[发明专利]低温静电吸盘有效
申请号: | 202080062352.3 | 申请日: | 2020-08-20 |
公开(公告)号: | CN114342059B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | Y·萨罗德维舍瓦纳斯;S·E·巴巴扬;S·D·普劳蒂;á·加西亚德戈罗多;A·施密特;A·A·努贾伊姆 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 静电 吸盘 | ||
1.一种基板支撑组件,包含:
静电吸盘,所述静电吸盘具有支撑表面和与所述支撑表面相对的底部表面,所述静电吸盘具有设置在所述静电吸盘中的吸附电极和一个或多个电阻式加热器;
静电吸盘底座组件,所述静电吸盘底座组件耦接至所述静电吸盘,所述静电吸盘底座组件具有设置在所述静电吸盘底座组件中的底座通道,所述静电吸盘底座组件包含与所述静电吸盘的热膨胀系数匹配的材料;
设施板,所述设施板具有设置在所述设施板中的设施通道,所述设施板包含板部分和壁部分,所述板部分耦接至所述静电吸盘底座组件,并且所述壁部分由密封组件耦接至所述静电吸盘;以及
真空区域,所述真空区域由所述静电吸盘、所述静电吸盘底座组件、所述设施板的所述板部分、所述设施板的所述壁部分和所述密封组件所限定,其中所述真空区域始终维持所述静电吸盘底座组件与所述设施板的所述板部分之间的间隙。
2.如权利要求1所述的基板支撑组件,进一步包含:绝缘体板和接地板,所述绝缘体板耦接至所述设施板,所述接地板耦接至所述绝缘体板。
3.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述静电吸盘底座组件由接合层固定至所述静电吸盘。
4.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述静电吸盘包含含氧化铝(Al2O3)材料和/或含氮化铝(AlN)材料。
5.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中具有入口和出口的所述底座通道可操作以连接到低温冷却器,所述低温冷却器经由底座入口导管和底座出口导管与所述底座通道流体连通,所述底座入口导管连接到所述底座通道的所述入口,所述底座出口导管连接到所述底座通道的所述出口。
6.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中具有入口和出口的所述设施通道可操作以连接到冷却器,所述冷却器经由设施入口导管和设施出口导管与所述设施通道流体连通,所述设施入口导管连接到所述设施通道的所述入口,所述设施出口导管连接到所述设施通道的所述出口。
7.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述密封组件包含聚四氟乙烯(PTFE)主体,所述聚四氟乙烯(PTFE)主体具有设置在所述聚四氟乙烯(PTFE)主体中的螺旋弹簧,以在-260摄氏度至290摄氏度之间的温度下密封所述真空区域。
8.如权利要求7所述的基板支撑组件,其中所述螺旋弹簧包含:含不锈钢材料和含镍合金材料。
9.如权利要求8所述的基板支撑组件,其中所述含镍合金材料是含镍-铬合金材料。
10.如权利要求9所述的基板支撑组件,其中所述含镍-铬合金材料是含钴-铬-镍-钼合金材料。
11.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述真空区域包含第一真空通道和第二真空通道,所述第一真空通道可操作以连接到第一真空导管,所述第一真空导管与真空源流体连通,所述第二真空通道可操作地连接到第二真空导管,所述第二真空导管与所述真空源流体连通,以独立于处理腔室的处理区域的压力而维持所述真空区域中的真空压力。
12.如权利要求1所述的基板支撑组件,进一步包含:耦接至探针控制器的一个或多个探针组件,所述一个或多个探针组件中的每一个探针组件包含探针尖端。
13.如权利要求12所述的基板支撑组件,其中所述探针尖端设置在包括以下位置中至少一个位置的位置处:
在所述静电吸盘中、在所述静电吸盘的所述底部表面处、或在所述静电吸盘底座组件中。
14.如权利要求12所述的基板支撑组件,其中所述一个或多个电阻式加热器的加热器电源连接到所述探针控制器,所述加热器电源具有控制器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造