[发明专利]极端条件下动力电池电能输出优化装置在审

专利信息
申请号: 202110251504.0 申请日: 2021-03-08
公开(公告)号: CN112737065A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 孙亚敏 申请(专利权)人: 孙亚敏
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02M1/15;H02M3/158
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 450000 河南省郑州市高*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 极端 条件下 动力电池 电能 输出 优化 装置
【权利要求书】:

1.极端条件下动力电池电能输出优化装置,包括自动节电控制模块、有源谐波过滤模块以及输出旁路稳定模块,其特征在于: 所述有源谐波过滤模块中输入端口IN+与晶体管Q10的集电极连接,输入端口IN-与晶体管Q9的集电极连接,晶体管Q9的发射极分别与晶体管Q10的发射极、晶体管Q11的发射极、晶体管Q12的发射极连接,晶体管Q9的基极分别与晶体管Q10的基极、晶体管Q11的基极、晶体管Q12的基极连接,晶体管Q11的集电极与二极管D6的正极连接,二极管D6的负极与电容C3的一端连接,电容C3的另一端与晶体管Q5的基极连接。

2.根据权利要求1所述的极端条件下动力电池电能输出优化装置,其特征在于:所述有源谐波过滤模块中晶体管Q9的基极与场效应晶体管J1的源端连接,场效应晶体管J1的漏端与高电平VCC连接,肖特基二极管Z1的负极与场效应晶体管J1的源端连接,肖特基二极管Z1的正极接地,场效应集体管J1的栅极接地,电阻R9的一端与晶体管Q12的发射极连接,另一端接地,二极管D6的正极与晶体管Q5的集电极连接。

3.根据权利要求1所述的极端条件下动力电池电能输出优化装置,其特征在于:所述自动节电控制模块中输入端口IN+以晶体管Q5的基极连接,晶体管Q5的发射极与晶体管Q1的集电极连接,输入端口IN-与晶体管Q4的基极连接,晶体管Q4的发射极与晶体管Q5的发射极连接,晶体管Q4的集电极与晶体管Q8的集电极连接,晶体管Q8的集电极与晶体管Q7的基极连接,晶体管Q7的基极分别与晶体管Q6 的基极和晶体管Q12的集电极连接,晶体管Q7的发射极分别与晶体管Q13的基极和晶体管Q14的基极连接,晶体管Q7的集电极分别与晶体管Q3的基极和晶体管Q2的发射极连接,晶体管Q2的基极与场效应晶体管T7的栅极连接,晶体管Q3的发射极与晶体管Q6的基极连接,晶体管Q6的发射极与晶体管Q14的集电极连接,晶体管Q6的集电极与场效应晶体管T8的栅极连接,场效应晶体管T8 的漏端与场效应晶体管T3的源端连接,场效应晶体管T8 的源端与场效应晶体管T13的漏端连接,场效应晶体管T13 的栅极与场效应晶体管T15的栅极连接,场效应晶体管T15 的漏端与场效应晶体管T7的源端连接,场效应晶体管T7 的漏端与场效应晶体管T3的源端连接,场效应晶体管T83的栅极与场效应晶体管T4的栅极连接。

4.根据权利要求1所述的极端条件下动力电池电能输出优化装置,其特征在于:所述自动节电控制模块中二极管D1的正极与高电平VCC连接,二极管D1的负极与晶体管Q1的基极连接,二极管D2的正极与晶体管Q2 的发射极连接,二极管D2的负极与晶体管Q13的集电极连接,二极管D3的正极与晶体管Q8的集电极连接,二极管D3的负极与晶体管Q4 的基极连接,二极管D4的正极与晶体管Q6的发射极连接,二极管D4的负极与晶体管Q13的集电极连接,二极管D6的正极与晶体管Q8的基极连接,电阻R1的一端与高电平VCC连接,另一端与晶体管Q1的发射极连接,电阻R2的一端与晶体管Q13的集电极连接,另一端与晶体管Q3的发射极连接,电阻R3的一端与晶体管Q6的基极连接,另一端与晶体管Q14的集电极连接,电阻R4的一端与场效应晶体管T13的源端连接,另一端接地,电阻R5的一端与场效应晶体管T15的源端连接,另一端接地,电阻R8的一端与晶体管Q13的基极连接,另一端与晶体管Q15的基极连接,电阻R11的一端与晶体管Q8的发射极连接,另一端接地,电阻R12的一端与晶体管Q15的基极连接,另一端接地,晶体管Q2的集电极与高电平VCC连接,晶体管Q3的集电极与高电平VCC连接,场效应晶体管T3的漏端与高电平VCC连接,场效应晶体管T4的漏端与高电平VCC连接,晶体管Q15的发射极接地。

5.根据权利要求1所述的极端条件下动力电池电能输出优化装置,其特征在于:所述输出旁路稳定模块中电容Ce1的一端与场效应晶体管T10的漏端连接,另一端与场效应晶体管T12的漏端连接,电阻R6一端与场效应晶体管T10的源端连接,另一端接地,电阻R7一端与场效应晶体管T9的源端链接,另一端接地,二极管D5的正极与场效应晶体管T11的漏端连接,二极管D5的负极接地,场效应晶体管T6的栅极与场效应晶体管T3的栅极连接,场效应晶体管T1的漏端与高电平VCC连接,场效应晶体管T5的漏端与高电平VCC连接,场效应晶体管T2的漏端与高电平VCC连接,场效应晶体管T6的漏端与高电平VCC连接,场效应晶体管T12的源端接地,场效应晶体管T14的源端接地。

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