[发明专利]储能件和储能件的制造方法

说明书

本申请公开了一种储能件和储能件的制造方法，储能件包括：多个储能单元，储能单元包括：硅材料框架；电解质层，位于硅材料框架内，电解质层与硅材料框架相贴合；正极集流体，位于硅材料框架的第一端；负极集流体，与正极集流体相对设置，负极集流体位于硅材料框架的第二端；其中，电解质层、正极集流体和负极集流体围合形成腔体，腔体内填充有正极材料，其中正极及流体与正极材料相接触，负极集流体与正极材料相绝缘。本申请实施例提高了电池内部的空间利用率，有利于提高单位体积下的能量密度。

技术领域

本申请属于电池技术领域，具体涉及一种储能件和储能件的制造方法。

背景技术

相关技术中，手机、笔记本等电子产品普遍采用锂电池作为储能设备，因此锂电池的能量密度成了制约电子产品发展的主要瓶颈之一。

目前的利电子采用钴酸锂(LiCoO₂)/石墨(C)体系，该体系中，石墨材料本身的理论储锂容量(372mAh/g)限制了电池容量的提升，导致电池的能量密度低。

因此，如何设计一种能够提高容量的电池体系，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请旨在提供一种储能件和储能件的制造方法，能够提供一种高容量的电池体系。

第一方面，本申请实施例提出了一种储能件，包括：

多个储能单元，储能单元包括：

硅材料框架；

电解质层，位于硅材料框架内，电解质层与硅材料框架相贴合；

正极集流体，位于硅材料框架的第一端；

负极集流体，与正极集流体相对设置，负极集流体位于硅材料框架的第二端；

其中，电解质层、正极集流体和负极集流体围合形成腔体，腔体内填充有正极材料，其中正极及流体与正极材料相接触，负极集流体与正极材料相绝缘。

第二方面，本申请实施例提出了一种储能件的制造方法，包括：

对硅晶体基材进行蚀刻处理，以在硅晶体基材的第一侧上形成多个凹槽单元；

在凹槽单元内填充正极材料；

在硅晶体基材的第一侧沉积负极集流体；

在硅晶体基材的第二侧沉积正极集流体；

对硅晶体基材进行封装，以得到储能件。

第三方面，本申请实施例提出了一种储能件的制造装置，包括：

蚀刻模块，用于对硅晶体基材进行蚀刻处理，以在硅晶体基材的第一侧上形成多个凹槽单元；

填充模块，用于在凹槽单元内填充正极材料；

沉积模块，用于在硅晶体基材的第一侧沉积负极集流体；和

在硅晶体基材的第二侧沉积正极集流体；

封装模块，用于对硅晶体基材进行封装，以得到储能件。

第四方面，本申请实施例提出了一种可读存储介质，其上存储有程序或指令，程序或指令被处理器执行时实现如第二方面的方法的步骤。

在本申请的实施例中，储能件即电池，储能件由多个储能单元构成，其中，每个储能单元均包括硅材料框架，硅材料框架的内侧贴合有电解质层，其中，硅材料框架为桶型结构，电解质层贴合在框架的内表面后也形成为一个桶字型结构。

于是，硅材料框架和电解质层连接后，使得储能单元在截面上构成了一个“二”字型的结构，在该结构两端的“开口”处，分别覆盖有正极集流体和负极集流体，最终形成为一个“口”字型结构。