[发明专利]兼容IP电路性能仿真的电压降分析方法、装置及电子设备有效
申请号: | 202011306502.9 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112417796B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 赵慧;黄瑞锋 | 申请(专利权)人: | 海光信息技术股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/3308 | 分类号: | G06F30/3308;G06F30/392 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 300000 天津市滨海新区天津华苑*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 兼容 ip 电路 性能 仿真 电压 分析 方法 装置 电子设备 | ||
1.一种兼容IP电路性能仿真的电压降分析方法,所述IP电路性能仿真包括设置仿真激励、从版图上抽取带寄生参数的电路网表、写测量文件、以及电路仿真,其特征在于,所述电压降分析方法,包括:
从所述电路网表中查找源端或漏端与电源线或地线相连的MOS管;
修改所述测量文件,以增加对查找到的MOS管的源端或漏端电压的测量;
在所述电路仿真完成后,获取电压降结果文件;
其中,所述修改所述测量文件,以增加对查找到的MOS管的源端或漏端电压的测量,包括:
若查找到的MOS管的源端或漏端连接的是地线,则增加对该源端或漏端在仿真时间内最大电压的测量;
若查找到的MOS管的源端或漏端连接的是电源线,则增加对该源端或漏端在仿真时间内最小电压的测量。
2.根据权利要求1所述的电压降分析方法,其特征在于,所述在所述电路仿真完成后,获取电压降结果文件,包括:
若存在电压降不满足要求的MOS管,则在版图上定位这些MOS管,并修改版图。
3.根据权利要求2所述的电压降分析方法,其特征在于,所述在版图上定位这些MOS管,包括:
利用电路网表和版图文件做版图和逻辑图验证,得到MOS管在版图上的坐标。
4.根据权利要求1-3中任一所述的电压降分析方法,其特征在于,所述IP电路性能仿真为时序分析、功耗分析或信号完整性分析。
5.一种兼容IP电路性能仿真的电压降分析装置,所述IP电路性能仿真包括设置仿真激励、从版图上抽取带寄生参数的电路网表、写测量文件、以及电路仿真,其特征在于,所述电压降分析装置,包括:
查找模块,用于从所述电路网表中查找源端或漏端与电源线或地线相连的MOS管;
修改模块,用于修改所述测量文件,以增加对查找到的MOS管的源端或漏端电压的测量;
获取模块,用于在所述电路仿真完成后,获取电压降结果文件;
其中,所述修改模块,还用于若查找到的MOS管的源端或漏端连接的是地线,则增加对该源端或漏端在仿真时间内最大电压的测量;若查找到的MOS管的源端或漏端连接的是电源线,则增加对该源端或漏端在仿真时间内最小电压的测量。
6.根据权利要求5所述的电压降分析装置,其特征在于,所述获取模块,还用于若存在电压降不满足要求的MOS管,则在版图上定位这些MOS管,并修改版图。
7.根据权利要求6所述的电压降分析装置,其特征在于,所述获取模块,还用于利用电路网表和版图文件做版图和逻辑图验证,得到MOS管在版图上的坐标。
8.根据权利要求5-7中任一所述的电压降分析装置,其特征在于,所述IP电路性能仿真为时序分析、功耗分析或信号完整性分析。
9.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:壳体、处理器、存储器、电路板和电源电路,其中,电路板安置在壳体围成的空间内部,处理器和存储器设置在电路板上;电源电路,用于为上述电子设备的各个电路或器件供电;存储器用于存储可执行程序代码;处理器通过读取存储器中存储的可执行程序代码来运行与可执行程序代码对应的程序,用于执行前述权利要求1-4中任一所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有一个或者多个程序,所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行,以实现前述权利要求1-4中任一所述的方法。
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