[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置

说明书

本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置，其中，阵列基板包括：薄膜晶体管层包括开口区和非开口区；第一光导层，设置于薄膜晶体管层的入光侧，第一光导层包括镂空区和导光图案，镂空区与开口区对应设置，导光图案与非开口区对应设置，导光图案用于将射入导光图案的至少部分背光光线导入开口区。导光图案可以将原本被非开口区遮挡或反射的背光光线中的至少一部分背光光线导入开口区，在不改变背光亮度的情况下，使得更多的背光光线可以进入到开口区，因此可以在同等背光亮度的情况下，提高显示亮度，有利于降低能耗，绿色环保。

技术领域

本发明一般涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display；TFT-LCD)广泛应用于电视、显示器、笔记本电脑、智能手机等产品中，是人类生活中重要的显示器件。TFT-LCD具有制作工艺成熟、清晰度高、价格低等优点。

对于TFT-LCD来说，其显示亮度主要取决于透过率及背光亮度，在相同的显示亮度下，透过率越高则所需的背光亮度越低，整个显示模组的功耗也相对较低，反之，透过率越低则所需的背光亮度越高，整个显示模组的功耗也相对较高。因此，如何在相同的背光亮度条件下，提高显示亮度是本领域技术人员所要解决的技术问题。

发明内容

本申请期望提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置，用以在同等背光亮度的情况下，提高显示亮度。

第一方面，本发明提供一种阵列基板，包括：

薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括开口区和非开口区；

第一光导层，设置于所述薄膜晶体管层的入光侧，所述第一光导层包括镂空区和导光图案，所述镂空区与所述开口区对应设置，所述导光图案与所述非开口区对应设置，所述导光图案用于将射入所述导光图案的至少部分背光光线导入所述开口区。

作为可实现方式，所述导光图案为纳米晶粒导光图案，所述纳米晶粒导光图案内布设有多个纳米晶粒。

作为可实现方式，所述纳米晶粒为纳米球晶、纳米椭球晶和纳米多面体晶中的至少任一种。

作为可实现方式，所述纳米晶粒的粒径为1nm～200nm。

作为可实现方式，所述纳米晶粒的材料为纳米硅、纳米氮化硅、纳米氮氧化硅和纳米氧化硅中的任一种。

作为可实现方式，所述薄膜晶体管层与所述第一光导层之间设置有第二光导层，所述第二光导层为平坦化透光层。

作为可实现方式，所述第二光导层的材料为氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少任一种。

第二方面，本发明提供一种如上述的阵列基板的制备方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一光导层，所述第一光导层包括镂空区和导光图案；

在所述第一光导层上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括开口区和非开口区，所述镂空区与所述开口区对应设置，所述导光图案与所述非开口区对应设置，所述导光图案用于将射入所述导光图案的至少部分背光光线导入所述开口区。

第三方面，本发明提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。

第四方面，本发明提供一种显示装置，包括上述的显示面板。