[发明专利]一种太阳能电池、其AlOx镀膜方法、电池背钝化结构及方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的AlOx镀膜方法，其特征在于：将经热氧化退火后的硅片置入管式PECVD设备中，将腔体抽真空到100-2000mtorr的压强下，并将腔体温度加热到300-400℃后，通入笑气和TMA的反应气体，打开射频电源制备AlOx钝化膜，所述AlOx钝化膜采用两层膜结构，且采用NH₃和N₂O同时对每层AlOx膜进行处理；两层膜采用不同沉积速率的工艺条件，具体如下：

底层AlOx膜采用低沉积速率，低脉冲开关比，工艺条件为：笑气流量：3500-4500sccm，TMA流量：30-60sccm；射频功率：4000-6000W；脉冲开关比20：(1000-1500)；工艺时间40-80s；

顶层AlOx膜采用高沉积速率，高脉冲开关比，工艺条件为：笑气流量：2500-3500sccm，TMA流量：50-100sccm；射频功率：6000-8000W；脉冲开关比20：(800-1200)；工艺时间80-150s。

2.一种太阳能电池的背钝化方法，其特征在于，其步骤为：

步骤一、采用单插、正靠正或背靠背加大氧流量工艺，在硅片基体上制备氧化硅层；

步骤二、采用如权利要求1所述的底层AlOx膜工艺条件制备底层AlOx膜；

步骤三、去除步骤二残余气体后，通入NH₃和N₂O，对底层AlOx膜进行H钝化和氧化处理；

步骤四、去除步骤三残余气体后，采用如权利要求1所述的顶层AlOx膜工艺条件制备顶层AlOx膜；

步骤五、去除步骤四残余气体后，进行升温同时通入NH₃和N₂O，对顶层AlOx膜进行H钝化和氧化处理；

步骤六、在腔体升温到400-550℃时，制备氮化硅膜，或氮化硅与氮氧化硅、氧化硅中的一种或多种的复合膜。

3.根据权利要求2所述的一种太阳能电池的背钝化方法，其特征在于：步骤一采用背靠背方式，热氧化工艺条件为：温度650-750℃，氧气流量2500-4000sccm，时间20-40min。

4.根据权利要求2或3所述的一种太阳能电池的背钝化方法，其特征在于：步骤三、步骤五所述的对AlOx膜进行H钝化和氧化处理的工艺条件为：NH₃和N₂O的流量控制在1000-4000sccm，真空压强500-2000mtorr，射频功率：2500-5000W，脉冲开关比30：(100-500)，工艺时间100-300s。

5.根据权利要求4所述的一种太阳能电池的背钝化方法，其特征在于：步骤三-步骤五均通过设定0-100mtorr的压强，抽真空20-60s去除残余气体。

6.一种太阳能电池的背钝化结构，包括硅片基体(1)、氧化硅层(2)，所述的氧化硅层(2)设置在硅片基体(1)上，其特征在于：所述的氧化硅层(2)上设置AlOx层，该AlOx层采用两层膜的结构，其AlOx底层(3)、AlOx顶层(4)采用如权利要求1所述的工艺条件制备。

7.一种太阳能电池的背钝化结构，其特征在于：该背钝化结构采用如权利要求2-5任一项所述的背钝化方法制得。

8.一种太阳能电池，其特征在于：包括如权利要求6或7所述的背钝化结构。