[发明专利]晶圆测量装置在审

专利信息
申请号: 202011567672.2 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN113155051A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 曾安 申请(专利权)人: 南京力安半导体有限公司
主分类号: G01B11/24 分类号: G01B11/24;G01B11/30;G01B11/16;G01B11/06;G01B11/00;G01B7/06;G01B7/00;G01B21/08;G01B21/04
代理公司: 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 代理人: 秦卫中
地址: 210000 江苏省南京市江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 测量 装置
【说明书】:

本申请实施例提供了一种晶圆测量装置。该晶圆测量装置包括气浮卡盘,用于产生气垫以使待测量的晶圆能够悬浮在气浮卡盘的顶部表面;干涉仪,设置在晶圆的远离气浮卡盘的一侧,用于获取晶圆的正面的干涉条纹图像,以基于干涉条纹图像对晶圆进行形状测量和/或平整度测量,晶圆的正面为晶圆远离气浮卡盘的表面。本申请实施例通过利用气浮卡盘产生气垫以使待测量的晶圆能够悬浮在气浮卡盘的顶部表面,从而避免夹持工具对晶圆原始形状的破坏或污染,进而减少测量误差。

技术领域

本申请涉及晶圆测量技术领域,具体涉及一种晶圆测量装置。

背景技术

晶圆的几何参数如晶圆形状、晶圆厚度等对晶圆的质量有着至关重要的作用,因此对晶圆的几何参数进行测量是评估晶圆的质量的重要工作。通常可以使用具有测量光路的晶圆测量设备来测量晶圆的几何参数,并且需要采用夹持方式将晶圆垂直固定在测量光路中。

然而,使用上述固定晶圆的方法具有一定的缺陷,如夹持的力度较大容易使晶圆的原始形状发生变化,另外,由于夹持工具的清洁度难以保证也容易在晶圆上产生碎屑颗粒或其他污染物,进而造成较大的测量误差。

发明内容

有鉴于此,本申请实施例提供一种晶圆测量装置,从而避免夹持工具对晶圆原始形状的破坏或污染,减少测量误差。

本申请实施例提供了一种晶圆测量装置。该晶圆测量装置包括:气浮卡盘,用于产生气垫以使待测量的晶圆能够悬浮在气浮卡盘的顶部表面;干涉仪,设置在晶圆的远离气浮卡盘的一侧,用于获取晶圆的正面的干涉条纹图像,以基于干涉条纹图像对晶圆进行形状测量和/或平整度测量,其中,晶圆的正面为晶圆远离气浮卡盘的表面。

在本申请一实施例中,气浮卡盘包括多个支撑力喷嘴,气浮卡盘利用从多个支撑力喷嘴中喷出的第一气体将晶圆悬浮在距离气浮卡盘的顶部表面上方第一预定距离处,以对晶圆进行形状测量。

在本申请一实施例中,气浮卡盘还包括与多个支撑力喷嘴交替布置的多个吸力喷嘴,气浮卡盘利用从多个吸力喷嘴吸入的第二气体和从多个支撑力喷嘴喷出的第一气体使晶圆悬浮在距离气浮卡盘的顶部表面上方第二预定距离处,并迫使晶圆的背面的形状与气浮卡盘的顶部表面的形状相匹配,以对晶圆进行平整度测量,晶圆的背面为晶圆靠近气浮卡盘的表面。

在本申请一实施例中,当晶圆测量装置用于对晶圆进行形状测量时,第一预定距离为60μm-1500μm。

在本申请一实施例中,当晶圆测量装置用于对晶圆进行平整度测量时,第二预定距离为0μm-50μm。

在本申请一实施例中,晶圆测量装置还包括电容传感器,设置在气浮卡盘的中部,用于测量晶圆的背面上至少一个位置点对应的位置信息以得到电容传感器读数CPn,或者,基于电容传感器读数CPn监测气浮卡盘上是否存在晶圆,或者,基于电容传感器读数CPn监测第一预定距离,其中,晶圆的背面为晶圆靠近气浮卡盘的表面。

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