[发明专利]双面太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明公开了一种双面太阳能电池的制备方法，其包括：提供硅片，制绒，扩散，正面激光掺杂，去除边缘PN结、磷硅玻璃，背面抛光，退火，沉积氧化铝层和背面氮化硅膜，沉积正面氮化硅膜和氧化硅膜；背面激光开槽，背面主栅印刷，铝栅线印刷，正面电极印刷。其中，扩散后硅片的方阻为165‑180Ω/sq；激光掺杂后硅片的方阻为80‑90Ω/sq。相应的，本发明还公开了一种双面太阳能电池。实施本发明，可有效提升电极与硅片的接触，提升太阳能电池的转换效率。同时也使得太阳能电池可采用较细的栅线，减少了印刷浆料的消耗。

技术领域

本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其涉及一种双面太阳能电池及其制备方法。

背景技术

一方面，硅片大型化是硅太阳能电池行业发展的必然趋势，大型化硅片可有效降低组件成本，同时也可一定程度上提升太阳能电池转化效率。另一方面，目前太阳能电池行业所采用的硅片一般为M0硅片，其尺寸为156mm×156mm，其所适配的设备尺寸最大仅可容纳166型硅片，因此，采用现有设备升级166型硅片目前是本领域技术人员的研究热点。然而，采用现有的M0-M4工艺进行166型硅片生产时，往往容易产生接触差，提效空间小，且耗费印刷浆料过多的缺陷。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种双面太阳能电池的制备方法，其可有效提升太阳能电池的转换效率。

本发明还要解决的技术问题在于，提供一种双面太阳能电池，其转换效率高。

为了解决上述技术问题，本发明公开了一种双面太阳能电池的制备方法，其包括：

(1)提供硅片，并对硅片进行制绒；

(2)将制绒后的进行扩散，扩散后硅片的方阻为165-180Ω/sq；

(3)对扩散后硅片的正面进行激光掺杂，形成多条第一激光槽；激光掺杂后硅片的方阻为80-90Ω/sq；

(4)去除激光掺杂后硅片边缘的PN结以及硅片正面的磷硅玻璃，并对硅片背面进行抛光；

(5)对步骤(4)得到的硅片进行退火处理，以在硅片的正面和背面形成氧化硅层；退火后硅片的亲水直径＜15mm；

(6)在退火后硅片的背面沉积氧化铝层和背面氮化硅膜；

(7)在步骤(6)得到的硅片的正面沉积正面氮化硅膜和氧化硅膜；

(8)对步骤(7)得到的硅片的背面进行激光开槽，形成多条第二激光槽；所述第二激光槽贯穿所述背面氮化硅膜、氧化铝层和氧化硅层；

(9)在步骤(8)得到的硅片的背面印刷背面主栅，所述背面主栅为银电极；

(10)在所述第二激光槽内印刷铝栅线，以形成局部铝背场；

(11)在步骤(10)得到的硅片的正面印刷正面电极，所述正面电极包括正面主栅和正面副栅，所述正面副栅印刷在所述第一激光槽内；所述正面电极为银电极；

(12)将步骤(11)得到的硅片烧结，即得到双面太阳能电池成品。

作为上述技术方案的改进，相邻所述正面副栅和/或铝栅线之间设有防断栅结构。

作为上述技术方案的改进，所述防断栅为间断性结构。

作为上述技术方案的改进，步骤(2)中，扩散温度为800-900℃，扩散结深为0.2-0.5μm，扩散方阻为165-170Ω/sq。

作为上述技术方案的改进，所述正面氮化硅膜的厚度为70-100nm，其折射率为2.1-2.2；所述氧化硅膜的厚度为4-5nm；

所述背面氮化硅膜的厚度为70-80nm，其折射率为2.1-2.2；所述氧化铝层的厚度为5-15nm。