[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110331143.0 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN113097265A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 徐乾坤 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种显示面板及其制备方法,显示面板包括:基板、薄膜晶体管层、垫高层、层间绝缘层、隔断层、OLED器件以及阴极。本发明通过在非显示区设置垫高层,并开设第一凹槽,进而制备得到隔断层,隔断层远离所述垫高层的一侧具有第一倒锐角区域,进而隔断层可以隔断OLED器件,避免OLED器件接触辅助阴极,使OLED器件区域化。并且所述垫高层与隔断层皆与现有的膜层一同制备,避免不必要的制备工序。
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
对于有机电激光显示(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)器件,为了提高OLED出光效率而使用微腔结构,但其中大部分OLED器件使用半透明的阴极结构。然而半透明阴极具有很大的电阻,会造成严重的压降(IR Drop),产生IR Drop现象影响整个屏幕显示的均一性,特别是对于大尺寸OLED产生较大的影响。
为了改善OLED显示的IR Drop,通常做法是制造辅助阴极,使半透明阴极和辅助阴极接触来减少阴极面电阻。对于蒸镀工艺而言,通过制备特殊的辅助阴极结构利用蒸镀角偏差来达到蒸镀OLED材料无法覆盖在辅助阴极接触区。但对于打印工艺而言,则难以实现OLED材料区域化。。
因此,迫切需要开发一种新型的显示面板,以保留现有显示面板的积极效果,而消除现有显示面板的消极效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制备方法,通过在非显示区制备得到隔断层,隔断层远离所述垫高层的一侧具有第一倒锐角区域,进而隔断层可以隔断OLED器件,避免OLED器件接触辅助阴极。
为了达到上述目的,本发明提供一种显示面板,定义有显示区以及非显示区,其特征在于,所述显示面板包括:基板;薄膜晶体管层,设于所述基板上且对应所述显示区;垫高层,设于所述基板上且对应所述非显示区;层间绝缘层,设于所述垫高层上,具有一第一凹槽;隔断层,设于所述层间绝缘层上且填充所述第一凹槽,所述隔断层远离所述垫高层的一侧具有第一倒锐角区域;OLED器件,设于所述薄膜晶体管层上以及所述隔断层上,且所述OLED器件被所述隔断层隔断,部分所述OLED器件设于所述显示区与所述非显示区之间;以及阴极,设于所述OLED器件上,并且连接所述非显示区的辅助阴极。
进一步地,所述垫高层包括:第一垫高块;第二垫高块,设于所述第一垫高块上;第三垫高块,设于所述第二垫高块上。
进一步地,所述隔断层具有对应所述第一凹槽的第二凹槽;所述显示面板还包括:保护层,设于所述垫高层上且填充所述第二凹槽,所述保护层具有对应所述第二凹槽的第三凹槽;以及第一平坦层,设于所述保护层与所述OLED器件之间且填充所述第三凹槽。
进一步地,所述保护层远离所述隔断层的一侧具有第二倒锐角区域。
进一步地,所述隔断层与第三垫高块为所述辅助阴极;所述隔断层与第三垫高块为金属导电材料。
进一步地,所述薄膜晶体管层包括:遮光层,设于所述基板上;缓冲层,设于所述遮光层以及所述基板上;半导体层,设于所述缓冲层上;栅极绝缘层,设于所述半导体层上;栅极层,设于所述栅极绝缘层上;所述层间绝缘层延伸至所述显示区且设于所述缓冲层上,所述显示区的层间绝缘层覆盖所述半导体层以及所述栅极层;源漏电极层,设于所述层间绝缘层上;钝化层,设于所述层间绝缘层上且覆盖所述源漏电极层;平坦化层,设于所述钝化层上。
进一步地,所述第一垫高块与所述遮光层同层设置,所述第一垫高块与所述遮光层的材料相同;和/或,所述第二垫高块与所述栅极绝缘层同层设置,所述第二垫高块与所述栅极绝缘层的材料相同;和/或,所述第三垫高块与所述栅极层同层设置,所述第三垫高块与所述栅极层的材料相同;和/或,所述隔断层与所述源漏电极层同层设置,所述隔断层与所述源漏电极层的材料相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的