例的一方面,提供一种显示面板,包括位于衬底基板上的多个子像素,所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素。所述显示面板包括:阳极层,包括位于所述第一子像素中的第一阳极和位于所述第二子像素中的第二阳极;空穴传输层,位于所述阳极层远离所述衬底基板的一侧,包括位于所述第一子像素中的第一空穴传输层和位于所述第二子像素中的第二空穴传输层;缓冲层,位于所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧,包括位于所述第一子像素中的第一缓冲层和位于所述第二子像素中的第二缓冲层中的至少一个;发光层,位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧,包括位于所述第一子像素中的第一发光层和位于所述第二子像素中的第二发光层,所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间的最高占据分子轨道HOMO能级差为大于0的第一差值,所述第二发光层和所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差的绝对值为大于0且小于所述第一差值的第二差值;和阴极,位于所述发光层远离所述阳极层的一侧。所述第一缓冲层包括多个第一缓冲子层,每个第一缓冲子层的HOMO能级位于所述第一发光层的HOMO能级和所述第一空穴传输层的HOMO能级之间,并且,在所述第一空穴传输层到所述第一发光层的方向上,所述多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大。所述第二缓冲层的HOMO能级位于所述第二发光层的HOMO能级和所述第二空穴传输层的HOMO能级之间,所述第二发光层与所述第二缓冲层之间的HOMO能级差为第三差值,所述第二缓冲层与所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差为第四差值,所述第三差值和所述第四差值中的一个大于或等于0.3eV。
在一些实施例中,所述多个子像素还包括第三子像素,其中:所述阳极层还包括位于所述第三子像素中的第三阳极;所述空穴传输层还包括位于所述第三子像素中的第三空穴传输层;所述缓冲层还包括位于所述第三子像素中的第三缓冲层;并且所述发光层还包括位于所述第三子像素中的第三发光层,所述第三发光层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为大于0且小于所述第一差值的第五差值,其中,所述第三缓冲层的HOMO能级位于所述第三发光层的HOMO能级和所述第三空穴传输层的HOMO能级之间,所述第三发光层与所述第三缓冲层之间的HOMO能级差为第六差值,所述第三缓冲层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为第七差值,所述第六差值和所述第七差值中的一个大于或等于0.3eV。
在一些实施例中,所述第一子像素为蓝色子像素,所述第二子像素为红色子像素和绿色子像素中的一个。
在一些实施例中,所述多个第一缓冲子层中的至少一个的厚度范围为2纳米至10纳米。
在一些实施例中,所述多个第一缓冲子层中的至少一个的第一迁移率大于或等于10-6cm2/V·s。
在一些实施例中,所述第一迁移率小于或等于10-2cm2/V·s。
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