[发明专利]一种芳胺化合物、使用其的电子元件及电子装置有效

专利信息
申请号: 202011036168.X 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN112110825B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 聂齐齐;曹佳梅 申请(专利权)人: 陕西莱特光电材料股份有限公司
主分类号: C07C211/61 分类号: C07C211/61;C07D307/91;C07D333/76;C07D209/86;C07D209/88;C07F7/08;C07C255/58;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 代理人: 邹宇宁
地址: 710065 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 化合物 使用 电子元件 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种芳胺化合物,其特征在于,该芳胺化合物具有如下式1所示的结构:

其中,环A选自以下式2-1至式2-4所示的基团所组成的组:

L1、L2和L3各自独立地为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚芴基;

所述L1、L2和L3的取代基相同或不同,且分别独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1-5的烷基、苯基;

Ar1选自取代或未取代的以下基团:苯基、萘基、芴基、联苯基、三联苯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基;

R1、R2、R3和R4彼此相同或不同,且各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1~6的烷基和苯基;a1、a2、a3、a4分别是R1、R2、R3和R4的个数;

a1和a4各自独立地选自0;

a2和a3各自独立地选自0;

所述Ar1中的取代基相同或不同,且各自独立地选自如下基团所组成的组:氘,氟,氰基,苯基,碳原子数为1~6的烷基。

2.根据权利要求1所述的芳胺化合物,其中,所述Ar1中的取代基相同或不同,且各自独立地选自如下基团所组成的组:氘、氟、氰基、碳原子数为1~5的烷基、苯基。

3.根据权利要求1所述的芳胺化合物,其中,Ar1选自以下基团所组成的组:

4.根据权利要求1所述的芳胺化合物,其中,L1、L2和L3的取代基相同或不同,且分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基。

5.根据权利要求1或2所述的芳胺化合物,其中,所述L1、L2和L3各自独立地为单键,或者选自如下基团组成的组:

其中,表示化学键。

6.根据权利要求1或2所述的芳胺化合物,其中,所述芳胺化合物选自以下化合物组成的组:

7.一种电子元件,其特征在于,包括相对设置的阳极和阴极,以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层;

所述功能层包含权利要求1~6中任意一项所述的芳胺化合物。

8.根据权利要求7所述的电子元件,其中,所述电子元件的功能层包含空穴传输层,所述空穴传输层包含所述的芳胺化合物。

9.根据权利要求7或8所述的电子元件,其中,所述电子元件为有机电致发光器件或光电转化器件。

10.根据权利要求8 所述的电子元件,其中,所述电子元件为有机电致发光器件,

所述空穴传 输层包括第一空穴传输层和第二空穴传输层;

所述第一空穴传输层邻接于所述第二空穴传输层,且相对于所述第二空穴传输层更靠近阳极;

所述第一空穴传输层或第二空穴传输层包含所述芳胺化合物。

11.一种电子装置,其特征在于,包括权利要求7~10中任意一项所述的电子元件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西莱特光电材料股份有限公司,未经陕西莱特光电材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011036168.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top