[发明专利]基于纳米结构界面的聚合物-量子点光致发光器件的制备有效

专利信息
申请号: 202010094686.0 申请日: 2020-02-16
公开(公告)号: CN111200073B 公开(公告)日: 2022-09-30
发明(设计)人: 郭金鑫;菅佳玲;张新平;王大勇 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张立改
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 纳米 结构 界面 聚合物 量子 光致发光 器件 制备
【权利要求书】:

1.一种基于纳米结构界面的聚合物-量子点光致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)聚合物材料制备需甲基丙烯酸酯类单体、乙醇、光敏剂,将以上三种材料按照100:(30-70):(0.5-1.5)的质量比混合均匀,搅拌均匀,无需加热;

(2)用胶带将AAO模板固定在玻璃片上,注意将模板的边沿压平,防止材料溢出模板,放在培养皿中;在暗室将步骤(1)制备好的材料均匀涂在AAO模板上,抽真空干燥,取出后,利用绿光LED灯光固化2-2.5h;配制CuCl2的盐酸溶液,将固化后的模板放入,进行置换反应,完成后,用去离子水清洗表面杂质,后放入氢氧化钠溶液中超声,然后用去离子水清洗,吹干后观察,直至无表面颜色差异;

(3)配制CdSe量子点溶液,溶剂为二甲苯,滴涂量子点溶液在步骤(2)处理后的样品表面,抽真空至表面溶剂蒸发完毕。

2.按照权利要求1所述的一种基于纳米结构界面的聚合物-量子点光致发光器件的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述的AAO模板为在Al基板上有一层氧化铝多孔膜。

3.按照权利要求1所述的一种基于纳米结构界面的聚合物-量子点光致发光器件的制备方法,其特征在于,步骤(1)制备好的材料均匀涂在AAO模板上,填满AAO模板的孔还高出一段;用CuCl2的盐酸溶液将AAO模板中的Al基板刻蚀掉,然后用氢氧化钠溶液刻蚀掉AAO模板对应的氧化铝多孔膜,剩下单纯的表面带有凸起的聚甲基丙烯酸酯类聚合物板。

4.按照权利要求1所述的一种基于纳米结构界面的聚合物-量子点光致发光器件的制备方法,其特征在于,步骤(3)CdSe量子点溶液滴涂到聚甲基丙烯酸酯类聚合物板带凸起的表面上,使得最终形成CdSe量子点层包覆凸起点并上端齐平。

5.按照权利要求1所述的一种基于纳米结构界面的聚合物-量子点光致发光器件的制备方法,其特征在于,AAO模板中孔的直径、深度、相邻两孔之间的距离根据需要选择,孔的直径范围10-90nm、深度50-100nm、相邻两孔之间的距离10-100nm。

6.按照权利要求1-5任一项所述的方法制备得到的基于纳米结构界面的聚合物-量子点光致发光器件。

7.按照权利要求1-5任一项所述的方法制备得到的基于纳米结构界面的聚合物-量子点光致发光器件的应用,用于调谐器件。

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