[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202011176266.3 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112289811B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 樊宜冰;屈财玉;赵梦;李良坚;刘政 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
一种显示基板及其制备方法,所述显示基板包括:基底、设置在所述基底上的有源层、第一栅金属层、第二栅金属层、绝缘层,所述第一栅金属层和所述第二栅金属层至少之一包括如下结构:从靠近所述基底一侧至远离所述基底一侧,包括依次设置的栅金属主体层和栅金属覆盖层,在平行于所述基底的平面上,所述栅金属覆盖层包括第一区域和第二区域,所述栅金属覆盖层被过孔暴露的区域的正投影位于所述第一区域的正投影内,且,在垂直于所述基底的方向上,所述第一区域的所述栅金属覆盖层的厚度大于所述第二区域内的所述栅金属覆盖层的厚度。本实施例提供的方案,可以保护栅金属主体层,还可以具备良好的弯折、卷曲、可拉伸等机械性能。
技术领域
本申请实施例涉及但不限于显示技术,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示装置的尺寸越来越大,但大尺寸有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)产品中,存在屏幕边缘和中心区域亮度不均匀、画面显示均匀性较差的问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本申请实施例提供了一种显示基板,包括:基底、设置在所述基底上的有源层,设置在所述有源层远离所述基底一侧的第一栅金属层和第二栅金属层,设置在所述第二栅金属层远离所述基底一侧的绝缘层,所述绝缘层包括第一过孔和第二过孔,所述第一过孔暴露所述第一栅金属层,所述第二过孔暴露所述第二栅金属层,所述第一栅金属层和所述第二栅金属层至少之一包括如下结构:从靠近所述基底一侧至远离所述基底一侧,包括依次设置的栅金属主体层和栅金属覆盖层,所述栅金属覆盖层被所述第一过孔或所述第二过孔暴露;在平行于所述基底的平面上,所述栅金属覆盖层包括第一区域和第二区域,所述第一区域和所述第二区域的正投影无交叠,所述栅金属覆盖层被所述第一过孔或第二过孔暴露的区域的正投影位于所述第一区域的正投影内,且,在垂直于所述基底的方向上,所述第一区域的所述栅金属覆盖层的厚度大于所述第二区域内的所述栅金属覆盖层的厚度。
在一示例性实施例中,在平行于所述基底的平面上,所述栅金属主体层的正投影位于所述栅金属覆盖层的正投影内。
在一示例性实施例中,所述栅金属覆盖层的硬度大于所述栅金属主体层的硬度。
在一示例性实施例中,所述栅金属主体层的材料包括以下至少之一:铝、铝合金。
在一示例性实施例中,所述栅金属覆盖层的材料包括氮化钛、钛。
在一示例性实施例中,在垂直于所述基底的方向上,所述第一区域的栅金属覆盖层的厚度为1200埃至1500埃。
在一示例性实施例中,在垂直于所述基底的方向上,所述第二区域的栅金属覆盖层厚度为300埃至500埃。
在一示例性实施例中,在垂直于所述基底的方向上,所述栅金属主体层的厚度为为1000埃至3000埃。
本申请实施例提供一种显示装置,包括任一实施例所述的显示基板。
本申请实施例提供一种显示基板的制备方法,包括:
在基底上形成有源层;
在所述有源层远离所述基底一侧依次形成第一栅金属层和第二栅金属层;所述第一栅金属层和所述第二栅金属层至少之一包括如下结构:从靠近所述基底一侧至远离所述基底一侧,包括依次设置的栅金属主体层和栅金属覆盖层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的