[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110331143.0 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN113097265A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 徐乾坤 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,定义有显示区以及非显示区,其特征在于,所述显示面板包括:
基板;
薄膜晶体管层,设于所述基板上且对应所述显示区;
垫高层,设于所述基板上且对应所述非显示区;
层间绝缘层,设于所述垫高层上,具有一第一凹槽;
隔断层,设于所述层间绝缘层上且填充所述第一凹槽,所述隔断层远离所述垫高层的一侧具有第一倒锐角区域;
OLED器件,设于所述薄膜晶体管层上以及所述隔断层上,且所述OLED器件被所述隔断层隔断,部分所述OLED器件设于所述显示区与所述非显示区之间;以及
阴极,设于所述OLED器件上,并且连接所述非显示区的辅助阴极。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述垫高层包括:
第一垫高块,设于所述基板上;
第二垫高块,设于所述第一垫高块上;以及
第三垫高块,设于所述第二垫高块上。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述隔断层具有对应所述第一凹槽的第二凹槽;
所述显示面板还包括:
保护层,设于所述垫高层上且填充所述第二凹槽,所述保护层具有对应所述第二凹槽的第三凹槽;以及
第一平坦层,设于所述保护层与所述OLED器件之间且填充所述第三凹槽。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述保护层远离所述隔断层的一侧具有第二倒锐角区域。
5.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述隔断层与所述第三垫高块为所述辅助阴极;
所述隔断层与所述第三垫高块为金属导电材料。
6.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述薄膜晶体管层包括:
遮光层,设于所述基板上;
缓冲层,设于所述遮光层以及所述基板上;
半导体层,设于所述缓冲层上;
栅极绝缘层,设于所述半导体层上;
栅极层,设于所述栅极绝缘层上;
所述层间绝缘层延伸至所述显示区且设于所述缓冲层上,所述显示区的层间绝缘层覆盖所述半导体层以及所述栅极层;
源漏电极层,设于所述层间绝缘层上;
钝化层,设于所述层间绝缘层上且覆盖所述源漏电极层;以及
平坦化层,设于所述钝化层上。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述第一垫高块与所述遮光层同层设置,所述第一垫高块与所述遮光层的材料相同;和/或,
所述第二垫高块与所述栅极绝缘层同层设置,所述第二垫高块与所述栅极绝缘层的材料相同;和/或,
所述第三垫高块与所述栅极层同层设置,所述第三垫高块与所述栅极层的材料相同。
8.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述第一平坦层与所述平坦化层同层设置,所述第一平坦层与所述平坦化层材料相同;和/或,
所述钝化层与所述保护层同层设置,所述钝化层与所述保护层材料相同;和/或,
所述隔断层与所述源漏电极层同层设置,所述隔断层与所述源漏电极层的材料相同。
9.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述缓冲层向所述非显示区延伸并覆盖所述第一垫高块,所述非显示区的缓冲层设于所述第一垫高块与所述第二垫高块之间。
10.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一基板,其定义有显示区与非显示区;
通过同一光罩在所述基板上形成遮光层与第一垫高块;
形成一缓冲层于所述基板、所述遮光层与所述第一垫高块上;
形成一半导体层于所述显示区的缓冲层上;
先沉积一绝缘材料于所述缓冲层以及所述半导体层上,再沉积一第一金属材料于所述绝缘材料上,并通过同一光罩形成栅极与第三垫高块;最后以所述栅极与所述第三垫高块为图案,刻蚀所述绝缘材料形成所述栅极绝缘层与所述第二垫高块;
形成层间绝缘层于所述缓冲层、所述栅极与所述第三垫高块上,在所述层间绝缘层上开设对应所述第三垫高块的第一凹槽,所述第一凹槽下凹至所述第三垫高块的上表面;
沉积一第二金属材料于层间绝缘层上,并通过同一光罩形成源漏电极层与隔断层,所述隔断层填充所述第一凹槽,所述隔断层远离所述第三垫高块的一侧具有第一倒锐角区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的