[发明专利]一种薄膜器件

权利要求书

1.一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，其特征在于：所述膜层组件还包括BiMg膜层和AgZr膜层，所述BiMg膜层和AgZr膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间或银膜层与电介质膜层之间；或所述BiMg膜层和AgZr膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间，同时所述BiMg膜层和/或AgZr膜层层叠在银膜层与电介质膜层之间，所述BiMg膜层中Bi的含量为10wt％-82wt％，所述AgZr膜层中Zr的含量≥50at％。

2.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述BiMg膜层中Bi的含量为20wt％-65wt％；所述AgZr膜层中Zr的含量≥80at％。

3.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述BiMg膜层中含有氧；所述AgZr膜层中含有碳。

4.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述BiMg膜层的厚度≤10nm；所述AgZr膜层的厚度为0.05-10nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述牺牲膜层的厚度为0.1-8nm。

6.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述牺牲膜层的材料为NiCr、Ti、NiCrO_x、Cr、NiCrMo、CrO_x、MoO_x、TiMo、TiMoO_x、NiTi、TiO_x和NiTiO_x中的任意一种或它们的任一组合。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜器件，其特征在于：所述膜层组件的数量为两个，两个膜层组件依次层叠设置。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜器件，其特征在于：所述膜层组件的数量为三个，三个膜层组件依次层叠设置。

9.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜器件，其特征在于：所述膜层组件的数量为四个，四个膜层组件依次层叠设置。

10.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜器件，其特征在于：该薄膜器件用于制作成夹层薄膜器件或中空薄膜器件。