[发明专利]一种导电膜及制备方法

权利要求书

1.一种导电膜，其包括：

承载体，所述承载体设有第一表面，所述第一表面开设有第一凹槽和第二凹槽；

导电网格，所述第一凹槽中填充导电材料形成相互连通的所述导电网格；

电极引线，所述第二凹槽中填充导电材料形成所述电极引线；

其中，所述第一凹槽的宽度小于所述第二凹槽的宽度；所述导电材料至少包括两种及以上不同粒径的导电材料，所述第一凹槽中填充的导电材料平均粒径小于所述第二凹槽中填充的导电材料平均粒径。

2.根据权利要求1所述的一种导电膜，其特征在于，所述第二凹槽中填充的导电材料至少包含粒径大于500nm的导电材料和粒径小于等于500nm的导电材料。

3.根据权利要求1所述的一种导电膜，其特征在于，所述第二凹槽中填充的导电材料至少包含粒径大于等于800nm的导电材料及粒径小于等于400nm的导电材料。

4.根据权利要求3所述的一种导电膜，其特征在于，所述第一凹槽中填充的导电材料不包含粒径大于等于800nm的导电材料。

5.根据权利要求1所述的一种导电膜，其特征在于，所述第一凹槽深度为m与第一凹槽宽度为n，m、n之比为A，所述第二凹槽深度为m与第二凹槽宽度为s，m、s之比为B；其中，BA。

6.根据权利要求1所述的一种导电膜，其特征在于，所述第二凹槽深度与第二凹槽宽度之比B小于0.8。

7.根据权利要求1所述的一种导电膜，其特征在于，所述电极引线由正方网格构成。

8.一种导电膜制备方法，包括以下步骤：

S1、在承载体表面上开设第一凹槽以及第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽均呈网格状，所述第一凹槽的宽度小于所述第二凹槽的宽度；

S2、在所述第一凹槽和第二凹槽内填充导电材料，所述导电材料至少包括两种及以上不同粒径的导电材料，每种粒径的导电材料均填充至第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽中填充的导电材料平均粒径小于第二凹槽中填充的导电材料平均粒径，所述第一凹槽中填充导电材料形成导电网格，所述第二凹槽中填充导电材料形成电极引线。

9.根据权利要求8所述的一种导电膜制备方法，其特征在于，步骤S2中，先填充大粒径的导电材料，后填充小粒径的导电材料；或者，先填充小粒径的导电材料，后填充大粒径的导电材料。

10.根据权利要求9所述的一种导电膜制备方法，其特征在于，所述第二凹槽中填充的导电材料至少包含粒径大于等于800nm的导电材料及粒径小于等于400nm的导电材料，所述第一凹槽中填充的导电材料不包含粒径大于等于800nm的导电材料。