[实用新型]一种双APD器件

说明书

本实用新型公开了一种双APD器件，其包括第一雪崩二极管、第二雪崩二极管、温控装置、管壳以及安装块，其中：第一光纤与第一雪崩二极管耦合，第二光纤与第二雪崩二极管耦合；温控装置用于测量并调整第一雪崩二极管以及第二雪崩二极管处的温度；管壳内形成腔体，第一雪崩二极管以及第二雪崩二极管均背离于安装块、分别设置于安装块两侧面，并均与安装块固定连接。本实用新型采用了双APD封装在一个管壳内，温控装置接受温度传感器测得的温度来驱动半导体制冷器，使腔体内温度保持定值。第一雪崩二极管以及第二雪崩二极管均背离安装块设置，可以减少分别与之耦合的第一光纤以及第二光纤之间的串扰。

技术领域

本实用新型涉及传感器技术领域，具体的涉及一种双APD器件。

背景技术

APD(雪崩二极管，Avalanche Photodiode)芯片接受光纤的光信号并输出电信号，但是由于APD芯片性能受温度影响大，都需要对其进行温度控制，使APD芯片性能保持一定，现有技术中一般APD芯片都是单一封装和温度控制，当需要双路信号传输时，APD芯片处于不同环境，因此两个APD芯片受环境温度影响不同，因此传输信号会受到较大影响，例如分布式光纤温度传感器，可以用两个APD分别接收斯托克斯光和反斯托克斯光，通过计算两个光之间的关系来测量温度,如果两个光接收器(即APD)在不同环境下性能不一致，会导致测温精度降低。原来都是单通道的，且一般没采用TEC(半导体制冷器，Thermo ElectricCoole)制冷器控温,或者两个单独温控的APD器件，导致两个APD受环境影响不一致，给光纤信号解调带来困扰。

因此亟需一种双路信号传输信号影响小的APD器件。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述技术不足，提供双APD器件，用于解决现有技术中双路光纤信号传输时APD受不同环境影响性能相差大的问题。

为达到上述技术目的，本实用新型的技术方案如下：一种双APD器件，其包括第一雪崩二极管、第二雪崩二极管、温控装置、管壳以及安装块，其中：管壳内形成腔体，安装块设置在腔体内且与管壳固定连接，第一雪崩二极管以及第二雪崩二极管均背离于安装块与安装块固定连接，且第一雪崩二极管以及第二雪崩二极管分别设置于安装块两侧面；第一光纤与第一雪崩二极管耦合，第二光纤与第二雪崩二极管耦合；温控装置用于测量并调整第一雪崩二极管以及第二雪崩二极管处的温度。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果包括：采用了双APD封装在一个管壳内，温控装置使腔体内温度保持稳定值，且环境温度变化时，第一雪崩二极管以及第二雪崩二极管的特性保持不变或者变化一致。第一雪崩二极管以及第二雪崩二极管均背离安装块设置，可以减少分别与之耦合的第一光纤以及第二光纤之间的串扰。

附图说明

图1是本实用新型提供的双APD器件内部结构的正视图；

图2是本实用新型提供的双APD器件内部结构的俯视图；

图3是本实用新型提供的双APD器件的温控装置的控制架构图；

附图标记：1-第一雪崩二极管、2-第二雪崩二极管、3-温控装置、4-管壳、5-安装块、6-第一光纤、7-第二光纤、8-热沉、31-温度传感器、32-半导体制冷器、33-温控芯片、41-腔体。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图1和图2，本实施例提供了一种双APD器件，与第一光纤6以及第二光纤7连接，其包括第一雪崩二极管1、第二雪崩二极管2、温控装置3、管壳4以及安装块5，其中：

第一光纤6与第一雪崩二极管1耦合，第二光纤7与第二雪崩二极管2耦合。