[发明专利]晶圆测量装置

权利要求书

1.一种晶圆测量装置，其特征在于，包括：

气浮卡盘，用于产生气垫以使待测量的晶圆能够悬浮在所述气浮卡盘的顶部表面；

干涉仪，设置在所述晶圆的远离所述气浮卡盘的一侧，用于获取所述晶圆的正面的干涉条纹图像，以基于所述干涉条纹图像对所述晶圆进行形状测量和/或平整度测量，其中，所述晶圆的正面为所述晶圆远离所述气浮卡盘的表面。

2.根据权利要求1所述的晶圆测量装置，其特征在于，所述气浮卡盘包括多个支撑力喷嘴，所述气浮卡盘利用从所述多个支撑力喷嘴中喷出的第一气体将所述晶圆悬浮在距离所述气浮卡盘的顶部表面上方第一预定距离处，以对所述晶圆进行形状测量。

3.根据权利要求2所述的晶圆测量装置，其特征在于，所述气浮卡盘还包括与所述多个支撑力喷嘴交替布置的多个吸力喷嘴，所述气浮卡盘利用从所述多个吸力喷嘴吸入的第二气体和从所述多个支撑力喷嘴喷出的第一气体迫使所述晶圆靠近所述气浮卡盘的第二预定距离处，并迫使所述晶圆的背面的形状与所述气浮卡盘的顶部表面的形状相匹配，以对所述晶圆进行平整度测量，其中，所述晶圆的背面为所述晶圆靠近所述气浮卡盘的表面。

4.根据权利要求2所述的晶圆测量装置，其特征在于，当所述晶圆测量装置用于对晶圆进行形状测量时，所述第一预定距离为60μm-1500μm。

5.根据权利要求3所述的晶圆测量装置，其特征在于，当所述晶圆测量装置用于对所述晶圆进行平整度测量时，所述第二预定距离为0μm-50μm。

6.根据权利要求2所述的晶圆测量装置，其特征在于，还包括：

电容传感器，设置在所述气浮卡盘的中部，用于测量所述晶圆的背面上至少一个位置点对应的位置信息以得到电容传感器读数CPn，或者，基于所述电容传感器读数CPn监测所述气浮卡盘上是否存在所述晶圆，或者，基于所述电容传感器读数CPn监测所述第一预定距离，其中，所述晶圆的背面为所述晶圆靠近所述气浮卡盘的表面。

7.根据权利要求6所述的晶圆测量装置，其特征在于，还包括：

激光器，位于所述气浮卡盘的顶部表面的上方侧边，用于向所述晶圆的正面发出第一激光；

位置传感器，位于所述气浮卡盘的顶部表面的上方侧边且与所述激光器的对立的一侧，用于接收所述第一激光经由所述晶圆的正面上反射后的第二激光且根据所述第二激光测量所述晶圆的正面上第一位置点对应的位置信息，以得到位置传感器读数Vx，其中，所述电容传感器还用于测量所述晶圆的背面上第二位置点对应的位置信息，以得到电容传感器读数CPn，所述第一位置点与所述第二位置点为所述晶圆中表征厚度的相对的两个位置点；

第一标准晶圆；

处理器，与所述位置传感器和所述电容传感器连接，以获取所述位置传感器读数Vx和所述电容传感器读数CPn，并将所述位置传感器读数Vx和所述电容传感器读数CPn代入公式T_晶圆＝T0+(CP0-CPn)+S*(Vx–V0)中以获取所述晶圆的厚度T_晶圆，其中，所述公式中的T0为所述第一标准晶圆的厚度，CP0为所述第一标准晶圆在基准预定距离处时的基准电容传感器读数，V0为所述第一标准晶圆在基准预定距离处时的基准位置传感器读数，S为横坐标为所述第一标准晶圆处于不同预定距离时所述位置传感器读数Vx，纵坐标为所述第一标准晶圆处于不同预定距离时所述电容传感器读数CPn与基准电容传感器读数CP0的差值hx的关系图中直线的斜率。