[发明专利]双面太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

(1)提供硅片，并对硅片进行制绒；其中，所述硅片为电阻率为0.5-2Ω·cm的P型单晶硅片，采用KOH水溶液进行制绒，制绒后硅片在全波段的反射率为9-15％；

(2)将制绒后的进行扩散，其中，扩散温度为800-900℃，扩散结深为0.2-0.5μm，扩散方阻为165-170Ω/sq；

(3)对扩散后硅片的正面进行激光掺杂，形成多条第一激光槽；其中，激光掺杂的雕刻速度为26000-30000mm/s，激光功率为23-25W，激光频率为225-230kHz，激光掺杂后硅片的方阻为80-90Ω/sq，所述第一激光槽的数目为130-140条；

(4)去除激光掺杂后硅片边缘的PN结以及硅片正面的磷硅玻璃，并对硅片背面进行抛光；其中，采用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液去除磷硅玻璃和对硅片背面进行抛光，抛光后硅片背面的反射率为25-35％；

(5)对步骤(4)得到的硅片在700-750℃下退火处理800-950s，以在硅片的正面和背面形成氧化硅层；其中，退火处理时O₂流量为80-120scm，压力为140-155Pa，退火后硅片的亲水直径＜15mm；

(6)在退火后硅片的背面沉积氧化铝层和背面氮化硅膜；其中，所述背面氮化硅膜的厚度为70-80nm，其折射率为2.1-2.2；所述氧化铝层的厚度为5-15nm；

(7)在步骤(6)得到的硅片的正面沉积正面氮化硅膜和氧化硅膜；其中，所述正面氮化硅膜的厚度为70-100nm，其折射率为2.1-2.2；所述氧化硅膜的厚度为4-5nm；

(8)对步骤(7)得到的硅片的背面进行激光开槽，形成多条第二激光槽；所述第二激光槽贯穿所述背面氮化硅膜、氧化铝层和氧化硅层；其中，激光雕刻速度为40000-50000mm/s，激光频率为900-1000kHz，激光功率为25-30W，激光光斑为30-40μm，激光实虚比为(0.3-0.4)：(0.6-0.7)；

(9)在步骤(8)得到的硅片的背面印刷背面主栅，所述背面主栅为银电极；

(10)在所述第二激光槽内印刷铝栅线，以形成局部铝背场；

(11)在步骤(10)得到的硅片的正面印刷正面电极，所述正面电极包括正面主栅和正面副栅，所述正面副栅印刷在所述第一激光槽内；所述正面电极为银电极；

(12)将步骤(11)得到的硅片烧结，即得到双面太阳能电池成品；

其中，相邻所述正面副栅之间、相邻铝栅线之间设有防断栅结构，所述防断栅为间断性结构；

所述正面氮化硅膜包括设于依次所述氧化硅层上的第一正面氮化硅膜和第二正面氮化硅膜，所述第一正面氮化硅膜中氮硅比为9-10，所述第二正面氮化硅膜中氮硅比为15-17；

所述背面氮化硅膜包括依次设于所述氧化铝层上的第一背面氮化硅膜、第二背面氮化硅膜和第三背面氮化硅膜，其氮硅比分别为3-4，4.5-6和6.5-7.5。

2.一种双面太阳能电池，其特征在于，其由权利要求1所述的制备方法制备而得。