[发明专利]一种旋转结构的制备方法以及旋转结构

权利要求书

1.一种旋转结构的制备方法，其特征在于，包括：

采用湿法腐蚀工艺制备第一半导体结构，其中，所述第一半导体结构包括位于第一表面的第一斜坡凹槽，所述第一斜坡凹槽的斜坡面为（111）晶面，所述第一表面和第二表面相对设置；

采用湿法腐蚀工艺制备第一半导体结构包括：

提供硅衬底，所述第一表面和所述硅衬底的（111）晶面呈第一夹角；

在所述第一表面和所述第二表面生长第一氧化层；

去除所述第一表面一侧的部分所述第一氧化层；

对所述第一表面进行湿法腐蚀，暴露出部分所述（111）晶面，得到所述第一斜坡凹槽，所述第一斜坡凹槽的斜坡面为（111）晶面；

去除所述第一表面上剩余的所述第一氧化层以及所述第二表面上的第一氧化层，得到第一半导体结构；制备第二半导体结构，其中，所述第二半导体结构包括独立设置的第一半导体单元和第二半导体单元；

制备第二半导体结构包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括依次设置的衬底层、绝缘层以及半导体层，所述半导体层远离所述绝缘层一侧的表面和所述半导体层的（111）晶面呈第二夹角；

在所述半导体层远离所述绝缘层一侧的表面和所述衬底层远离所述绝缘层一侧的表面生长第二氧化层；

去除所述半导体层远离所述绝缘层一侧的表面的部分所述第二氧化层，暴露出部分所述半导体层远离所述绝缘层一侧的表面；

对所述半导体层远离所述绝缘层一侧的表面进行湿法腐蚀，暴露出部分所述（111）晶面，得到第二斜坡凹槽，所述第二斜坡凹槽的斜坡面为（111）晶面；

去除所述半导体层远离所述绝缘层一侧的表面和所述衬底层远离所述绝缘层一侧的第二氧化层；

沿第一预设位置，对所述半导体层进行刻蚀，形成独立设置的第一连接部和第二连接部；

在所述半导体层远离所述绝缘层一侧的表面和所述衬底层远离所述绝缘层一侧的表面生长第三氧化层；

去除所述半导体层远离所述绝缘层一侧的表面的部分所述第三氧化层，暴露出所述第二斜坡凹槽的斜坡面，以及所述第二连接部中所述半导体层远离所述绝缘层一侧的部分表面，所述第一连接部以及所述第一连接部之上的所述第三氧化层构成所述第一半导体单元，所述第二连接部以及所述第二连接部之上的所述第三氧化层构成所述第二半导体单元；采用键合工艺，将所述第一半导体结构的第一表面设置在所述第一半导体单元和所述第二半导体单元之上；

在所述第一半导体结构的预设区域制备可旋转单元；

在所述第一半导体结构背离所述第一表面侧的表面制备上电极，在所述第二半导体结构上制备第一下电极和第二下电极，所述上电极与所述可旋转单元电连接，所述第一下电极与所述第一半导体单元电连接，所述第二下电极与所述第二半导体单元电连接。

2.根据权利要求1所述的旋转结构的制备方法，其特征在于，所述（111）晶面偏向（001）晶面为正角度，偏离（001）晶面为负角度，所述第一夹角满足大于或等于-35.3°，且小于或等于0°，或者大于0°且小于或等于54.7°；所述第二夹角满足大于或等于-35.3°，且小于或等于0°，或者大于0°且小于或等于54.7°；

所述第一斜坡凹槽的斜坡面的倾斜角为θ，其中θ大于0°，且小于或等于90°；所述第二斜坡凹槽的斜坡面的倾斜角为φ大于0°，且小于或等于90°；所述第一斜坡凹槽的斜坡面的倾斜角为所述第一斜坡凹槽的斜坡面与水平方向的夹角，所述第二斜坡凹槽的斜坡面的倾斜角为所述第二斜坡凹槽的斜坡面与水平方向的夹角。

3.根据权利要求1所述的旋转结构的制备方法，其特征在于，采用键合工艺，将所述第一半导体结构的第二表面设置在所述第一半导体单元和所述第二半导体单元之上包括：

采用硅硅键合工艺，将所述硅衬底的第一表面位于所述半导体层远离所述绝缘层一侧的表面之上，其中，所述第二斜坡凹槽的斜坡面的脊线与所述第一斜坡凹槽的斜坡面的脊线平行，且所述第二斜坡凹槽的斜坡面与所述第一斜坡凹槽的斜坡面位于同一平面。