[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，包括位于衬底基板上的多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素，所述显示面板包括：

阳极层，包括位于所述第一子像素中的第一阳极和位于所述第二子像素中的第二阳极；

空穴传输层，位于所述阳极层远离所述衬底基板的一侧，包括位于所述第一子像素中的第一空穴传输层和位于所述第二子像素中的第二空穴传输层；

缓冲层，位于所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧，包括位于所述第一子像素中的第一缓冲层和位于所述第二子像素中的第二缓冲层；

发光层，位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧，包括位于所述第一子像素中的第一发光层和位于所述第二子像素中的第二发光层，所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间的最高占据分子轨道HOMO能级差为大于0的第一差值，所述第二发光层和所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差的绝对值为大于0且小于所述第一差值的第二差值；和

阴极，位于所述发光层远离所述阳极层的一侧，其中：

所述第一缓冲层包括多个第一缓冲子层，每个第一缓冲子层的HOMO能级位于所述第一发光层的HOMO能级和所述第一空穴传输层的HOMO能级之间，并且，在所述第一空穴传输层到所述第一发光层的方向上，所述多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大，

所述第二缓冲层的HOMO能级位于所述第二发光层的HOMO能级和所述第二空穴传输层的HOMO能级之间，所述第二发光层与所述第二缓冲层之间的HOMO能级差为第三差值，所述第二缓冲层与所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差为第四差值，所述第三差值和所述第四差值中的一个大于或等于0.3eV且小于或等于0.7eV，并且

所述多个第一缓冲子层中的每一个的支链含有第一给电子基团，所述第二缓冲层的支链含有第二给电子基团和吸电子基团中的一个，所述第二给电子基团的给电子能力大于所述第一给电子基团的给电子能力。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个子像素还包括第三子像素，其中：

所述阳极层还包括位于所述第三子像素中的第三阳极；

所述空穴传输层还包括位于所述第三子像素中的第三空穴传输层；

所述缓冲层还包括位于所述第三子像素中的第三缓冲层；并且

所述发光层还包括位于所述第三子像素中的第三发光层，所述第三发光层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为大于0且小于所述第一差值的第五差值，

其中，所述第三缓冲层的HOMO能级位于所述第三发光层的HOMO能级和所述第三空穴传输层的HOMO能级之间，所述第三发光层与所述第三缓冲层之间的HOMO能级差为第六差值，所述第三缓冲层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为第七差值，所述第六差值和所述第七差值中的一个大于或等于0.3eV。

3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其中，所述第一子像素为蓝色子像素，所述第二子像素为红色子像素和绿色子像素中的一个。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述多个第一缓冲子层中的至少一个的厚度范围为2纳米至10纳米。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述多个第一缓冲子层中的至少一个的第一迁移率大于或等于10^-6cm²/V·s。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第一迁移率小于或等于10^-2cm²/V·s。

7.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的至少一个的厚度范围为30纳米至100纳米。

8.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的至少一个的第二迁移率大于或等于10^-4cm²/V·s。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第二迁移率小于或等于10^-2cm²/V·s。